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公开(公告)号：CN110828627B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911126555.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/00 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供一种可协变应力AlN结构及其制备方法，所述可协变应力AlN结构自下而上包括：衬底；AlN成核层；可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层；所述制备方法包括：步骤S1：清洁衬底并进行氮化处理；步骤S2：在氮化处理后的衬底表面上制备AlN成核层；以及步骤S3：在AlN成核层上制备可协变应力AlN区，完成可协变应力AlN结构的制备。
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公开(公告)号：CN110828627A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911126555.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/00 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供一种可协变应力AlN结构及其制备方法，所述可协变应力AlN结构自下而上包括：衬底；AlN成核层；可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层；所述制备方法包括：步骤S1：清洁衬底并进行氮化处理；步骤S2：在氮化处理后的衬底表面上制备AlN成核层；以及步骤S3：在AlN成核层上制备可协变应力AlN区，完成可协变应力AlN结构的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118064978A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410226705.9
申请日：2024-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种Si(111)衬底MOCVD制备ZrN(100)单一取向氮化锆薄膜方法，包括：将Si(111)衬底置入MOCVD设备的反应腔室中，在第一预设条件下烘烤Si(111)衬底，去除Si(111)衬底的表面氧化层和杂质；在第二预设条件下，在Si(111)上制备氮化锆成核层；在第四预设条件下，向反应腔室中通入载气携带的四(甲乙氨基)锆源料和氨气源料，在氮化锆成核层上制备氮化锆薄膜；按照预设降温速率使反应腔室内部降至室温，得到氮化锆薄膜膜层。本发明能够通过调控反应室压强、衬底加热温度、源料气体流量等MOCVD工艺参数，在Si(111)衬底上实现ZrN(100)单一择优取向、低残余应力、低电阻率且表面平整的高质量氮化锆薄膜制备。
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公开(公告)号：CN114112145B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202111330097.9
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中云宝(北京)科技有限公司
Abstract: 本公开提供一种薄膜本征应力测量方法，包括：取N个衬底，依次分别在各衬底上逐层外延1至N层薄膜，得到N个外延衬底，其中，N≥2，且N为整数，处于相同层数的薄膜相同；测量各外延衬底在室温下的曲率值，得到测量曲率值；建立各外延衬底的有限元模型，在有限元模型中计算各外延衬底在室温下的曲率值，得到计算曲率值；计算使相同层数外延衬底的测量曲率值与计算曲率值的平方和最小，逐层计算得到各层薄膜的本征应力。本公开提供的薄膜本征应力测量方法，可以准确测量III‑V族氮化物半导体材料多层薄膜结构中各层薄膜材料的本征应力，测量方法简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN112786743B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110107449.8
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上制备GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长非故意掺杂氮化镓层和n型掺杂GaN层；在n型掺杂GaN层上生长低铟组分的InGaN预应变层；在所述InGaN预应变层上生长高铟组分的InGaN/GaN多量子阱材料层；在InGaN/GaN多量子阱材料层上制备V坑结构，形成具有V坑结构阵列的InGaN/GaN多量子阱层；在具有V坑结构阵列的InGaN/GaN多量子阱层上制备p型掺杂GaN层；在p型掺杂GaN层材料表面生长一层氧化铟锡透明导电膜；以及分别在ITO透明导电膜和n型掺杂GaN层的台面上溅射金属形成欧姆接触的电极，完成基于V坑调控的橙黄光LED器件的制备。
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公开(公告)号：CN112786743A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110107449.8
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上制备GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长非故意掺杂氮化镓层和n型掺杂GaN层；在n型掺杂GaN层上生长低铟组分的InGaN预应变层；在所述InGaN预应变层上生长高铟组分的InGaN/GaN多量子阱材料层；在InGaN/GaN多量子阱材料层上制备V坑结构，形成具有V坑结构阵列的InGaN/GaN多量子阱层；在具有V坑结构阵列的InGaN/GaN多量子阱层上制备p型掺杂GaN层；在p型GaN材料表面生长一层氧化铟锡透明导电膜；以及分别在ITO透明导电膜和n型GaN层的台面上溅射金属形成欧姆接触的电极，完成基于V坑调控的橙黄光LED器件的制备。
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公开(公告)号：CN114112145A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111330097.9
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中云宝(北京)科技有限公司
Abstract: 本公开提供一种薄膜本征应力测量方法，包括：取N个衬底，依次分别在各衬底上逐层外延1至N层薄膜，得到N个外延衬底，其中，N≥2，且N为整数，处于相同层数的薄膜相同；测量各外延衬底在室温下的曲率值，得到测量曲率值；建立各外延衬底的有限元模型，在有限元模型中计算各外延衬底在室温下的曲率值，得到计算曲率值；计算使相同层数外延衬底的测量曲率值与计算曲率值的平方和最小，逐层计算得到各层薄膜的本征应力。本公开提供的薄膜本征应力测量方法，可以准确测量III‑V族氮化物半导体材料多层薄膜结构中各层薄膜材料的本征应力，测量方法简单，成本低廉。
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