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公开(公告)号：CN110875342A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910831497.4
申请日：2019-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/378
Abstract: 图像传感器可包括半导体衬底，该半导体衬底具有在其上的光接收表面和在其中的相邻位置处的多个间隔开的光电转换区域。光栅结构设置在光接收表面上。该光栅结构与多个间隔开的光电转换区域中的每一个相对地延伸。光学透明层设置在光栅结构上。该光栅结构包括多个间隔开的光栅图案，这些光栅图案可具有相同的高度和相同的宽度。另外，光栅图案可彼此间隔开均匀的距离。光栅结构被构造为响应于入射在其上的光而选择性地产生到光电转换区域的±1阶或更高阶衍射光。
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公开(公告)号：CN110875342B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201910831497.4
申请日：2019-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 图像传感器可包括半导体衬底，该半导体衬底具有在其上的光接收表面和在其中的相邻位置处的多个间隔开的光电转换区域。光栅结构设置在光接收表面上。该光栅结构与多个间隔开的光电转换区域中的每一个相对地延伸。光学透明层设置在光栅结构上。该光栅结构包括多个间隔开的光栅图案，这些光栅图案可具有相同的高度和相同的宽度。另外，光栅图案可彼此间隔开均匀的距离。光栅结构被构造为响应于入射在其上的光而选择性地产生到光电转换区域的±1阶或更高阶衍射光。
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公开(公告)号：CN115377093A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210544374.4
申请日：2022-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种半导体保护器件包括：N型外延层；设置在N型外延层的上表面上的器件隔离层；设置在器件隔离层下面的N型漂移区；设置在N型漂移区中的N型阱；第一P型漂移区和第二P型漂移区，分别设置为与器件隔离层接触并与N型漂移区间隔开；第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中；第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中以分别与第一P型掺杂区和第二P型掺杂区间隔开并设置为与器件隔离层接触；以及第一接触层和第二接触层，分别设置为覆盖第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，以与器件隔离层接触。
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公开(公告)号：CN112446167A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010876227.8
申请日：2020-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/27 , G06F119/18 , G06K9/62 , G06N3/02 , G06N20/00
Abstract: 一种指导半导体制造过程的方法包括：接收与目标半导体产品对应的半导体制造过程数据；通过使用技术计算机辅助设计(TCAD)模型来生成与半导体制造过程数据对应的第一半导体特性数据，该TCAD模型是基于包括TCAD模拟数据的训练数据通过机器学习进行训练的；通过使用紧凑模型来生成与半导体制造过程数据对应的第二半导体特性数据，该紧凑模型是基于第一半导体产品的至少一个半导体特性的测量信息来生成的；基于第一半导体特性数据和第二半导体特性数据，通过使用多个对策模型生成分别与多个对策参考对应的多个过程策略；以及基于多个过程策略提供与目标半导体产品对应的最终过程策略。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111146289A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910763096.X
申请日：2019-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上，栅极绝缘层在栅电极和漂移层之间，其中栅电极包括分别与第一源极区域和第二源极区域相邻的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一栅电极和第二栅电极之间的第三栅电极，其中第三栅电极浮置或接地。
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公开(公告)号：CN106847876A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611087672.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/7855 , H01L29/42356
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。
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公开(公告)号：CN111146289B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201910763096.X
申请日：2019-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上，栅极绝缘层在栅电极和漂移层之间，其中栅电极包括分别与第一源极区域和第二源极区域相邻的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一栅电极和第二栅电极之间的第三栅电极，其中第三栅电极浮置或接地。
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公开(公告)号：CN116705812A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310204040.7
申请日：2023-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；像素隔离区段，其穿透衬底并且将构成第一像素组、第二像素组和第三像素组的多个像素分离，第一像素组、第二像素组和第三像素组中的每一个包括按照n列m行排列的像素；遮光栅格，其在所述第一表面上，并且与像素隔离区段重叠；以及光调制器，其在所述第一表面上，并且在第一像素组、第二像素组和第三像素组中的每一个的中心上与像素隔离区段重叠。遮光栅格在第一方向上具有第一宽度。光调制器在第一方向上具有大于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN115483286A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210429349.1
申请日：2022-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体器件。所述半导体器件包括：基底；栅电极，设置在基底的上表面上；源极区，设置在栅电极的第一侧上；漏极区，设置在栅电极的第二侧上，栅电极的第二侧在水平方向上与栅电极的第一侧背对；以及绝缘结构，至少部分地掩埋在基底内部。绝缘结构包括设置在基底与栅电极之间的第一部分和与漏极区接触的第二部分。绝缘结构的第二部分的最上表面低于绝缘结构的第一部分的最上表面。栅电极的至少一部分设置在绝缘结构的第二部分的最上表面上。
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