公开(公告)号：CN118073226A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202310856813.X

申请日：2023-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02

Abstract: 一种衬底处理装置，包括干燥室壳体和在干燥室壳体中的干燥卡盘。干燥室壳体包括下腔室和附接到下腔室的上腔室。干燥卡盘包括第一支撑元件、第二支撑元件和第三支撑元件，每个支撑元件连接到上腔室，并且在第一方向上与下腔室间隔开。第一支撑元件包括固定到上腔室的第一杆、沿第一方向从第一杆向外延伸的第一块、以及在第一块上的第一销钉。第二支撑元件包括固定到上腔室的第二杆、沿第二方向从第二杆向外延伸的第二块、以及在第二块上的第二销钉。第一杆和第二杆之间的距离可以等于或大于301mm。

公开(公告)号：CN117238791A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310154709.6

申请日：2023-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 一种处理衬底的方法包括：将衬底设置在干燥室中，以及将流体供应到设置有衬底的干燥室中。将流体供应到干燥室中包括：将气体供应到干燥室中，以及在开始供应气体之后将超临界流体供应到干燥室中。

公开(公告)号：CN116027643A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211167154.0

申请日：2022-09-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 崔海圆 ,  辛承敃 ,  朴相真 ,  辛在原 ,  朴智焕 ,  李根泽 ,  科里亚金·安东 ,  元俊皓 ,  许弼覠

IPC: G03F7/40

Abstract: 提供了衬底处理设备和衬底处理方法，其中通过多级压力控制来控制注入到超临界干燥容器中的CO2的流速。所述衬底处理方法包括：将涂覆有化学液体的衬底设置在处理室中，所述处理室包括在其中处理所述衬底的空间；通过使用超临界流体来干燥所述衬底；以及在所述衬底被干燥后，将所述衬底从所述处理室中取出。

公开(公告)号：CN112310147A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010652460.8

申请日：2020-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永倬 ,  朴相真 ,  李源俊 ,  徐慧瑛 ,  申材旭

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 提供了一种包括数据存储材料图案的半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一导电结构；位于所述第一导电结构上的第二导电结构；以及位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构，其中，所述第一存储单元结构包括：位于所述第一导电结构上的开关材料图案；位于所述开关材料图案上的数据存储材料图案；以及位于所述数据存储材料图案上的上导电图案，其中，所述数据存储材料图案的下部区域的第一宽度小于所述开关材料图案的第一宽度，并且其中，所述上导电图案的第一宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。

公开(公告)号：CN104752508B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201410768392.6

申请日：2014-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  尹普彦 ,  全夏英 ,  赵炳权 ,  韩政男

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件。半导体器件包括限定沟槽的栅极间隔物，栅极间隔物包括顺序地位于基板上的第一部分和第二部分。第一部分的内表面具有相对于基板的锐角倾角，第二部分的内表面具有相对于基板的直角倾角或钝角倾角。栅极电极填充沟槽的至少一部分。

公开(公告)号：CN109037094A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810022556.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴相真 ,  赵庸真 ,  吉娟真 ,  郑志薰 ,  赵炳权 ,  高镛璿 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/67017

Abstract: 一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。

公开(公告)号：CN120035212A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411651012.0

申请日：2024-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰善 ,  朴相真 ,  金荣晙

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 发明构思涉及一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括：在衬底上在第一水平方向上延伸的鳍型有源区；在衬底上设置在鳍型有源区上并在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸的栅极线；设置在鳍型有源区上并在第一水平方向上与栅极线相邻设置的源极/漏极区；设置在源极/漏极区上的源极/漏极接触；设置在栅极线上并包括蚀刻停止膜和层间绝缘膜的上绝缘结构；穿过上绝缘结构并连接到源极/漏极接触的源极/漏极通路接触；以及设置在蚀刻停止膜和源极/漏极通路接触之间并在水平方向上与源极/漏极通路接触的一部分重叠的气隙。

公开(公告)号：CN118553640A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311372447.7

申请日：2023-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  G03F7/00 ,  G03F7/30 ,  G03F7/20

Abstract: 一种衬底处理装置，包括：处理容器，包括处理空间；衬底支撑件，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，并被配置为在处理容器中支撑衬底；流体供应设备，被配置为通过容器供应管道向处理空间供应处于超临界状态的处理流体；以及喷头组件，被配置为将从流体供应设备供应的处理流体扩散到处理空间中。喷头组件包括：第一喷头，具有第一直径；以及第二喷头，布置在第一喷头和衬底之间并具有第二直径。处理容器在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上与喷头组件分开，使得在处理容器和喷头组件之间形成流路。

公开(公告)号：CN118366891A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410042038.9

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

Abstract: 提供一种衬底处理装置，包括：索引模块，包括容纳衬底的装载端口；第一传送模块和第二传送模块，用于装载和卸载衬底；以及处理模块，连接到索引模块并且包括处理衬底的多个工艺室，其中，多个工艺室中的一个工艺室包括被配置为将光照射到衬底的光刻胶图案的光处理室，第一传送模块在索引模块与处理模块之间传送衬底，第二传送模块在处理模块中的多个工艺室之间传送衬底，第一传送模块包括第一手部单元和第二手部单元，并且第二传送模块包括第三手部单元和第四手部单元。

公开(公告)号：CN118116829A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202310909151.8

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/42 ,  B08B3/02 ,  B08B13/00

Abstract: 一种处理衬底的方法，包括：润湿衬底；将超临界流体供应到润湿后的衬底上以干燥衬底；以及清洗干燥后的衬底。清洗衬底包括：将清洗液供应到衬底的顶表面上；以及将清洗液供应到衬底的底表面上。