公开(公告)号：CN104241287B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201410270479.0

申请日：2014-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中 ,  朴在浩 ,  白康铉

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置。该半导体装置包括在基底上彼此相邻的第一存储单元区域和第二存储单元区域。至少一个有源基体和一个浅沟槽隔离件可以顺序地层叠在第一存储单元区域和第二存储单元区域之间的边界处。第一有源鳍和第二有源鳍形成在浅沟槽隔离件的相应的侧面上，第一有源鳍和第二有源鳍从有源基体突出。至少一个深沟槽隔离件形成在有源基体的一个侧面上。

公开(公告)号：CN111146289B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201910763096.X

申请日：2019-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 ,  权义熙 ,  D.W.郑 ,  金宰浩 ,  金晙赫 ,  白康铉 ,  李奎沃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上，栅极绝缘层在栅电极和漂移层之间，其中栅电极包括分别与第一源极区域和第二源极区域相邻的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一栅电极和第二栅电极之间的第三栅电极，其中第三栅电极浮置或接地。

公开(公告)号：CN112446167A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010876227.8

申请日：2020-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰浩 ,  白康铉 ,  李光熙 ,  全镕宇 ,  权义熙 ,  金润硕

IPC: G06F30/27 ,  G06F119/18 ,  G06K9/62 ,  G06N3/02 ,  G06N20/00

Abstract: 一种指导半导体制造过程的方法包括：接收与目标半导体产品对应的半导体制造过程数据；通过使用技术计算机辅助设计(TCAD)模型来生成与半导体制造过程数据对应的第一半导体特性数据，该TCAD模型是基于包括TCAD模拟数据的训练数据通过机器学习进行训练的；通过使用紧凑模型来生成与半导体制造过程数据对应的第二半导体特性数据，该紧凑模型是基于第一半导体产品的至少一个半导体特性的测量信息来生成的；基于第一半导体特性数据和第二半导体特性数据，通过使用多个对策模型生成分别与多个对策参考对应的多个过程策略；以及基于多个过程策略提供与目标半导体产品对应的最终过程策略。

公开(公告)号：CN111146289A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201910763096.X

申请日：2019-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 ,  权义熙 ,  D.W.郑 ,  金宰浩 ,  金晙赫 ,  白康铉 ,  李奎沃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上，栅极绝缘层在栅电极和漂移层之间，其中栅电极包括分别与第一源极区域和第二源极区域相邻的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一栅电极和第二栅电极之间的第三栅电极，其中第三栅电极浮置或接地。

公开(公告)号：CN114444249A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111289296.X

申请日：2021-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： S·Y·韩 ,  金在珉 ,  金宰浩 ,  都支星 ,  白康铉 ,  辛荣圭 ,  张成熏 ,  赵泳俊 ,  崔允智

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/02 ,  G06F119/20

Abstract: 一种半导体设计自动化系统包括：仿真器，其被配置为生成仿真数据；恢复模块，其被配置为校正仿真数据的采样错误以生成恢复仿真数据；硬件数据模块，其被配置为生成真实数据；预处理模块，其被配置为对真实数据进行预处理以生成预处理的真实数据；数据库，其被配置为存储恢复仿真数据和预处理的真实数据；第一图形用户界面，其包括自动仿真生成器，该自动仿真生成器被配置为生成恢复仿真数据和预处理的真实数据的机器学习模型并从机器学习模型生成预测的真实数据；以及第二图形用户界面，其包括可视化单元，该可视化单元被配置为从机器学习模型生成可视化的虚拟化工艺结果。

公开(公告)号：CN104241287A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410270479.0

申请日：2014-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中 ,  朴在浩 ,  白康铉

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/6681

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置。该半导体装置包括在基底上彼此相邻的第一存储单元区域和第二存储单元区域。至少一个有源基体和一个浅沟槽隔离件可以顺序地层叠在第一存储单元区域和第二存储单元区域之间的边界处。第一有源鳍和第二有源鳍形成在浅沟槽隔离件的相应的侧面上，第一有源鳍和第二有源鳍从有源基体突出。至少一个深沟槽隔离件形成在有源基体的一个侧面上。