公开(公告)号：CN100358089C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN03132805.9

申请日：2003-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东俊 ,  郑泰荣 ,  李宰求

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  Y02P80/30

Abstract: 在一个实施方案中，形成覆盖在半导体基片上的相邻的导电图形。所述导电图形各有导线和封盖层。在相邻的线图形之间形成第一间隔片形成层。在封盖层的顶表面与导线的底表面之间形成所述第一间隔片形成层。在导电图形上共形地形成的第二间隔片形成层。在共形的第二间隔片形成层上形成第一层间绝缘层。接着，在第一层间绝缘层中形成开孔，所述开孔延伸到第一间隔片形成层的部分上。用第二间隔片形成层作蚀刻掩模蚀刻第一间隔片形成层的一部分，从而在导电图形的侧壁上，与接触孔同时地形成单层间隔片。

公开(公告)号：CN1173396C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN01101676.0

申请日：2001-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰求 ,  高宽协

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 集成电路器件及其制造方法，选择性地腐蚀绝缘层以增加与半导体区相邻的自对准接触区域。互连图形形成在具有设置在互连图形之间的半导体区的衬底上。在成对互连图形和衬底上形成腐蚀终止层，在成对互连图形和半导体区上形成牺牲绝缘层。腐蚀牺牲绝缘层以露出在成对互连图形表面上延伸的部分腐蚀终止层。侧壁绝缘间隔层形成在互连图形之间的间隙区上部中的成对互连图形的侧壁部分上和覆盖半导体区的部分牺牲绝缘层上。

公开(公告)号：CN1536669A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN03147820.4

申请日：2003-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泰荣 ,  李宰求 ,  朴济民

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体设备包括半导体衬底和形成于半导体衬底之上的中间绝缘层。中间绝缘层优选地包含一个接触焊盘。电容器下电极与接触焊盘电连接。电容器下电极还包括与接触焊盘相连的焊盘形状存储节点；和置于焊盘形状存储节点之上的杯状存储节点。使用这种方法，可以增加电容容量并降低非开放接触。同样可显著减少发生存储节点倾斜问题的机率。

公开(公告)号：CN1525570A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200310119512.1

申请日：2003-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰求 ,  尹喆柱

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 在衬底的电容器接触区之间的第一绝缘层上形成具有第一导电图形和位线掩模图形的位线。在位线上形成第二氧化绝缘层和形成接触图形，以打开对应于部分第二绝缘层的存储节点接触孔区域。在刻蚀部分的侧壁上形成第一隔片。刻蚀第二和第一绝缘层，以形成露出电容器接触区的存储节点接触孔。同时，在第一隔片底下形成第二绝缘层的第二隔片。第二导电层填充存储节点接触孔，以形成存储节点接触焊盘。由于位线掩模图形减小的厚度位线掩模图形损失减小，以及由于第二隔片位线负载电容量减小。

公开(公告)号：CN113035885A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202011536562.X

申请日：2020-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰求

IPC: H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；栅电极，堆叠在第一区域中并形成具有阶梯形状的焊盘区域，在第二区域中延伸不同的长度；层间绝缘层，与栅电极交替地堆叠；沟道结构，在第一区域中穿过栅电极并包括沟道层；分隔区域，在第一区域和第二区域中穿过栅电极；蚀刻停止层，设置于在第二区域中形成焊盘区域的栅电极当中的最上面的栅电极上，不与第一区域和分隔区域重叠；单元区域绝缘层，覆盖栅电极和蚀刻停止层；以及接触插塞，穿过第二区域中的单元区域绝缘层和蚀刻停止层并连接到焊盘区域中的栅电极。

公开(公告)号：CN112992913A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202010965851.5

申请日：2020-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰求

IPC: H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11565

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；导电图案，位于基底上，导电图案在与基底的表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，导电图案的边缘包括台阶部分使得一个导电图案的端部在竖直方向上不与定位在所述一个导电图案之上的导电图案叠置；绝缘图案，位于导电图案之间；侧壁绝缘图案，位于导电图案的侧壁上，以覆盖导电图案的侧壁；上垫图案，位于导电图案的台阶部分的上表面上；绝缘夹层，覆盖导电图案、绝缘图案、侧壁绝缘图案和上垫图案；以及接触插塞，穿过绝缘夹层，接触插塞分别接触上垫图案。

公开(公告)号：CN105226063B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201510359346.5

申请日：2015-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金森宏治 ,  金青珍 ,  朴泳雨 ,  李宰求 ,  李载德 ,  崔茂林

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11565 ,  H01L23/532 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种具有垂直沟道和气隙的半导体装置。字线形成在基底上。气隙设置在两条相邻的字线之间。沟道结构穿透字线和气隙。存储单元设置在每条字线和沟道结构之间。存储单元包括阻挡图案、电荷捕获图案和遂穿绝缘图案。阻挡图案共形地覆盖每条字线的顶表面、底表面和第一侧表面。所述第一侧表面与所述沟道结构相邻。电荷捕获图案仅设置在所述第一侧表面和沟道结构之间。

公开(公告)号：CN104900648B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201510102923.2

申请日：2015-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰求 ,  朴泳雨

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开提供了三维半导体器件。一种三维(3D)半导体器件包括在垂直方向上彼此间隔开的导电层的叠层，该叠层在连接区域中具有阶梯状部分，导电层的端部分别构成阶梯状部分的梯面。3D半导体器件还包括设置在导电层的各端部上并在其上突出的缓冲图案、设置在该叠层之上并包括导线的互连结构、以及在导线与缓冲图案之间垂直地延伸并经由缓冲图案电连接到叠层的导电层的接触插塞。

公开(公告)号：CN102468283A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110365462.X

申请日：2011-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰求 ,  朴泳雨

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 存储器件包括：衬底，在水平方向上延伸；多个绝缘层，在衬底上；以及多个导电图案，至少两个导电图案的每个在相邻的下绝缘层与相邻的上绝缘层之间。多个半导体材料的垂直沟道形成为在垂直方向上延伸穿过多个绝缘层和多个导电图案，栅极绝缘层在导电图案与垂直沟道之间使导电图案与垂直沟道绝缘。该至少两个导电图案具有导电接触区，该至少两个导电图案的导电接触区为台阶构造使得相邻下导电图案的接触区在水平方向上延伸到相邻上导电图案的接触区之外。蚀刻停止层位于导电接触区上，其中蚀刻停止层具有在多个导电图案中的第一个上的第一部分并具有在多个导电图案中的第二个上的第二部分，其中第一部分的厚度大于第二部分的厚度。

公开(公告)号：CN1312775C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200310119512.1

申请日：2003-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰求 ,  尹喆柱

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 在衬底的电容器接触区之间的第一绝缘层上形成具有第一导电图形和位线掩模图形的位线。在位线上形成第二氧化绝缘层和形成接触图形，以打开对应于部分第二绝缘层的存储节点接触孔区域。在刻蚀部分的侧壁上形成第一间隔物。刻蚀第二和第一绝缘层，以形成露出电容器接触区的存储节点接触孔。同时，在第一间隔物底下形成第二绝缘层的第二间隔物。第二导电层填充存储节点接触孔，以形成存储节点接触焊盘。由于位线掩模图形减小的厚度位线掩模图形损失减小，以及由于第二间隔物位线负载电容量减小。