-
公开(公告)号：CN103633240B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201310366932.3
申请日：2013-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/3295 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。
-
公开(公告)号：CN114512596A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111318157.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括磁隧道结的磁存储器件。磁隧道结包括固定层、在固定层上的极化增强结构、在极化增强结构上的隧道势垒层以及在隧道势垒层上的自由层，其中极化增强结构包括多个极化增强层以及将多个极化增强层彼此分开的至少一个间隔物层。多个极化增强层中的每个的厚度为从约至约且至少一个间隔物层的厚度为从约至约
-
公开(公告)号：CN112242485A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010320589.9
申请日：2020-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件包括参考磁性结构、自由磁性结构以及在它们之间的隧道势垒图案。参考磁性结构包括第一被钉扎图案、在第一被钉扎图案和隧道势垒图案之间的第二被钉扎图案、以及在第一被钉扎图案和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案。第二被钉扎图案包括交替堆叠的磁性图案和非磁性图案。第一被钉扎图案是由铁磁元素组成的铁磁图案。
-
公开(公告)号：CN104700882B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201410746475.5
申请日：2014-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了存储器器件及其制造方法。磁存储器器件可以包括基板和在基板上的磁隧道结存储器元件。磁隧道结存储器元件可以包括参考磁层、隧道阻挡层和自由磁层。参考磁层可以包括第一被钉扎层、交换耦合层和第二被钉扎层。交换耦合层可以在第一被钉扎层和第二被钉扎层之间，第二被钉扎层可以包括铁磁层和非磁性层。第二被钉扎层可以在第一被钉扎层和隧道阻挡层之间，隧道阻挡层可以在参考磁层和自由磁层之间。
-
公开(公告)号：CN108023015A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710983541.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01F10/12 , H01F10/3204 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 公开磁存储器件。磁存储器件包括参考磁结构、自由磁结构、以及在参考磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒图案。参考磁结构包括第一被钉扎图案、在第一被钉扎图案和隧道势垒图案之间的第二被钉扎图案、以及在第一和第二被钉扎图案之间的交换耦合图案。第二被钉扎图案包括邻近交换耦合图案的第一磁图案、邻近隧道势垒图案的第二磁图案、在第一和第二磁图案之间的第三磁图案、在第一和第三磁图案之间的第一非磁图案、以及在第二和第三磁图案之间的第二非磁图案。第一非磁图案具有与第二非磁图案不同的晶体结构，且第三磁图案的至少一部分是非晶的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103682084B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201310389452.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明公开了磁存储器件及其形成方法。其中根据实施方式的磁存储器件包括在衬底上的第一参考磁性层、在第一参考磁性层上的第二参考磁性层、在第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层、在第一参考磁性层和自由层之间的第一隧道势垒层、以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。第一参考磁性层、第二参考磁性层和自由层均具有基本上垂直于衬底的顶表面的磁化方向。第一隧道势垒层的电阻面积积（RA）值大于第二隧道势垒层的RA值。
-
公开(公告)号：CN103633240A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310366932.3
申请日：2013-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/3295 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。
-
公开(公告)号：CN101388222B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810098710.7
申请日：2008-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录介质及其制造方法。所述垂直磁记录介质包括：衬底；形成于所述衬底上的软磁层；形成于所述软磁层上的衬层；以及包括多个铁磁层并且形成于所述衬层上的记录层，其中，所述多个铁磁层中的每者具有随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。
-
公开(公告)号：CN101388222A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810098710.7
申请日：2008-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直磁记录介质及其制造方法。所述垂直磁记录介质包括：衬底；形成于所述衬底上的软磁层；形成于所述软磁层上的衬层；以及包括多个铁磁层并且形成于所述衬层上的记录层，其中，所述多个铁磁层中的每者具有随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。
-
公开(公告)号：CN115768243A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211048369.0
申请日：2022-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性装置包括种子图案、种子图案上的参考磁性结构、参考磁性结构上的自由磁性图案以及参考磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒。参考磁性结构包括：合成反铁磁(SAF)结构，其包括与所述种子图案的上表面接触的第一固定图案、与所述第一固定图案的上表面接触的反铁磁耦合图案以及与所述反铁磁耦合图案的上表面接触的第二固定图案；非磁性图案，其与所述第二固定图案的上表面接触；以及极化增强磁性图案，其与所述非磁性图案的上表面接触。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.023 seconds)
