公开(公告)号：CN101038927B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200710085556.5

申请日：2007-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锡河 ,  李德炯 ,  慎宗哲 ,  李康福

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82

Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底中的光电转换元件的阵列，该光电转换元件被设置在分别在第一方向和第二方向中延伸的行和列中；衬底中的多个第一结隔离区，每个隔离公共行的相邻光电转换元件的侧部，以及衬底中的多个第二结隔离区，每个隔离公共列的相邻光电转换元件的侧部；以及衬底中的多个介质隔离区，每个隔离相邻光电转换元件的拐角部分。在一个实施例中，光电转换元件在第一方向上具有第一间隔，并在第二方向上具有第二间隔，其中对于公共行的光电转换元件来说该第一间隔基本上相同，并且其中对于公共列的光电转换元件来说该第二间隔基本上相同。

公开(公告)号：CN102074566A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010540893.0

申请日：2010-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  李德炯

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提供了图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：衬底，具有像素区域和非像素区域，该像素区域包括多个单位像素；在非像素区域中的至少一个第一阱；在衬底的第一面上的互连结构；以及基础阱，在非像素区域中且在第一阱与衬底的第二面之间。

公开(公告)号：CN1893540B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200610103088.5

申请日：2006-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锡河 ,  李德炯 ,  李康福

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641

Abstract: 一方面，提供了一种图像传感器，其包括单位有源像素阵列。每一单位有源像素包括具有多个光电转换区的第一有源区，以及与所述第一有源区隔开的第二有源区。按行和列排列所述第一有源区，以界定其间的行延伸间隔和列延伸间隔，所述第二有源区位于所述第一有源区之间界定的行延伸间隔和列延伸间隔的相应交叉处。

公开(公告)号：CN102074566B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201010540893.0

申请日：2010-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  李德炯

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明提供了图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：衬底，具有像素区域和非像素区域，该像素区域包括多个单位像素；在非像素区域中的至少一个第一阱；在衬底的第一面上的互连结构；以及基础阱，在非像素区域中且在第一阱与衬底的第二面之间。

公开(公告)号：CN101510553B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200910006369.2

申请日：2009-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金弘基 ,  李德炯 ,  卢铉弼

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/528 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：基板，其具有传感器阵列区域和外围电路区域；第一绝缘膜结构，其形成于外围电路区域上，该第一绝缘膜结构包括多个第一多层布线线路；以及第二绝缘膜结构，其形成于传感器阵列区域上，该第二绝缘膜结构包括多个第二多层布线线路。多个第一多层布线线路的最上层布线线路比多个第二多层布线线路的最上层布线线路高。第一绝缘膜结构包括各向同性蚀刻终止层，第二绝缘膜结构不包括各向同性蚀刻终止层。

公开(公告)号：CN1893541B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610103096.X

申请日：2006-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李德炯 ,  李康福 ,  李锡河

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641

Abstract: 本发明公开了一种图像传感器及具有该图像传感器的系统。所述图像传感器包括：单位有源像素的阵列，每个单位有源像素包括第一有源区和第二有源区，第一有源区包括多个光电转换区，第二有源区与第一有源区分开，其中第一有源区排列为行和列，从而在其之间界定行和列延伸间隙，且其中第二有源区位于在第一有源区之间界定的行和列延伸间隙的各交叉点。

公开(公告)号：CN1681103B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200510053088.4

申请日：2005-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  崔诗荣 ,  李炳讃 ,  李钟昱 ,  丁仁洙 ,  李德炯

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621

Abstract: 提供形成半导体器件的方法。如此蚀刻半导体衬底，以便于半导体衬底限定出沟槽和初步有源图形。沟槽具有底面和侧壁。在沟槽的底面和侧壁上提供绝缘层，并在绝缘层上如此形成隔离物，以便于隔离物在沟槽的侧壁上和沟槽的一部分底面上。如此除去沟槽底面上和隔离物下方的绝缘层，以便于至少部分暴露沟槽的一部分底面，将隔离物与沟槽的底面间隔开，并部分地暴露初步有源图形的一部分。部分地除去初步有源图形的暴露部分的一部分，以提供在隔离物下方限定出凹陷部分的有源图形。在有源图形的凹陷部分中形成掩埋绝缘层。还提供相关的器件。

公开(公告)号：CN1858912A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200610075339.3

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳政澔 ,  李德炯 ,  郑熙根 ,  严甲成

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1469

Abstract: 本发明提供了一种减少闪烁的图像传感器及其制备方法，图像传感器包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路。有源像素阵列包括多个第一栅极介电层，控制电路包括多个第二栅极介电层，其中第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。

公开(公告)号：CN108257985A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711442531.6

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  文昌碌 ,  李德炯 ,  李锡河

IPC: H01L27/144

Abstract: 本公开提供了光传感器。第一基板包括多个单元像素区域。深沟槽隔离结构设置在第一基板中并使所述多个单元像素区域彼此隔离。多个光电转换器的每个设置在所述多个单元像素区域中的对应一个中。多个微透镜设置在第一基板上。多个分光器设置在第一基板上。所述多个分光器的每个设置在所述多个微透镜中的对应一个与所述多个光电转换器中的对应一个之间。多个光电转换增强层的每个设置在所述多个分光器中的对应一个与所述多个光电转换器中的对应一个之间。

公开(公告)号：CN101510553A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910006369.2

申请日：2009-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金弘基 ,  李德炯 ,  卢铉弼

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/528 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：基板，其具有传感器阵列区域和外围电路区域；第一绝缘膜结构，其形成于外围电路区域上，该第一绝缘膜结构包括多个第一多层布线线路；以及第二绝缘膜结构，其形成于传感器阵列区域上，该第二绝缘膜结构包括多个第二多层布线线路。多个第一多层布线线路的最上层布线线路比多个第二多层布线线路的最上层布线线路高。第一绝缘膜结构包括各向同性蚀刻终止层，第二绝缘膜结构不包括各向同性蚀刻终止层。