公开(公告)号：CN1128465C

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN98108477.X

申请日：1998-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚范 ,  蔡允淑 ,  朴昌洙 ,  李相忍

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/45534 ,  C23C16/08 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76838

Abstract: 一种采用原子层淀积工艺形成导电层的方法，通过将含有金属的母物与一种还原气体起反应，在半导体衬底上形成一层牺牲金属原子层，通过使该牺牲金属原子层与金属卤化物气体反应，在该半导体衬底上、在淀积由金属卤化物气体溶解的金属原子的位置形成一种金属原子层。另外，采用一种硅源气体，在该金属原子层上形成硅原子层，从而交替地层叠金属原子层和硅原子层。

公开(公告)号：CN1115723C

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN96114485.8

申请日：1996-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳律 ,  河定旼 ,  高大弘 ,  李相忍

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一个新的制造选择性氮化钨层的方法和一个利用相同方法制造金属连线的方法。在这些方法中，通过调整所注入的含氮气体和钨源气体的流量比，一个氮化钨层被有选择地仅在一个接触孔中被淀积。因此，防止了硅衬底上的侵蚀并且制成了在高温下稳定的氮化钨层。另外，金属连线的接触电阻可以被降低。

公开(公告)号：CN1182958A

公开(公告)日：1998-05-27

申请号：CN96114485.8

申请日：1996-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳律 ,  河定旼 ,  高大弘 ,  李相忍

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一个新的制造选择性氮化钨层的方法和一个利用相同方法制造金属连线的方法。在这些方法中,通过调整所注入的含氮气体和钨源气体的流量比,一个氮化钨层被有选择地仅在一个接触孔中被淀积。因此,防止了硅衬底上的侵蚀并且制成了在高温下稳定的氮化钨层。另外,金属连线的接触电阻可以被降低。

公开(公告)号：CN1061782C

公开(公告)日：2001-02-07

申请号：CN95107381.8

申请日：1995-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相忍 ,  河善镐

IPC: H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76876 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76882 ,  Y10S257/915

Abstract: 一种半导体器件的布线结构填埋一个开口(如接触孔或通孔)。该布线结构包括半导体衬底、在衬底上形成的绝缘层(该绝缘层中形成有开口)、在该开口内侧壁上形成的不带由难熔金属或难熔金属化合物组成的晶粒边界的平坦表面的扩散阻挡膜，以及在该扩散阻挡膜上形成的金属层。该扩散阻挡膜侧壁上的金属层由均匀和连续形成的、具有良好台阶覆盖范围的铝膜组成。因此，有效地填埋具有高纵横比的接触孔和提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN1032285C

公开(公告)日：1996-07-10

申请号：CN92105037.2

申请日：1992-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相忍 ,  朴昌洙 ,  孙正河

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/53214 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体基片上形成一个带有开口的绝缘夹层，形成第一金属层并对其进行热处理，从而用金属填充开口，在第一金属层上形成第二金属层并对其进行热处理，以使其平面化。本发明的另一个实施例中，形成金属层使用的金属是纯铝或不含硅元素的铝合金。根据本发明获得的半导体晶片的优点是：即使接触孔纵横比很大，也可以用金属完全填充它，开有成布线图案后，在其表面上没有硅沉积，并且没有铝峰值。

公开(公告)号：CN1068444A

公开(公告)日：1993-01-27

申请号：CN92105500.5

申请日：1992-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相忍 ,  洪正仁 ,  朴钟浩

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/90 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53271 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有布线层的半导体器件，包括：半导体衬底31、51、71、91和111；具有在所述的半导体衬底上形成的开口的绝缘层32、52、72、92和112，所述的开口暴露所述绝缘层的底层的表面的一部分；在所述绝缘层上形成的并完全充满所述开口的第一导电层37、57、76、95和97、115及117，并且所述的第一导电层包括在后来的热处理步骤中不产生Si沉淀的物质。

公开(公告)号：CN1133203C

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN98121394.4

申请日：1998-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚范 ,  蔡允淑 ,  李相忍 ,  林炫锡 ,  尹美英

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/60 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/04 ,  C23C16/14 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76889

Abstract: 提供了一种选择性金属层的形成方法，及用其形成电容器的方法和用其填充接触孔洞的方法。通过通入一种对半导体衬底上的绝缘膜和导电层选择性沉积的牺牲金属源气体可在导电层上选择沉积牺牲金属层。通过通入一种其卤素亲和力比牺牲金属层中金属原子的卤素亲和力更小的金属卤化物气体，可形成牺牲金属原子和卤化物，并使牺牲金属层被沉积金属层如钛(Ti)或铂(Pt)所取代。

公开(公告)号：CN1221979A

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN98108477.X

申请日：1998-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜尚范 ,  蔡允淑 ,  朴昌洙 ,  李相忍

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/45534 ,  C23C16/08 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76838

Abstract: 一种采用原子层淀积工艺形成导电层的方法,通过将含有金属的母物与一种还原气体起反应,在半导体衬底上形成一层牺牲金属原子层,通过使该牺牲金属原子层与金属卤化物气体反应,在该半导体衬底上、在淀积由金属卤化物气体溶解的金属原子的位置形成一种金属原子层。另外,采用一种硅源气体,在该金属原子层上形成硅原子层,从而交替地层叠金属原子层和硅原子层。

公开(公告)号：CN1117205A

公开(公告)日：1996-02-21

申请号：CN95107381.8

申请日：1995-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相忍 ,  河善镐

IPC: H01L21/74

CPC classification number: H01L21/76876 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76882 ,  Y10S257/915

Abstract: 一种半导体器件的布线结构填埋一个开口(如接触孔或通孔)。该布线结构包括半导体衬底、在衬底上形成的绝缘层(该绝缘层中形成有开口)、在该开口内侧壁上形成的不带由难熔金属或难熔金属化合物组成的晶粒边界的平坦表面的扩散阻挡膜，以及在该扩散阻挡膜上形成的金属层。该扩散阻挡膜侧壁上的金属层由均匀和连续形成的、具有良好台阶覆盖范围的铝膜组成。因此，有效地填埋具有高纵横比的接触孔和提高器件的可靠性。