公开(公告)号：CN107578995A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710533807.5

申请日：2017-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林载顺 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  李炫锡 ,  赵基熙

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备。制造半导体装置的方法包含将抑制气体、源气体、反应气体及包含惰性气体的吹扫气体馈送至安置有衬底的处理腔室中。所述抑制气体抑制所述源气体物理吸附至所述衬底上。由此在所述衬底上形成薄膜。根据本发明的制造半导体装置的方法的实例可以在衬底上形成具有基本上均一的厚度的保形薄膜。

公开(公告)号：CN111943978B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202010407574.6

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  斋藤昭夫 ,  小出幸宜 ,  山下敦史 ,  原野一树 ,  朴圭熙 ,  李沼姈 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F9/00 ,  H01L21/3205

Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3‑C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN112341489B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202010585301.0

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  柳承旻 ,  朴圭熙 ,  林载顺 ,  曺仑廷 ,  斋藤昭夫 ,  布施若菜 ,  青木雄太郎 ,  小出幸宜

IPC: C07F9/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]#imgabs0#其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。

公开(公告)号：CN107578995B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201710533807.5

申请日：2017-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林载顺 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  李炫锡 ,  赵基熙

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/67 ,  H10B12/00

Abstract: 一种制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备。制造半导体装置的方法包含将抑制气体、源气体、反应气体及包含惰性气体的吹扫气体馈送至安置有衬底的处理腔室中。所述抑制气体抑制所述源气体物理吸附至所述衬底上。由此在所述衬底上形成薄膜。根据本发明的制造半导体装置的方法的实例可以在衬底上形成具有基本上均一的厚度的保形薄膜。

公开(公告)号：CN115819449A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211124085.5

申请日：2022-09-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  金润洙 ,  金在员 ,  原野一树 ,  斋藤和也 ,  小出幸宜 ,  青木雄太郎 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  布施若菜 ,  真锅芳树 ,  内生蔵广幸 ,  木村将之 ,  吉井崇洋

IPC: C07F9/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种有机金属加合化合物和一种制造集成电路装置的方法，所述有机金属加合化合物由通式(I)表示：

公开(公告)号：CN108930028B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201810223693.9

申请日：2018-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  金铉埈 ,  李珍宣 ,  林载顺

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 形成薄膜的方法以及使用其制造集成电路器件的方法，所述形成薄膜的方法包括：通过在约300℃至约600℃的温度下将具有羰基的反应抑制化合物供应至下部膜的暴露表面而形成化学吸附在所述下部膜的第一部分上的第一反应抑制层；在约300℃至约600℃的温度下形成化学吸附在所述下部膜的第二部分上的第一材料的第一前体层，所述第二部分通过所述第一反应抑制层暴露；以及通过将反应性气体供应至所述第一反应抑制层和所述第一前体层而在所述下部膜上形成包含所述第一材料的第一单层，并从所述下部膜的表面除去所述第一反应抑制层，从而暴露所述第一部分。

公开(公告)号：CN111362979A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201910983502.3

申请日：2019-10-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  小出幸宜 ,  真锅芳树 ,  木村将之 ,  斋藤昭夫 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F5/06 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了铝化合物以及使用该铝化合物制造半导体器件的方法。所述铝化合物可以由式1表示。[式1]

公开(公告)号：CN110349854A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910180129.8

申请日：2019-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  朴阳仙 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成半导体图案，使得半导体图案彼此竖直间隔开；以及形成金属逸出功图案以填充半导体图案之间的空间，其中，形成金属逸出功图案的步骤包括执行原子层沉积(ALD)工艺以形成合金层，并且ALD工艺包括在基底上提供包含有机铝化合物的第一前驱体以及在基底上提供包含钒-卤素化合物的第二前驱体。

公开(公告)号：CN108930028A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810223693.9

申请日：2018-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  金铉埈 ,  李珍宣 ,  林载顺

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 形成薄膜的方法以及使用其制造集成电路器件的方法，所述形成薄膜的方法包括：通过在约300℃至约600℃的温度下将具有羰基的反应抑制化合物供应至下部膜的暴露表面而形成化学吸附在所述下部膜的第一部分上的第一反应抑制层；在约300℃至约600℃的温度下形成化学吸附在所述下部膜的第二部分上的第一材料的第一前体层，所述第二部分通过所述第一反应抑制层暴露；以及通过将反应性气体供应至所述第一反应抑制层和所述第一前体层而在所述下部膜上形成包含所述第一材料的第一单层，并从所述下部膜的表面除去所述第一反应抑制层，从而暴露所述第一部分。

公开(公告)号：CN107026072A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610986776.4

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  乔治·克劳德方法的研究开发液气股份有限公司

Inventor： 林载顺 ,  朴圭熙 ,  曹仑延 ,  克雷门.兰萨洛 ,  卢沅泰 ,  J.利弗莱格 ,  李柱澔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C07F17/00 ,  C09D5/24 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10879 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/02104

Abstract: 本文中公开了形成薄膜的方法、制造集成电路器件的方法和形成半导体器件的方法。所述形成薄膜的方法包括通过使用铌前体成分和反应物形成含铌的膜，所述铌前体成分包括由式(1)表示的铌化合物，其中R各自独立地为H、C1‑C6烷基或R13Si，其中R1各自独立地为H或C1‑C6烷基，Cp为环戊二烯基，和L选自甲脒化物(NR,R'‑fmd)、脒化物(NR,R',R″‑amd)、和胍化物(NR,R',NR″,R″′‑gnd)。式(1)Nb(R5Cp)2(L)。