一种区分Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的方法

    公开(公告)号:CN107819067A

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201710888588.2

    申请日:2017-09-27

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H01L43/06 G01R19/00

    Abstract: 本发明涉及一种区分Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的方法。该方法在钛酸锶衬底的(111)晶面上生长拓扑绝缘体Bi2Se3;而后用高斯分布的圆偏振激光在垂直入射的情况下激发拓扑绝缘体Bi2Se3的体态和表面态的光致逆自旋霍尔效应电流,测得当光斑位置在两电极连线的垂直平分线上移动时的光致逆自旋霍尔效应电流;最后,通过建立区分拓扑绝缘体Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的定量拟合模型,并进行模型拟合,得到体态和表面态的光致逆自旋霍尔电流。本发明方法,十分简单易行,成本低廉,有利于日后推广应用;且所得结果准确。

    一种基于机器视觉的多运动目标快速测距方法

    公开(公告)号:CN107741231A

    公开(公告)日:2018-02-27

    申请号:CN201710940904.6

    申请日:2017-10-11

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: G01C21/20 G06K9/00624

    Abstract: 本发明涉及一种基于机器视觉的多运动目标快速测距方法。该方法首先对图像训练集中标注框(Ground Truth Box)与实际距离进行拟合,并保存其测距模型,接着利用实时检测算法SSD(Single Shot MultiBox Detector)对特定目标所产生的检测框(Bounding Box)进行高度提取并输入到测距模型中,从而实时地获取多个目标的测量距离。本发明所提出的多运动目标快速识别及测距方法,能够高效、实时地对特定多个目标进行识别与测距。相较其他ETA测距系统更适合盲人,更加实用,其拥有较好的应用前景以及实际工程的应用价值。

    一种手臂惯性式动作捕捉数据融合方法

    公开(公告)号:CN104699987B

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201510138295.3

    申请日:2015-03-27

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种手臂惯性式动作捕捉数据融合方法,其特征在于:基于D‑H模型,改用四元数表示人体手臂姿态,建立一种人体手臂四元数模型,以此模型进行数据融合,降低运算量;采用分状态的融合算法,首先利用角速度数据将手臂运动状态分为运动和静止两种,运动状态下使用角速度数据融合,静止状态下使用融合速度相对较慢的加速度和磁通量数据进行数据融合,进一步降低融合运算量,使得惯性式动作捕捉系统能够在嵌入式平台上运行。

    一种基于手机短消息控制的动态智能门禁系统

    公开(公告)号:CN107134028A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710277084.7

    申请日:2017-04-25

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于手机短消息控制的动态智能门禁系统,包括STM32控制器、键盘输入模块、RC522射频采集模块、温度采集模块、LCD显示模块、GSM短信模块、继电器模块。用户可以通过手机短信的形式向系统发送不同指令,实现短信开锁、验证码开锁、时效码开锁、按键休眠/解除休眠、读卡器休眠/解除休眠功能,增加了门禁开锁形式的多样化,更进一步满足用户在不同环境不同场合的不同需求。

    调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法

    公开(公告)号:CN106783966A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710017041.5

    申请日:2017-01-11

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H01L29/66984 H01L43/12

    Abstract: 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法。该方法通过改变样品温度有效调控了GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合,具体:首先,用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品,并沉积铟电极;其次,调整光路,使1064nm波长的激光入射到GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品上,使激光光斑位于所述样品两个电极中间,并使激光入射角为30°;最后,将所述样品置于杜瓦瓶中,使样品温度由77K至室温300K变化,测量样品随温度变化的Dresselhaus自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。本发明方法可行性高,调控效果显著,且实施简便。

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