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公开(公告)号：CN111647878B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010735304.8
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/458 , C23C16/27
Abstract: 本公开提供了一种隔热导电偏压衬底托，包括托体、石墨件、偏压电极、绝缘部。衬底放置于所述托体上表面；所述石墨件为石墨板或石墨杆；偏压电极与所述石墨件相连；绝缘部与所述石墨件下表面相连，所述绝缘部与腔体壁板相连。绝缘部包括第一绝缘件和第二绝缘件。本公开中隔热导电偏压衬底托在加热状态下，既能减少衬底温度波动，实现良好的保温效果，又能防止衬底将过多热量传递到偏压电极上引起偏压电极失效，节约电能，更加利于高质量的膜层外延生长。
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公开(公告)号：CN113054108A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110253022.9
申请日：2021-03-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种有机太阳能电池及其制备方法，该有机太阳能电池包括：有源层，包括给体、第一受体及第二受体，所述给体、第一受体及第二受体形成级联能级排列结构，其中，所述给体为聚合物给体，所述第一受体及第二受体均为非富勒烯受体。该有机太阳能电池电荷传输路径被扩充，有利于提高电荷传输效率，从而提高器件的光电转换效率。并且，由于非富勒烯受体的掺入提高了有源层的疏水性能，减缓水分子对有源层的渗透，从而提高有机太阳能电池光电转换的稳定性。
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公开(公告)号：CN113031392A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110304075.9
申请日：2021-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于小尺寸样品光刻工艺的方法。该方法包括：将待光刻的小尺寸样品放置在冷压法所用设备的压片模具上；将压片用粉末材料填充到放置有小尺寸样品的压片模具中；对压片模具施加压力，将小尺寸样品嵌入到压制所述压片用粉末材料得到的压片中，以得到压片产品。利用本发明，解决了小尺寸样品在匀胶过程中的“边缘”效应问题，提高了样品的表面利用率；解决了在小尺寸样品光刻工艺中，匀胶机和光刻机的真空吸嘴尺寸与待光刻小尺寸样品尺寸不匹配的问题；并且该方法适用于形状规则和不规则的小尺寸样品。
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公开(公告)号：CN110828627B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911126555.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/00 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供一种可协变应力AlN结构及其制备方法，所述可协变应力AlN结构自下而上包括：衬底；AlN成核层；可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层；所述制备方法包括：步骤S1：清洁衬底并进行氮化处理；步骤S2：在氮化处理后的衬底表面上制备AlN成核层；以及步骤S3：在AlN成核层上制备可协变应力AlN区，完成可协变应力AlN结构的制备。
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公开(公告)号：CN112490335A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011414698.3
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED，自下而上依次包括：衬底、AlN模板层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN接触层。AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层包括：AlyGa1‑yN量子阱层和h‑BN量子垒层；其中，AlyGa1‑yN量子阱层中Al组分y的范围为0.5≤y≤0.7，厚度为2‑4nm；h‑BN量子垒层的厚度为5‑10nm。本公开能够改善深紫外LED空穴注入困难、电子泄漏、失配应力的问题，从而提高深紫外LED发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111424241A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010438901.4
申请日：2020-05-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/26
Abstract: 本公开提供了一种热蒸发源炉，包括：整体式全包围热屏蔽筒、坩埚、加热装置、加热装置底板和温度测量装置，整体式全包围热屏蔽筒底部与源炉法兰的上法兰面相连；整体式全包围热屏蔽筒顶部与坩埚密封相连；加热装置、加热装置底板和温度测量装置均设置于整体式全包围热屏蔽筒内，加热装置对所述坩埚进行加热；温度测量装置对坩埚底部温度进行测量。本公开能够提供稳定的原子束和分子束流，并且能够避免从坩埚逸出的液态源和从生长设备内壁脱落的材料残渣等会掉落至热电偶电极或加热器电极处导致的热电偶或加热器短路，使得工作可靠性大幅提高。
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公开(公告)号：CN111048404A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911360215.3
申请日：2019-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 天津市海杰金属制品制造有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种缓冲层结构，包括：衬底；氧化物缓冲层，形成于衬底之上；氧化铱层，形成于所述氧化物缓冲层之上；铂族金属籽晶层，形成于所述氧化铱层之上；铂族金属层，形成于所述铂族金属籽晶层之上。采用碳化硅、硅以及蓝宝石等作为衬底，制备加工流程与当前半导体工艺相融合，衬底尺寸选择范围广，工艺稳定性高，可更好的满足后续要求；氧化铱的存在既降低了相邻薄膜晶体失配程度，又作为阻挡层抑制了铂族金属与氧化物缓冲层的固相反应，从而有效提高铂族金属的质量；原位制备籽晶层，避免了氧化物与空气中的氧气、水蒸气等反应，使得薄膜表面维持较好的状态，降低了后续制备铂族金属层的难度。
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公开(公告)号：CN110828627A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911126555.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/00 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供一种可协变应力AlN结构及其制备方法，所述可协变应力AlN结构自下而上包括：衬底；AlN成核层；可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层；所述制备方法包括：步骤S1：清洁衬底并进行氮化处理；步骤S2：在氮化处理后的衬底表面上制备AlN成核层；以及步骤S3：在AlN成核层上制备可协变应力AlN区，完成可协变应力AlN结构的制备。
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公开(公告)号：CN109616558A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811423181.3
申请日：2018-11-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种InAsSb量子点发光材料的制备方法，包括：准备带有偏角的衬底；在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长下限制层；在下限制层上生长一个或多个InAsSb量子点有源区；在InAsSb量子点有源区上生长上限制层，缓解现有技术中的由于Sb的表面活性剂效应易形成量子短线而导致的InAsSb量子点发光质量差的技术问题，达到了改善InAsSb量子点发光质量的技术效果。
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公开(公告)号：CN108631149A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810369450.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法，该方法包括外延片和高掺衬底片晶向对准工艺，低温金属键合工艺、半绝缘衬底腐蚀工艺等，最终成功将生长在半绝缘衬底片上的外延结构层转移到另一个高掺杂的衬底片上。本发明的方法可以保证两个键合片之间的晶向一致性，防止激光器在解理过程中由晶向各异性带来的机械损伤；并且可以防止由于腐蚀液选择性不够带来的腐蚀不均匀及过腐蚀的问题，保证腐蚀的均匀性及完整性。本发明的方法符合标准半导体工艺流程，操作简便高效，适于工业化量产。
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