低剖面高隔离度双极化基站天线

    公开(公告)号:CN111342206A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN202010163864.0

    申请日:2020-03-11

    Abstract: 本发明公开了低剖面高隔离度双极化基站天线,其特征在于,该天线包括第一基板(1)、铜反射板(4)、设置在该第一基板(1)上表面的辐射贴片(5)以及设置在该第一基板(1)与铜反射板(4)之间的馈电部分;其中:所述馈电部分至少包括第二基板(2)和第三基板(3),所述第二基板(2)和第三基板(3)以±45°相互垂直交叉并以平面垂直的方式与所述第一基板(1)和铜反射板(4)固定连接;所述第二基板(2)和第三基板(3)设置相同贴片层并分别形成第一环天线和第二环天线,所述第一环天线和第二环天线以±45°相互垂直;所述第一同轴馈线(8)和第二同轴线(13)分别与所述第一环天线和第二环天线电气连接。本发明具有超宽带、低剖面、高隔离度、小型化、高增益等有益效果。

    一种激光散热装置及其制备方法、固体激光器

    公开(公告)号:CN111106509A

    公开(公告)日:2020-05-05

    申请号:CN201911348093.6

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本说明书实施例公开了一种激光散热装置及其制备方法和固体激光器,该装置包括:衬底;位于所述衬底一表面的光学高反层,其中,所述光学高反层具有全反射结构;位于所述光学高反层之上的传热层,所述传热层包含多个呈阵列式排布的传热单元,相邻传热单元之间形成传热通道,每个所述传热单元之上设置有支撑单元;所述传热层通过所述多个传热单元将固体激光器产生的热量传导出去,同时,通过阵列式排布形成的传热通道将固体激光器产生的热量扩散出去。从而,有效提升散热效果,提高激光反射率,从整体上提升激光器件的性能。

    基于Ⅲ-Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及制作方法

    公开(公告)号:CN111106204A

    公开(公告)日:2020-05-05

    申请号:CN201911259202.7

    申请日:2019-12-10

    Abstract: 本发明公开了一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及制作方法,探测器包括漏极、源极、第一半导体层、第二半导体层、位于第一和第二半导体界面处的二维电子气、衬底及缓冲层、TiO2悬浮栅极以及Ti金属层,其中,第一半导体层的下表面设置第二半导体层;第二半导体层的下方设置衬底及缓冲层;TiO2悬浮栅极位于第一半导体层的上表面,且处于所述源极和漏极之间;源极和漏极位于第一半导体层的上表面的两侧;源极和漏极与第一半导体形成欧姆接触;第一半导体层和第二半导体层之间形成异质结沟道,并由于极化作用产生高密度的二维电子气。本发明的紫外探测器具有高灵敏度的紫外探测性能,响应快、制作方法简单、稳定性好。

    一种多通道输出可调延时的时钟发生器

    公开(公告)号:CN111061336A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201911278677.0

    申请日:2019-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种多通道输出可调延时的时钟发生器,包括时钟部分和上位机部分,二者通过USB接口通信,其中,所述时钟部分包括USB接口、USB控制器、MCU、时钟控制器、巴伦组件、接口组、晶振和LED组,所述时钟控制器与MCU、晶振和巴伦组件分别连接;所述MCU还与USB控制器和LED组连接;所述USB控制器与USB接口连接;所述巴伦组件与接口组连接。本发明在至少4通道同步输出同频率信号的情况下,能够以其中某一通道作为参考系,其他通道进行不同时间的延时,实现4路同频不同相位输出的时钟发生器。

    一种到达角估计的装置及方法

    公开(公告)号:CN110824414A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201910974901.3

    申请日:2019-10-14

    Inventor: 李航 程知群

    Abstract: 本发明公开了一种到达角估计的装置及方法,装置包括信号转换模块、混合双极化天线阵列和到达角估计模块,信号转换模块将所述混合双极化天线阵列接收到的模拟信号波束成型并转换为数字信号;到达角估计模块将多个信号转换模块的输出进行信号处理,并估计来波到达角,到达角估计模块包括互相关计算子模块、子阵相位控制子模块、数字波束成型子模块和功率计算子模块。本发明利用混合双极化阵列输出信号合并,提高接收信号信噪比,使得到达角估计精度及收敛速度性能提高。

    基于多指栅结构的太赫兹辐射源器件及其调控方法

    公开(公告)号:CN110676673A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201911093181.6

    申请日:2019-11-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于多指栅结构的太赫兹辐射源器件及其调控方法。该太赫兹辐射源器件包括沟道层、沟道提供层、源极和漏极,该沟道层中感生有二维电子气(2DEG)沟道;且在沟道提供层上交替排布有两组栅极,当在该两组栅极上分别施加不同电压时,则位于该两组栅极下方的沟道区域及位于任意两个相邻栅极之间区域正下方的沟道区域中的2DEG浓度将存在差异,从而在这些沟道区域之间形成2DEG浓度差界面,继而若在源、漏极之间加载电压,将在沟道中构建周期性浓度差的驻波振荡结构,由此产生太赫兹辐射。本发明的太赫兹辐射源器件具有易于激发、高功率、可调制和便于小型化等优点,辐射频率可以在0.3THz-1.9THz范围内调整,轻便、易于集成,适于在多个领域广泛应用。

    一种基于改进负载调制网络拓展带宽的Doherty功率放大器及其实现方法

    公开(公告)号:CN106411266B

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201610888848.1

    申请日:2016-10-12

    Abstract: 本发明提供一种基于改进负载调制网络拓展带宽的Doherty功率放大器及其实现方法,等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给主功率放大电路和辅助功率放大电路,主功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长阻抗变换器T1,辅助功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长阻抗变换器T3,合路后将功率输出给负载,合路输出端并接四分之一波长短接线T2。相对于现有技术,本发明通过改进传统Doherty功率放大器的负载调制网络同时在输出端并联四分之一波长短接线方案,减小了负载调制网络的阻抗变换比,有效地抑制负载阻抗随频率的漂移,极大地拓宽了Doherty功率放大器的工作带宽。

    一种宽带三路Doherty功率放大器及其实现方法

    公开(公告)号:CN106411267B

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201610889946.7

    申请日:2016-10-12

    Abstract: 本发明提供一种宽带三路Doherty功率放大器及其实现方法,其中,三路等分功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路、第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路,载波功率放大电路的输出端接86.6欧四分之一波长阻抗变换器T1,并与第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路的输出端相连接合路将功率输出给负载。相对于现有技术,本发明通过改进传统三路Doherty功率放大器的负载调制网络,减小了负载调制网络的阻抗变换比且缩小了Doherty功率放大器的尺寸,同时将峰值支路的补偿线加入到峰值输出匹配电路中,减小整体峰值输出匹配电路的品质因数,极大地拓宽了三路Doherty功率放大器的工作带宽。

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