公开(公告)号：CN107180608A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710387196.8

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润

IPC: G09G3/3208 ,  G09G3/36 ,  G11C19/28

Abstract: 本发明涉及移位寄存器和显示装置以及其驱动方法。移位寄存器或者包含该移位寄存器的显示装置的功率消耗被降低。时钟信号由多条布线，而不是由一条布线来供应给移位寄存器。该多条布线中的任一条仅在移位寄存器的操作时段的部分时间内，而不是在移位寄存器的整个操作时段内供应时钟信号。因此，由供应时钟信号所引起的容量负载能够得以降低，从而使得移位寄存器的功率消耗降低。

公开(公告)号：CN103985760B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201410239460.X

申请日：2010-12-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/12 ,  G11C13/00 ,  H01L27/11 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L27/1052 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个实施例的目的在于提供一种在数据存储期间中即使当没有电力供给时也可以存储所存储数据且对写入次数没有制限的新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：包含使用氧化物半导体以外的半导体材料的第一沟道形成区域的第一晶体管；包含使用氧化物半导体材料的第二沟道形成区域的第二晶体管；以及电容器，其中，第二晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个与电容器的一个电极电连接。

公开(公告)号：CN102194893B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201110144092.7

申请日：2009-12-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  小山润

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体器件及其制造方法。提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。

公开(公告)号：CN102739236B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201210115117.5

申请日：2012-04-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智 ,  远藤正己 ,  盐野入丰 ,  傅保洋树 ,  西岛辰司 ,  大岛和晃 ,  米田诚一 ,  小山润

IPC: H03K19/20 ,  G11C16/06 ,  G11C11/4063

CPC classification number: H03K19/17796 ,  G11C16/0433 ,  H01L27/11803 ,  H01L27/1203

Abstract: 本公开涉及可编程LSI。提供可以进行动态配置的低功率可编程LSI。该可编程LSI包括多个逻辑元件。这些多个逻辑元件每个包括配置存储器。这些多个逻辑元件的每个根据存储在配置存储器中的配置数据进行不同的运算处理并且改变这些逻辑元件之间的电连接。该配置存储器包括易失性存储电路和非易失性存储电路的设置。该非易失性存储电路包括：晶体管，其的沟道在氧化物半导体层中形成；和电容器，其一对电极中的一个电极电连接到当晶体管关断时被设置处于浮动状态的节点。

公开(公告)号：CN103985765B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201410242413.0

申请日：2009-12-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  小山润

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。

公开(公告)号：CN104022115B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410108335.5

申请日：2010-12-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: H01L27/108 ,  G11C11/401

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/26 ,  H01L21/84 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/11803 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种具有新的结构的半导体装置，其中，在数据存储时间中即使没有电力供给也能够存储存储内容并且对写入次数也没有限制。该半导体装置包括：包括第一源电极以及第一漏电极、与第一源电极以及第一漏电极电连接且使用氧化物半导体材料的第一沟道形成区域、第一沟道形成区域上的第一栅极绝缘层以及第一栅极绝缘层上的第一栅电极的第一晶体管。第一晶体管的第一源电极和第一漏电极之一与电容器的一个电极彼此电连接。

公开(公告)号：CN106298794A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610883736.7

申请日：2011-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  G11C11/403 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C14/0018 ,  G11C8/08 ,  G11C11/401 ,  G11C11/403 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/34 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225

Abstract: 存储器件及半导体器件。提供一种能够长时间保持数据的存储器件。存储器件包括存储元件及晶体管，晶体管用作为开关元件，用以控制存储元件中的电荷的供应、存储及释出。晶体管包括用以控制阈值电压的第二栅电极以及普通栅电极。此外，由于晶体管的活性层包含氧化物半导体，因此晶体管的截止状态电流极低。在存储器件中，不通过在高电压下将电荷注入至绝缘膜围绕的浮动栅极，而是通过经由截止状态电流极低的晶体管来控制存储元件的电荷量，来存储数据。

公开(公告)号：CN106200185A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610843907.3

申请日：2010-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  三宅博之 ,  津吹将志 ,  野田耕生

IPC: G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G09G3/3611 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3674 ,  G09G3/3677 ,  G09G5/18 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2320/103 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/022 ,  G09G2330/027 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。

公开(公告)号：CN101702303B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN200910221780.1

申请日：2001-04-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  纳光明 ,  长田麻衣

IPC: G09G3/3233

CPC classification number: H01L27/3244 ,  G09G3/2022 ,  G09G3/3258 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0866 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2310/027 ,  G09G2310/0281 ,  G09G2320/029 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/028 ,  H01L27/32

Abstract: 本申请涉及显示器件。本发明的目的是抑制EL显示器的功耗。按照象素部分显示的图像亮度，确定图像的对比度是否要反相，并减少输入到象素部分的数字视频信号的位数，借助于提供具有另一个用来监视温度的EL元件的EL显示器，即使EL层的温度改变，也可使流过EL元件的电流的幅度保持不变。

公开(公告)号：CN105789204A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610148642.5

申请日：2010-12-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/115 ,  H01L21/84 ,  H01L27/118 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/26 ,  H01L21/84 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/11803 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种具有新的结构的半导体装置，其中，在数据存储时间中即使没有电力供给也能够存储存储内容并且对写入次数也没有限制。该半导体装置包括：包括第一源电极以及第一漏电极、与第一源电极以及第一漏电极电连接且使用氧化物半导体材料的第一沟道形成区域、第一沟道形成区域上的第一栅极绝缘层以及第一栅极绝缘层上的第一栅电极的第一晶体管。第一晶体管的第一源电极和第一漏电极之一与电容器的一个电极彼此电连接。