公开(公告)号：CN101000200A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610108090.1

申请日：2006-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林苍鹤 ,  咸京希 ,  河周伶 ,  金庸汉 ,  金订翰 ,  申英植 ,  尹元载 ,  李在升 ,  李惠兰 ,  林正洙

IPC: F25D23/00 ,  F25C5/00 ,  A23L2/42

CPC classification number: F25D23/126 ,  F25C1/00 ,  F25C2301/002 ,  F25C2400/10 ,  F25C2400/14 ,  F25D17/065 ,  F25D2323/122 ,  F25D2700/121

Abstract: 本发明公开了一种电冰箱，所述电冰箱允许用户通过电冰箱门内的分配器接收过冷饮料。所述电冰箱包括：主体，所述主体具有室和打开和关闭室的门；主体内的过冷室，以过冷饮料；和门内的分配器，以从所述过冷室分配过冷液体而不打开所述门。过冷液体箱可分离地被安装在过冷室内以过冷饮料。所述过冷室安装在门的后侧内，这样过冷室门可以被安装在门的前侧内以打开和关闭所述门前的过冷室。

公开(公告)号：CN101000197A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610108089.9

申请日：2006-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申英植 ,  林苍鹤 ,  咸京希 ,  河周伶 ,  金庸汉 ,  金订翰 ,  尹元载 ,  李在升 ,  李惠兰 ,  林正洙

IPC: F25D11/02 ,  F25D17/04

CPC classification number: F25D17/065 ,  F25D17/045 ,  F25D31/007 ,  F25D2317/061 ,  F25D2317/0665 ,  F25D2400/28 ,  F25D2700/121

Abstract: 一种冰箱，用于在最佳温度储藏饮料，以便稳定地过冷却饮料并且保持饮料处于过冷状态，所述冰箱能够快速制造过冷饮料并同时保持饮料的过冷状态。所述冰箱的过冷装置包括：储藏室，来自冷气供应单元的冷气被供给至所述储藏室；位于储藏室内的过冷室，所述过冷室被冷气制冷，以便间接制冷内部的物品；形成在过冷室一侧处的孔，以便使冷气能够流入和流出所述过冷室；以及用于打开或关闭所述孔的调节风门。根据用户的选择，通过打开或关闭调节风门可以对过冷室内的物品直接或间接地制冷。

公开(公告)号：CN110047743A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910255989.3

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN104934377B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201510122545.4

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN101728329B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN200910206176.1

申请日：2009-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄尚镇 ,  崔时荣 ,  申裕均 ,  徐康一 ,  赵学柱 ,  罗勋奏 ,  李晓山 ,  朴全雄 ,  李惠兰 ,  洪炯硕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以包括在衬底上形成金属氧化物层和在该金属氧化物层上形成牺牲氧化物层。在衬底上执行退火工艺。在退火工艺的工艺温度下，牺牲氧化物层的生成自由能大于金属氧化物层的生成自由能。

公开(公告)号：CN101000194A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610108091.6

申请日：2006-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河周伶 ,  金庸汉 ,  金订翰 ,  申英植 ,  尹元载 ,  李在升 ,  李惠兰 ,  林正洙 ,  林苍鹤 ,  咸京希

IPC: F25D11/00 ,  A23L3/36

CPC classification number: F25D31/007 ,  F25D29/00 ,  F25D2400/30 ,  F25D2400/361 ,  F25D2700/122

Abstract: 本发明公开了一种电冰箱以及其冷却控制方法，所述电冰箱可以根据用户喜好或食物种类控制过冷程度。所述的电冰箱具有过冷饮料的功能，且包括：输入单元，所述输入单元响应于用户的命令以选择用于调节饮料的过冷程度的半冻等级；存储器单元，以存储与被选择的半冻等级对应的饮料的过冷温度的信息；和控制器，以基于关于存储在存储器单元中的饮料的过冷温度的信息通过控制过冷室内的温度调节饮料的过冷程度。

公开(公告)号：CN110047743B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201910255989.3

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN109560080A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811085098.X

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炯硕 ,  金硕埙 ,  李仁熙 ,  李惠兰

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/108

Abstract: 所提供的半导体器件可以包括具有NMOS区和PMOS区的衬底，以及在NMOS区中的第一晶体管，该第一晶体管包括第一栅极堆叠和在第一栅极堆叠的至少一侧上的第一源极/漏极区。该半导体器件还可以包括在PMOS区中的第二晶体管，该第二晶体管包括第二栅极堆叠和在第二栅极堆叠的至少一侧上的第二源极/漏极区。第一栅极堆叠可以包括可以顺序层叠的第一绝缘膜、第一厚度的第一栅电极层、附加栅电极层、以及第一硅层。第二栅极堆叠可以包括可以顺序层叠的第二绝缘膜、大于第一厚度的第二厚度的第四栅电极层、附加栅电极层和第二硅层。

公开(公告)号：CN104934377A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510122545.4

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/845 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66795

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN100520240C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610108091.6

申请日：2006-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河周伶 ,  金庸汉 ,  金订翰 ,  申英植 ,  尹元载 ,  李在升 ,  李惠兰 ,  林正洙 ,  林苍鹤 ,  咸京希

IPC: F25D11/00 ,  A23L3/36

CPC classification number: F25D31/007 ,  F25D29/00 ,  F25D2400/30 ,  F25D2400/361 ,  F25D2700/122

Abstract: 本发明公开了一种电冰箱以及其冷却控制方法，所述电冰箱可以根据用户喜好或食物种类控制过冷程度。所述的电冰箱具有过冷饮料的功能，且包括：输入单元，所述输入单元响应于用户的命令以选择用于调节饮料的过冷程度的半冻等级；存储器单元，以存储与被选择的半冻等级对应的饮料的过冷温度的信息；和控制器，以基于关于存储在存储器单元中的饮料的过冷温度的信息通过控制过冷室内的温度调节饮料的过冷程度。