公开(公告)号：CN105702667A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510943619.0

申请日：2015-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 戈尔特·海灵 ,  迪米特里·林腾 ,  李介文

IPC: H01L23/62 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/62 ,  H01L29/66143

Abstract: 本公开提供一种中介层及其制造方法、电子装置和保护装置，中阶层包括具有一半导体基底以及电性连接基底通孔电极的一接面金属。该半导体基地包括一主表面及至少局部穿过该半导体基底的一基底通孔电极。接面金属与位于半导体基底的一主表面的一掺杂区接触而构成一肖特基二极管。本公开又提供一种电子装置，其包括上述中介层，也提供使用中介层的一种保护装置，其提供一放电路径通过肖特基二极管至半导体基底，以及提供一种包括半导体基底及肖特基二极管的中介层的制造方法。本公开在所需的工艺步骤最少化下提供额外的功能。

公开(公告)号：CN105702667B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201510943619.0

申请日：2015-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 戈尔特·海灵 ,  迪米特里·林腾 ,  李介文

IPC: H01L23/62 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供一种中介层及其制造方法、电子装置和保护装置，中阶层包括具有一半导体基底以及电性连接基底通孔电极的一接面金属。该半导体基地包括一主表面及至少局部穿过该半导体基底的一基底通孔电极。接面金属与位于半导体基底的一主表面的一掺杂区接触而构成一肖特基二极管。本公开又提供一种电子装置，其包括上述中介层，也提供使用中介层的一种保护装置，其提供一放电路径通过肖特基二极管至半导体基底，以及提供一种包括半导体基底及肖特基二极管的中介层的制造方法。本公开在所需的工艺步骤最少化下提供额外的功能。