公开(公告)号：CN101315888A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810108794.8

申请日：2008-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴津镐 ,  崔吉铉 ,  李相遇 ,  李虎基

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L29/49 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T428/24942 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种低阻导电结构、包括其的器件和系统以及形成其的方法，所述导电结构包括通过在衬底上执行循环淀积工艺形成的第一成核层、通过CVD工艺形成于所述第一成核层上的第二成核层以及形成于所述第二成核层上的体金属层。

公开(公告)号：CN101840905B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201010136542.3

申请日：2010-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔重先 ,  崔吉铉 ,  朴炳律 ,  李钟鸣 ,  朴津镐 ,  郑暳炅

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路器件、金属互连及其制造方法。该金属互连包括：金属线，具有第一端和设置在第一端的相反侧的第二端；通孔，电连接到金属线；以及无活性段，从第一端延伸且包括空隙。减小拉应力以防止在通孔下方产生空隙。从而，基本防止了由于电致迁移引起的线损坏，由此改善了器件的电特性。

公开(公告)号：CN101840905A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010136542.3

申请日：2010-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔重先 ,  崔吉铉 ,  朴炳律 ,  李钟鸣 ,  朴津镐 ,  郑暳炅

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路器件、金属互连及其制造方法。该金属互连包括：金属线，具有第一端和设置在第一端的相反侧的第二端；通孔，电连接到金属线；以及无活性段，从第一端延伸且包括空隙。减小拉应力以防止在通孔下方产生空隙。从而，基本防止了由于电致迁移引起的线损坏，由此改善了器件的电特性。