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公开(公告)号：CN102882514B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210380759.8
申请日：2012-10-09
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明实施例公开了与逻辑电路和芯片，该电路包括：阻变忆阻器阵列和比较器；阻变忆阻器阵列中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使同一列阻变忆阻器的正相输入端作为与逻辑电路的信号输入端或辅助信号输入端，辅助信号输入端工作时连接到低电平；阻变忆阻器阵列中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个比较器的输入端相连接，以使比较器的输出端作为与逻辑电路的信号输出端；比较器的输入端接收到的电压大于阈值电压时，比较器的输出端输出高电平，比较器的输入端接收到的电压小于阈值电压时，比较器的输出端输出低电平。本发明实施例中，在节省与逻辑电路所占面积的同时，实现了与逻辑电路可编程的性能。
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公开(公告)号：CN102882513B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210380756.4
申请日：2012-10-09
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明实施例公开了全加器电路和芯片，该电路包括：第一异或电路、第二异或电路和进位电路；其中，第一异或电路的输入端作为全加器电路的信号输入端；第二异或电路的一组输入端与第一异或电路的输出端相连接，第二异或电路的另一组输入端作为全加器电路的进位输入端，第二异或电路的输出端作为全加器电路的信号输出端；进位电路的输入端作为全加器电路的信号输入端，进位电路的输出端与全加器电路的进位输入端相连接；第一异或电路、第二异或电路和进位电路中的至少一个包括阻变忆阻器阵列。本发明实施例中，在节省全加器电路所占面积的同时，实现了全加器电路可编程的性能。
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公开(公告)号：CN102569337B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210068383.7
申请日：2012-03-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法。本发明采用有机二极管作为驱动管，制备工艺简单，占用面积小，方便等比例缩小。本发明的材料均采用柔性透明的材料，除了具有阻变存储器本身的特性外，还具备柔性、透明等优点，尤其是解决了存储器在集成阵列中串扰的问题，制备的存储阵列可广泛应用在电子纸张、柔性透明显示及其他相关电子系统中。本发明以有机材料取代了传统的昂贵笨重的硅和其他无机材料，是适应未来发展的绿色环保器件，还秉承了有机半导体材料质轻、成本低的优点，而且器件是全透明结构，可通过透明的封装工艺将其制作在透明设备或物品上，尤其可推动新一代显示技术。
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公开(公告)号：CN102610755B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210082206.4
申请日：2012-03-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法，属于属于有机电子学和CMOS混合集成电路技术领域。该器件制备在衬底上，器件单元为MIM电容结构，该MIM结构的底层为金属或非金属导电薄膜等惰性电极，顶层为金属Al等活性电极，中间功能层为多次淀积生长的聚对二甲苯聚合物膜。本发明由于采用了多次淀积生长的聚对二甲苯聚合物膜作为功能层，存储器的编程电流小于0.5uA，存储器的擦除电流降至10nA左右或更低，实现有机阻变存储器的超低功耗操作。
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公开(公告)号：CN102364689B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110320029.4
申请日：2011-10-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/423 , H01L21/28 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 本发明提供一种闪存器件的浮栅结构及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明通过在标准闪存工艺中改变浮栅的制作方式，加入三步淀积，两步刻蚀和一步CMP，形成“工”字形浮栅。除此之外其他步骤都和标准闪存工艺相同。本发明可以在不增加额外的光刻板，几乎不增加工艺复杂度的情况下，有效提高耦合系数，降低相邻器件之间的串扰，对提高闪存的编程速度和可靠性有重要作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859602B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010199022.7
申请日：2010-06-04
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G11C16/0433 , H01L27/11526
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式非挥发存储器单元及其工作方法、存储阵列，属于存储器技术领域。本方法为：将选择晶体管的栅极作为存储器的浮栅，其源、漏电极作为存储器的源、漏电极，然后通过电极电压的变化改变器件的阈值，实现信息的存储和变化；本非挥发存储单元为在P阱层上制作存储单元，N阱层环绕P阱层，深N阱层位于N阱层和P阱层的下方，并与N阱层相连；本存储阵列包括若干存储单元，每一存储单元内，选择管的栅极与存储阵列的字线连接，其源/漏端与非挥发存储单元的源/漏端连接，另一源/漏端与存储阵列的公共源端连接，非挥发存储单元的另一源/漏端与存储阵列的位线连接。本发明具有面积设计小，工作电压低，工作速度高，可靠性强。
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公开(公告)号：CN103258957A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310174160.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L51/0591 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L51/0035 , H01L51/102 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308
Abstract: 本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述器件以硅为衬底，器件单元为MIM电容结构，采用上下层状结构，该MIM结构的顶电极为Al，底电极为ITO，中间功能层为聚对二甲苯，其特征是，功能层的聚对二甲苯层分多次进行淀积，每两次聚对二甲苯的淀积之间进行一次Al2O3的ALD淀积，通过控制Al2O3淀积面积来形成有利于导电通道形成的薄弱区域，从而控制器件的电学特性。采用本发明，在不改变器件基本结构的条件下，有效地提高了器件的重复操作的一致性和不同器件之间的一致性。
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公开(公告)号：CN103246904A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310197061.7
申请日：2013-05-24
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G06N3/08 , G06N3/049 , G06N3/0635 , G11C11/54 , G11C13/0007
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的时间关联学习神经元电路及其实现方法。本发明利用阻变忆阻器的开关特性，当其两端被两个激励信号同步选定时，将会在器件的两端形成可以使其发生阻变的电压压降，从而实现这个突触连接的开断，实现两个激励信号的关联与否，并具有记忆特性，而且能够复述出之前的激励信号，即达到学习目的。由于阻变忆阻器的结构简单且可集成度高，能够实现大规模的物理神经元突触连接，以达到更为复杂的学习甚至逻辑功能，本发明在神经元计算中有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103035839A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210555341.6
申请日：2012-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变材料位于所述第一电极和所述第二电极之间，且同时与所述第一电极和所述第二电极接触；所述第一电极与所述衬底的接触面面积大于所述第一电极与所述阻变材料相接触的第一接触面的面积，和/或所述第二电极与所述衬底的接触面面积大于所述第二电极与所述阻变材料相接触的第二接触面的面积。本发明实施例所提供的阻变存储器，大大减小了电极与阻变材料的接触面积，从而在很大程度上减小了操作电流。
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公开(公告)号：CN103035838A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210555309.8
申请日：2012-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器件包括设置在衬底上的底电极、设置在所述底电极上的第一阻变层、设置在所述第一阻变层上的控制层及设置在所述控制层上的顶电极，所述控制层包括位于所述第一阻变层表面上的第一电极、第二电极及填充在所述第一电极和所述第二电极之间的第二阻变层，所述顶电极设置在所述第二阻变层上。本发明实施例所提供的阻变存储器件及其制备方法，可以实现阻变存储器件的多值存储，从而可以大幅度增加由阻变存储器件构成的存储器的存储密度。
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