公开(公告)号：CN107799603A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710790406.8

申请日：2017-09-05

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朴晙皙 ,  林志勋 ,  金宰范 ,  林俊亨 ,  孙暻锡

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78648 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L2029/42388 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。

公开(公告)号：CN103378165A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310126339.1

申请日：2013-04-12

Applicant: 三星显示有限公司 ,  国民大学校算学协力团

Inventor： 林志勋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴埈贤 ,  李制勋 ,  朴在佑 ,  金大奂 ,  郑贤广 ,  金在亨

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种薄膜晶体管包括：栅电极；设置为覆盖栅电极的第一绝缘层；半导体层，设置在第一绝缘层上，该半导体层包括第一侧表面部分；源电极，设置在半导体层上；以及漏电极，设置在第一绝缘层上，该漏电极包括第二侧表面部分。第一侧表面部分与第二侧表面部分接触。

公开(公告)号：CN108511459B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN201810161546.3

申请日：2018-02-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 林俊亨 ,  金宰范 ,  孙暻锡 ,  林志勋

IPC: H01L27/12

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基体基底；第一薄膜晶体管(“TFT”)，设置在基体基底上；第二TFT，设置在基体基底上；以及多个绝缘层，设置在基体基底上，以限定至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔不与第一TFT和第二TFT叠置。第一TFT可以包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极和包括晶体半导体材料的第一半导体图案，第二TFT可以包括第二输入电极、第二输出电极、第二控制电极和包括氧化物半导体材料的第二半导体图案。在平面图中，所述至少一个虚设孔和第二半导体图案之间的最短距离可以等于或小于5微米(μm)。

公开(公告)号：CN107546231B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN201710337796.3

申请日：2017-05-15

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 林志勋 ,  朴晙晳

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

Abstract: 根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括：基底；在基底上的栅电极；在栅电极上的栅极绝缘层；包括与栅电极重叠的沟道区、以及彼此相对的源区和漏区的半导体构件，栅极绝缘层插入沟道区与栅电极之间，沟道区插入源区与漏区之间；在半导体构件上的层间绝缘层；在层间绝缘层上的数据导体；以及在数据导体上的钝化层，其中层间绝缘层具有在沟道区上的第一孔。

公开(公告)号：CN107845641B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201710839142.0

申请日：2017-09-18

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金宰范 ,  孙暻锡 ,  林志勋 ,  金亿洙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H10K59/12

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基体基底；第一晶体管，包括均设置在基体基底上的第一半导体图案、第一控制电极、第一输入电极和第一输出电极；第二晶体管，包括第二半导体图案、第二控制电极、第二输入电极和第二输出电极；以及多个绝缘层。单个第一贯穿部分暴露第一控制电极和设置在第一控制电极的两侧处的第一半导体图案。

公开(公告)号：CN104834398B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201410676461.0

申请日：2014-11-21

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李炳珍 ,  姜盛球 ,  金廷玧 ,  林志勋

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明涉及触摸面板以及制造触摸面板的方法。触摸面板包括多个感测电极、多条配线以及静电放电图案。多个感测电极布置在基板上。多条配线从多个感测电极延伸。多条配线的底部表面具有与多个感测电极的底部表面相同的高度。静电放电图案电连接至多条配线。

公开(公告)号：CN108511459A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810161546.3

申请日：2018-02-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 林俊亨 ,  金宰范 ,  孙暻锡 ,  林志勋

IPC: H01L27/12

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基体基底；第一薄膜晶体管(“TFT”)，设置在基体基底上；第二TFT，设置在基体基底上；以及多个绝缘层，设置在基体基底上，以限定至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔不与第一TFT和第二TFT叠置。第一TFT可以包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极和包括晶体半导体材料的第一半导体图案，第二TFT可以包括第二输入电极、第二输出电极、第二控制电极和包括氧化物半导体材料的第二半导体图案。在平面图中，所述至少一个虚设孔和第二半导体图案之间的最短距离可以等于或小于5微米(μm)。

公开(公告)号：CN107546231A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710337796.3

申请日：2017-05-15

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 林志勋 ,  朴晙晳

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括：基底；在基底上的栅电极；在栅电极上的栅极绝缘层；包括与栅电极重叠的沟道区、以及彼此相对的源区和漏区的半导体构件，栅极绝缘层插入沟道区与栅电极之间，沟道区插入源区与漏区之间；在半导体构件上的层间绝缘层；在层间绝缘层上的数据导体；以及在数据导体上的钝化层，其中层间绝缘层具有在沟道区上的第一孔。

公开(公告)号：CN103094351A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210247010.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  李京垣

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。

公开(公告)号：CN117116951A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311108509.3

申请日：2017-09-01

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金宰范 ,  金亿洙 ,  孙暻锡 ,  林俊亨 ,  林志勋

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/12 ,  H10K59/121 ,  G09G3/3225

Abstract: 提供一种显示装置，所述显示装置包括基体基底、第一晶体管、第二晶体管、有机发光二极管和电连接到第一晶体管的电容器。第一晶体管包括位于第一层间绝缘层下方的第一半导体图案和位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第一控制电极。第二晶体管包括位于第一层间绝缘层上方并位于第二层间绝缘层下方的第二控制电极。第二半导体图案位于第二层间绝缘层上方。