公开(公告)号：CN210429794U

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201921540453.8

申请日：2019-09-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 苏梨梨 ,  曹俊 ,  敖利波 ,  廖勇波 ,  史波 ,  童圣双

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体模块及封装结构，包括：芯片和基板，所述芯片设置于所述基板上，且所述芯片通过导电薄片与所述基板上的引脚电性连接，本实用新型采用导电薄片相较于现有技术中单根金属丝，增大了接触面积，从而增强了电流的流通能力，有效增强散热，提高电流效率，减低功率损耗，提高可靠性，亦避免使用多根金属丝时所产生的较大寄生系数，同时，无需在芯片表面打线，减少对芯片的损伤，从而简化工艺步骤，最终提高生产效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209804659U

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201822065217.7

申请日：2018-12-10

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹 ,  廖勇波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT芯片的产品结构，包括：在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方，设置有打线区域（4），且所述打线区域（4）处未刻蚀沟槽（6）。本实用新型的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208507649U

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201821102241.7

申请日：2018-07-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  敖利波

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本实用新型提供了一种电子元件封装结构及电器设备，涉及电子元件技术领域，解决了现有技术中存在的封装结构吸湿率大导致的电子元件可靠性降低的技术问题。电子元件封装结构包括电子元件、载体和水汽隔离层，所述电子元件安装在所述载体上，所述水汽隔离层覆盖于所述电子元件的外侧以及所述电子元件的周围载体上；所述水汽隔离层至少能够防止水汽沿所述电子元件的上方和周围入侵所述电子元件。通过在电子元件之外以及电子元件周围的载体上设置水汽隔离层来防止水汽入侵电子元件，还能缓冲电子元件的内部应力，提高电子元件的可靠性，延长电子元件的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利