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发明公开
半导体保护器件审中-实审

公开(公告)号：CN115377093A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210544374.4

申请日：2022-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 , 李奎沃 , 高在赫 , 权义熙 , 金晙赫 , 全镕宇 , 郑多源

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种半导体保护器件包括：N型外延层；设置在N型外延层的上表面上的器件隔离层；设置在器件隔离层下面的N型漂移区；设置在N型漂移区中的N型阱；第一P型漂移区和第二P型漂移区，分别设置为与器件隔离层接触并与N型漂移区间隔开；第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中；第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中以分别与第一P型掺杂区和第二P型掺杂区间隔开并设置为与器件隔离层接触；以及第一接触层和第二接触层，分别设置为覆盖第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，以与器件隔离层接触。

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