公开(公告)号：CN101840905B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201010136542.3

申请日：2010-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔重先 ,  崔吉铉 ,  朴炳律 ,  李钟鸣 ,  朴津镐 ,  郑暳炅

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路器件、金属互连及其制造方法。该金属互连包括：金属线，具有第一端和设置在第一端的相反侧的第二端；通孔，电连接到金属线；以及无活性段，从第一端延伸且包括空隙。减小拉应力以防止在通孔下方产生空隙。从而，基本防止了由于电致迁移引起的线损坏，由此改善了器件的电特性。

公开(公告)号：CN101840905A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010136542.3

申请日：2010-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔重先 ,  崔吉铉 ,  朴炳律 ,  李钟鸣 ,  朴津镐 ,  郑暳炅

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路器件、金属互连及其制造方法。该金属互连包括：金属线，具有第一端和设置在第一端的相反侧的第二端；通孔，电连接到金属线；以及无活性段，从第一端延伸且包括空隙。减小拉应力以防止在通孔下方产生空隙。从而，基本防止了由于电致迁移引起的线损坏，由此改善了器件的电特性。

公开(公告)号：CN101369534A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810171436.1

申请日：2008-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹钟皓 ,  崔吉铉 ,  李钟鸣

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/30 ,  C23C18/31 ,  H01L21/76849

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的薄膜的形成方法。该方法包括将液化的金属离子源吸收到衬底上的步骤；漂洗衬底以去除未被吸收到衬底上的任何液化的金属离子源的步骤；通过用液化的还原剂还原被吸收到衬底上的液化的金属离子源在衬底上沉积金属层的步骤；以及漂洗衬底以去除剩余的液化的还原剂和任何反应残留物的步骤。

公开(公告)号：CN101312154A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810127762.2

申请日：2008-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  李贤培 ,  崔吉铉 ,  李钟鸣 ,  洪琮沅

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括提供具有导电图案的半导体衬底和在导电图案和半导体衬底上形成绝缘层。对绝缘层进行构图以形成露出一部分导电图案的开口。在开口的内壁和绝缘层的顶面上形成预扩散阻挡层。向预扩散阻挡层上提供氧原子以形成第一扩散阻挡层。在第一扩散阻挡层上形成金属层。金属层形成为填充由第一扩散阻挡层围绕的开口。本发明还提供通过该方法制造的半导体器件和用于制造该半导体器件的半导体集群设备。

公开(公告)号：CN1482655A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03119603.9

申请日：2003-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟鸣 ,  朴仁善 ,  全宗植

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76888 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53223 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成金属膜的方法，包括在衬底的表面、凹槽的底表面和侧壁上形成金属势垒层；在衬底上而不是在凹槽内形成第一金属膜；用氮等离子体处理第一金属膜以形成包括氮的绝缘膜；在位于凹槽中的金属势垒层的部分上形成第二金属膜；以及在衬底、凹槽和绝缘膜上形成第三金属膜。