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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN115483286A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210429349.1

申请日：2022-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晙赫 , 俞在炫 , 权义熙 , 李奎沃 , 全镕宇 , 郑大原

IPC: H01L29/78 , H01L29/08

Abstract: 提供半导体器件。所述半导体器件包括：基底；栅电极，设置在基底的上表面上；源极区，设置在栅电极的第一侧上；漏极区，设置在栅电极的第二侧上，栅电极的第二侧在水平方向上与栅电极的第一侧背对；以及绝缘结构，至少部分地掩埋在基底内部。绝缘结构包括设置在基底与栅电极之间的第一部分和与漏极区接触的第二部分。绝缘结构的第二部分的最上表面低于绝缘结构的第一部分的最上表面。栅电极的至少一部分设置在绝缘结构的第二部分的最上表面上。

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