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公开(公告)号：CN1248292C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN02124062.0
申请日：2002-06-18
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/311 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N+凹槽自对准加工方法，它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备，采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程，制造得到栅凹槽自动位于N+凹槽的中心，达到栅凹槽与N+凹槽二者自对准的加工目的。使常规工艺流程中两次光刻、套刻对准简化为一次光刻，降低了工艺难度和降低了加工成本，同时提高了成品率。本发明既能保证半导体器件有较高的击穿电压，又能保证半导体器件有较高的增益、输出功率和工作频率，大大提高了器件的性能。特别适用于大圆片半导体器件的生产制造，可推广应用。
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公开(公告)号：CN1391118A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02135279.8
申请日：2002-07-25
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种静电式微机械全光开关制造方法，涉及光电子技术领域中的全光开关器件的制造。本发明在N型单晶硅衬底上采用微电子大规模集成制造工艺技术制作全光开关的定齿、动齿、定动齿驱动电极、折叠悬梁、三角平衡梁、中间梁、硅微镜、垂直槽、V形槽等各部件。它利用在静电力作用下，使硅微镜在光纤内移动，达到硅微镜阻断或反射光纤光，从而对光达到开关作用。在光开关过程中，不存在光电转换，是一种全光开关。本发明还具有工艺简单成熟，制造成本低廉，能大批量生产等特点，制造的全光开关器件具有结构简单、可靠性好、体积小、重量轻、能耗低等优点，特别适用于高速大规模的全光光纤通信网络中作全光开关器件的制造。
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公开(公告)号：CN1188722C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN02135279.8
申请日：2002-07-25
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: G02B6/35
Abstract: 本发明公开了一种静电式微机械全光开关制造方法，涉及光电子技术领域中的全光开关器件的制造。本发明在N型单晶硅衬底上采用微电子大规模集成制造工艺技术制作全光开关的定齿、动齿、定动齿驱动电极、折叠悬梁、三角平衡梁、中间梁、硅微镜、垂直槽、V形槽等各部件。它利用在静电力作用下，使硅微镜在光纤内移动，达到硅微镜阻断或反射光纤光，从而对光达到开关作用。在光开关过程中，不存在光电转换，是一种全光开关。本发明还具有工艺简单成熟，制造成本低廉，能大批量生产等特点，制造的全光开关器件具有结构简单、可靠性好、体积小、重量轻、能耗低等优点，特别适用于高速大规模的全光光纤通信网络中作全光开关器件的制造。
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公开(公告)号：CN1153046C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN01129222.9
申请日：2001-06-15
Applicant: 清华大学 , 信息产业部电子第十三研究所
Abstract: 本发明属于传感器技术领域。涉及双向合成喷射流陀螺仪。采用两股速度相反的完全相同的由带驱动器的振动膜、合成喷腔体和喷口构成的合成喷射流源，一对或者多对温度传感器对称布置在合成喷射流的中心线两侧，该温度传感器的位置位于喷口直径9-15倍距离外。本发明无论在匀角速度和非匀角速度情况下，都能顺利地检测角速度，结构简单，寿命长，可以采用微加工技术，加工方便，成本低。灵敏度和分辨率较高。本发明适合于不同场合下的应用，特别是工作环境恶劣的情况。
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公开(公告)号：CN1383190A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02124062.0
申请日：2002-06-18
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/311 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N+凹槽自对准加工方法,它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备,采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程,制造得到栅凹槽自动位于N+凹槽的中心,达到栅凹槽与N+凹槽二者自对准的加工目的。使常规工艺流程中两次光刻、套刻对准简化为一次光刻,降低了工艺难度和降低了加工成本,同时提高了成品率。本发明既能保证半导体器件有较高的击穿电压,又能保证半导体器件有较高的增益、输出功率和工作频率,大大提高了器件的性能。特别适用于大圆片半导体器件的生产制造,可推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1312583A
公开(公告)日：2001-09-12
申请号：CN01110768.5
申请日：2001-04-20
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种分子束外延自组织生长量子线结构材料制备方法。它利用分子束外延技术和高面指数衬底本身不平整性的特点,在控制好一定的生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等生长条件下,在分子束外延设备中自组织一次外延制备量子线结构材料。它不涉及光刻、外延层腐蚀等复杂工艺,制备工艺简单,可重复性强,制造成本低。利用本方法制备的量子线具有高密度、高均匀性及良好的一维特性。可应用于固体光电子和微电子等器件。
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公开(公告)号：CN2555511Y
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02268460.3
申请日：2002-07-25
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种静电式微机械全光开关，涉及光电子技术领域中的光开关器件。它由N型单晶硅衬底、定齿、动齿、定齿和动齿驱动电极、折叠悬梁、三角平衡梁、中间梁、金属层、浓硼层、光纤、硅微镜、垂直槽、V形槽等部件组成。它采用在静电力的作用下，使硅微镜在光纤内移动，达到硅微镜阻断或反射光纤光，从而对光达到开关作用。在光开关过程中不存在光电转换，是一种全光开关。本实用新型还具有功耗低、结构简单、体积小，重量轻、易集成，及采用微电子工艺大批量生产等特点，还可制成多种光开关阵列，特别适用于高速大规模的全光光纤通信网络中作全光开关器件。
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公开(公告)号：CN2473786Y
公开(公告)日：2002-01-23
申请号：CN01220203.7
申请日：2001-04-26
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: H01S3/0941
Abstract: 本实用新型公开了一种半圆柱面形发光面的半导体激光器阵列,它有固体激光棒、半导体激光器阵列、制冷器、散热器、激光器线阵列等部件构成,它采用半圆柱面形发光面的半导体激光器阵列做泵浦源,使固体激光棒对泵浦光源的吸收均匀,提高了泵浦效率,明显改善了固体激光器输出光斑的均匀性,并且本实用新型还具有结构简单,制作容易,成本低廉,使用方便等特点,特别适用于作固体激光棒侧泵应用的泵浦源。
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公开(公告)号：CN2554790Y
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02238087.6
申请日：2002-07-03
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: H01H50/54
Abstract: 本实用新型公开了一种自适应触点的微机械继电器，它涉及半导体器件领域中硅继电器器件。它由基板、驱动电极、接触电极、单晶硅簧片、绝缘层、自适应触点等部件构成。它采用驱动电极上施加电压时，静电力驱动单晶硅簧片和其上的自适应触点与接触电极产生接触通/断动作，同时自适应触点在接触力作用下产生变形，保证微机械继电器的多个触点同时接触，完成继电器的通/断作用。本实用新型采用微电子加工技术，具有结够简单、体积小、重量轻、成本低、一致性好、电性能可靠等特点，便于批量生产，适合电子线路领域中的自动测试电路、切换电路等应用场合，作为继电器开关器件。
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公开(公告)号：CN2499962Y
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01259394.X
申请日：2001-09-07
Applicant: 信息产业部电子第十三研究所
IPC: H01H35/02
Abstract: 本实用新型公开了一种水银式微机械惯性开关,涉及传感器领域中的一种开关器件。它由底顶晶片、中间上下晶片、水银腔体、空腔体、沟道、水银珠、电极等部件组成。它采用的原理是该器件承受加速度时,当达到一定阀值,水银腔体中水银珠通过沟道运动到空腔体中接通电极,达到开关作用。它具有无源工作、性能可靠、结构简单、重量轻、体积小、成本低、采用微电子加工技术便于批量生产等特点,特别适用于炮弹、导弹引信上作引信惯性保险开关及作民用产品惯性开关装置。
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