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公开(公告)号：CN1244713C
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN02106239.0
申请日：2002-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3402
Abstract: 一种溅射装置，包括溅射室，放置在溅射室中的靶极，以及在靶极前面产生旋转磁场的磁场发生器。该磁场发生器包括朝向该靶极背面的主磁场产生部件，并且相对于穿过该靶极中心的垂直线水平偏移。主磁场产生部件的磁环形成一面向靶极中心部分和边缘部分的位置有穿过磁环的开口的磁性围栏。该磁场产生部分因此在靶极前面产生一非均匀分布的磁场。一个衬底被放置在溅射室内部，面对靶极的前面。由靶极前面溅射出的原子在衬底上形成一金属层。该被溅射出的原子的动作被该磁场有效地控制着。
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公开(公告)号：CN1407130A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02106239.0
申请日：2002-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3402
Abstract: 一种溅射装置，包括溅射室，放置在溅射室中的靶极，以及在靶极前面产生旋转磁场的磁场发生器。该磁场发生器包括朝向该靶极背面的主磁场产生部件，并且相对于穿过该靶极中心的垂直线水平偏移。主磁场产生部件的磁环形成一面向靶极中心部分和边缘部分的位置有穿过磁环的开口的磁性围栏。该磁场产生部分因此在靶极前面产生一非均匀分布的磁场。一个衬底被放置在溅射室内部，面对靶极的前面。由靶极前面溅射出的原子在衬底上形成一金属层。该被溅射出的原子的动作被该磁场有效地控制着。
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公开(公告)号：CN1303245C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN03128660.7
申请日：2003-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J37/3408 , C23C14/35 , H01J9/236 , H01J23/10 , H01J37/3455
Abstract: 本发明公开了一种溅射装置及其电极和该电极的制造方法。该电极为旋转式磁控管套磁控管型(RMIM)电极。RMIM电极包括：磁体单元，包括位于中央的柱形磁体和多个围绕柱形磁体的环形磁体；以及驱动单元，支承和离轴旋转磁体单元。在磁体单元中，相邻磁体有相反的磁化方向，具有小直径的环形磁体位于具有大直径的环形磁体内侧。
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公开(公告)号：CN1445811A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03128660.7
申请日：2003-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J37/3408 , C23C14/35 , H01J9/236 , H01J23/10 , H01J37/3455
Abstract: 本发明公开了一种溅射装置及其电极和该电极的制造方法。该电极为旋转式磁控管套磁控管型(RMIM)电极。RMIM电极包括：磁体单元，包括位于中央的柱形磁体和多个围绕柱形磁体的环形磁体；以及驱动单元，支承和离轴旋转磁体单元。在磁体单元中，相邻磁体有相反的磁化方向，具有小直径的环形磁体位于具有大直径的环形磁体内侧。
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