公开(公告)号：CN101369534A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810171436.1

申请日：2008-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹钟皓 ,  崔吉铉 ,  李钟鸣

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/30 ,  C23C18/31 ,  H01L21/76849

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的薄膜的形成方法。该方法包括将液化的金属离子源吸收到衬底上的步骤；漂洗衬底以去除未被吸收到衬底上的任何液化的金属离子源的步骤；通过用液化的还原剂还原被吸收到衬底上的液化的金属离子源在衬底上沉积金属层的步骤；以及漂洗衬底以去除剩余的液化的还原剂和任何反应残留物的步骤。

公开(公告)号：CN1790634A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510091182.9

申请日：2005-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑硕祐 ,  崔吉铉 ,  尹钟皓 ,  卢官钟 ,  郑恩志 ,  金贤洙

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 形成金属硅化物层的方法包括基于对流(或者传导)的退火步骤，以将金属层转换为金属硅化物层。这些方法可以包括：在衬底上形成硅层；以及接触该硅层形成金属层(例如，镍层)。然后，执行至少使部分金属层转换为金属硅化物层的步骤。该转换步骤包括在对流或者传导加热设备中使该金属层暴露在传热气体(例如，氩气、氮气)中。

公开(公告)号：CN100481348C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510091182.9

申请日：2005-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑硕祐 ,  崔吉铉 ,  尹钟皓 ,  卢官钟 ,  郑恩志 ,  金贤洙

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 形成金属硅化物层的方法包括基于对流(或者传导)的退火步骤，以将金属层转换为金属硅化物层。这些方法可以包括：在衬底上形成硅层；以及接触该硅层形成金属层(例如，镍层)。然后，执行至少使部分金属层转换为金属硅化物层的步骤。该转换步骤包括在对流或者传导加热设备中使该金属层暴露在传热气体(例如，氩气、氮气)中。