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公开(公告)号：CN101515563B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810176387.0
申请日：2008-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76849 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76867 , H01L21/76886 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种覆盖层的制造方法及半导体装置。上述包括铜、氮以及硅和/或锗的覆盖层的制造方法，该覆盖层设置于一铜导电结构上，包括利用暴露铜导电结构于包含锗烷和/或硅烷的一环境下，于该铜导电结构上形成至少一覆盖层，形成该至少一覆盖层的温度介于200℃至400℃之间；进行一氨气等离子体处理步骤，以形成一至少一部分氮化的覆盖层；于该至少一部分氮化的覆盖层上形成一介电阻障层；于形成该至少一覆盖层的步骤之前，对该铜导电结构进行一预备退火步骤，进行该预备退火步骤的温度介于250℃至450℃之间。本发明可避免不良的黏着力和阻障特性、产生硅和/或锗进入铜导电结构的扩散(掺质)路径。
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公开(公告)号：CN105702667B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201510943619.0
申请日：2015-12-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L23/62 , H01L29/872 , H01L21/329
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开提供一种中介层及其制造方法、电子装置和保护装置，中阶层包括具有一半导体基底以及电性连接基底通孔电极的一接面金属。该半导体基地包括一主表面及至少局部穿过该半导体基底的一基底通孔电极。接面金属与位于半导体基底的一主表面的一掺杂区接触而构成一肖特基二极管。本公开又提供一种电子装置，其包括上述中介层，也提供使用中介层的一种保护装置，其提供一放电路径通过肖特基二极管至半导体基底，以及提供一种包括半导体基底及肖特基二极管的中介层的制造方法。本公开在所需的工艺步骤最少化下提供额外的功能。
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公开(公告)号：CN101425457B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810173842.1
申请日：2008-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心 , 鲁汶天主教大学(KUL)研究开发部
CPC classification number: H01L21/28167 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/28194 , H01L21/28211 , H01L21/3141 , H01L21/31645 , H01L21/31654 , H01L29/42364 , H01L29/513 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种高介电常数栅极介电材料的形成方法与半导体元件，该方法包括下列步骤：提供一半导体基材；清洗该基材；对该基材进行一热处理，其中该热处理在一无氧化环境中进行，导致形成一薄界面层；以及沉积一高介电常数材料于薄界面层之上。本发明的方法能产生均匀且薄的、具有适当的末端的界面层，使其能够相容于后续高介电常数(high-k)材料的沉积，并能改善界面层的粗糙度与品质。同时，本发明的结构能增进在半导体元件中的电荷载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN100580883C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810001342.X
申请日：2008-01-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电层；形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上；形成至少一金属电极层于该稀土元素氧化层上；以及于形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上后，进行退火工艺，以在该含硅的介电层及该稀土元素氧化层之间至少部分区域形成稀土硅酸盐层，其中在形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上之前，并没进行退火工艺。本发明在等效栅极氧化层厚度变薄及有效功函数偏移方面的结果可得到优异的成效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101515563A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810176387.0
申请日：2008-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76849 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76867 , H01L21/76886 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种覆盖层的制造方法及半导体装置。上述包括铜、氮以及硅和/或锗的覆盖层的制造方法，该覆盖层设置于一铜导电结构上，包括利用暴露铜导电结构于包含锗烷和/或硅烷的一环境下，于该铜导电结构上形成至少一覆盖层，形成该至少一覆盖层的温度介于200℃至400℃之间；进行一氨气等离子体处理步骤，以形成一至少一部分氮化的覆盖层；于该至少一部分氮化的覆盖层上形成一介电阻障层；于形成该至少一覆盖层的步骤之前，对该铜导电结构进行一预备退火步骤，进行该预备退火步骤的温度介于250℃至450℃之间。本发明可避免不良的黏着力和阻障特性、产生硅和/或锗进入铜导电结构的扩散(掺质)路径。
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公开(公告)号：CN101494200A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910002600.0
申请日：2009-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/823462 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/513
Abstract: 一种双功函数半导体装置及其制造方法。该装置包含：一第一晶体管于一基底的一第一区上，其具有一第一栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构具有一第一有效功函数；以及一第二晶体管于基底的一第二区上，其具有一第二栅极堆叠结构，第二栅极堆叠结构具有一第二有效功函数；其中第一栅极堆叠结构与第二栅极堆叠结构各具有一主介电质、一栅极、与一第二介电顶盖层，且第二栅极堆叠结构还额外具有一第一介电顶盖层；第一介电顶盖层是决定第二介电顶盖层的第二有效功函数；第二介电顶盖层不会对第二栅极堆叠结构的第二有效功函数造成实质影响；以及金属层是与第二介电顶盖层一起决定第一栅极堆叠结构的第一有效功函数。本发明具有优异的半导体性能。
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公开(公告)号：CN103700630A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310382195.6
申请日：2008-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心 , 三星电子股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/82345 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭示一种简化的双功函数半导体装置及其制造方法，该方法其始于一单一金属栅极，进而完成装置本身的制造。一单一金属单一介电质的互补式金属氧化物半导体集成电路系统中，先沉积具有一栅介电层与一介电顶盖层的一单一介电质堆叠结构及其上的一金属层，而形成一金属-介电质界面。在形成上述介电质堆叠结构与上述金属层后，立即借助在至少部分的上述介电顶盖层加入功函数调整元素而对其作选择性地改质，上述部分是邻接于上述金属-介电质界面。本发明的优点在于其集成电路的绕线不需要选择性的金属蚀刻或选择性的介电顶盖层蚀刻，以维持上述金属-介电质界面，并避免上述选择性的蚀刻所造成的介电质损伤。
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公开(公告)号：CN101471303A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810173352.1
申请日：2008-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/82345 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/7845
Abstract: 一种制作双功函数半导体元件的方法，包括提供具有第一区与第二区的基底，于第一区与第二区上形成栅极介电层，于栅极介电层上形成金属栅极层，其中金属栅极层具有第一(初镀)功函数，第一(初镀)功函数可以通过于其上引发应变而调整，以及选择性形成第一应变导电层于第一区的金属栅极层上，第一应变导电层施加选定的应变于金属栅极层上，因而引发第一区的金属栅极层的第一(初镀)功函数产生第一预定功函数偏移(ΔWF1)。本发明还提供以上述方法而制得的双功函数半导体元件。本发明能够使金属氧化物半导体场效应晶体管元件中的启始电压得到改善，并且工艺简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN101308788A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810001342.X
申请日：2008-01-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 跨大学校际微电子卓越研究中心
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电层；形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上；形成至少一金属电极层于该稀土元素氧化层上；以及于形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上后，进行退火工艺，以在该含硅的介电层及该稀土元素氧化层之间至少部分区域形成稀土硅酸盐层，其中在形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上之前，并没进行退火工艺。本发明在等效栅极氧化层厚度变薄及有效功函数偏移方面的结果可得到优异的成效。
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