公开(公告)号：CN103378165A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310126339.1

申请日：2013-04-12

Applicant: 三星显示有限公司 ,  国民大学校算学协力团

Inventor： 林志勋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴埈贤 ,  李制勋 ,  朴在佑 ,  金大奂 ,  郑贤广 ,  金在亨

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种薄膜晶体管包括：栅电极；设置为覆盖栅电极的第一绝缘层；半导体层，设置在第一绝缘层上，该半导体层包括第一侧表面部分；源电极，设置在半导体层上；以及漏电极，设置在第一绝缘层上，该漏电极包括第二侧表面部分。第一侧表面部分与第二侧表面部分接触。