一种真空计电容传感器的测量电路

    公开(公告)号:CN118961049A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411447309.5

    申请日:2024-10-16

    Abstract: 本申请属于电路测量的技术领域,公开了一种真空计电容传感器的测量电路,该测量电路包括:依次连接的二极管双T型交流电桥电路、多级放大电路、后置滤波电路和ADC采样电路;当被测腔体内的气体压力没有发生变化时,二极管双T型交流电桥电路处于平衡状态,二极管双T型交流电桥电路中无直流电信号产生;当被测腔体内的气体压力发生变化时,二极管双T型交流电桥电路处于不平衡状态,二极管双T型交流电桥电路根据气体压力变化量产生对应的直流电信号;通过测量电路中的二极管双T型交流电桥电路,对被测腔体内的气体压力变化量进行测量,提高了真空计电容传感器的测量电路的测量精度。

    半透明材料激光烧蚀模拟方法及相关设备

    公开(公告)号:CN118296853B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410681168.7

    申请日:2024-05-29

    Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域,公开了一种半透明材料激光烧蚀模拟方法及相关设备,该方法包括:获取内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型,设置半透明相变材料模型的第一材料参数和杂质模型的第二材料参数,根据激光衰减特征以及半透明相变材料和杂质材料的传热特征和受热膨胀特征,设置耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场,基于上述数据,对内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型进行激光烧蚀模拟,得到激光烧蚀模拟分析结果,通过耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场,对激光烧蚀过程进行模拟,提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。

    一种用于Micro-LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法

    公开(公告)号:CN118412418A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410824622.X

    申请日:2024-06-25

    Abstract: 本发明涉及Micro‑LED巨量转移技术领域,本发明公开了一种用于Micro‑LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法,包括剥离机本体、暂态板、定位组件、主动激光扫描组件以及若干从动激光扫描组件,剥离机本体内设有剥离室;暂态板摆放在剥离室底部,暂态板上设有芯片板;定位组件设于暂态板上方,定位组件上设有基座;主动激光扫描组件设于基座底部,主动激光扫描组件上设有第一激光扫描头;从动激光扫描组件设于基座底部,从动激光扫描组件上设有第二激光扫描头,第一激光扫描头和第二激光扫描头的激光发射方向均位于同一水平面上。本发明提供的用于Micro‑LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法,保证芯片板在牺牲层被激光扫描过程中的稳定性高,以及提高激光剥离效率。

    蝶阀开度的控制方法、控制器、系统和存储介质

    公开(公告)号:CN118377217A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410804206.3

    申请日:2024-06-21

    Abstract: 本公开涉及气体压力控制技术领域,尤其提供一种蝶阀开度的控制方法、控制器、系统和存储介质,该方法包括:基于腔体内部的当前压力和预设压力,确定控制误差信号以及误差信号变化率;基于当前压力和预先确定的电机步数与实际压力的对应关系,确定当前压力对应的实际步数;基于实际步数以及电机步数与修正参数的对应关系确定目标修正参数;对控制误差信号以及误差信号变化率进行模糊处理,得到PID调整量;基于目标修正参数、PID调整量以及初始时刻PID参数,确定当前时刻的PID参数;基于当前时刻的PID参数以及PID控制算法计算蝶阀的控制信号,控制信号用于控制蝶阀的开度。可以提高气体压力的控制精度。

    半透明材料激光烧蚀模拟方法及相关设备

    公开(公告)号:CN118296853A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202410681168.7

    申请日:2024-05-29

    Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域,公开了一种半透明材料激光烧蚀模拟方法及相关设备,该方法包括:获取内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型,设置半透明相变材料模型的第一材料参数和杂质模型的第二材料参数,根据激光衰减特征以及半透明相变材料和杂质材料的传热特征和受热膨胀特征,设置耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场,基于上述数据,对内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型进行激光烧蚀模拟,得到激光烧蚀模拟分析结果,通过耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场,对激光烧蚀过程进行模拟,提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。

    变形几何激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118070563B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410464299.X

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域,公开了一种变形几何激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:获取表面设置有镀层模型的相变材料模型,设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数,根据激光烧蚀过程的传热特征和几何结构变形特征,设置固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场,基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场,对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟,得到激光烧蚀模拟分析结果,通过固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场,对激光烧蚀过程进行模拟,提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。

    具有氧化钒薄膜的红外窗口及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117535624B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410037451.6

    申请日:2024-01-10

    Abstract: 本申请涉及激光防护技术,公开了具有氧化钒薄膜的红外窗口及制备方法和应用,包括以下步骤:以红外窗口为基底,放入过滤阴极真空电弧沉积设备的真空腔体中,以钒‑钆合金为金属靶,在基底上沉积氧化钒薄膜。本申请的具有氧化钒薄膜的红外窗口的制备方法,利用高离化率的过滤阴极真空电弧工艺制备氧化钒薄膜,通过工艺参数的调整并掺杂合适的元素,使沉积得到的氧化钒薄膜具有超细的晶粒和较低的表面粗糙度,对激光的响应时间在皮秒量级。

    一种多级合成的射频功率放大器

    公开(公告)号:CN117792311A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202410208250.8

    申请日:2024-02-26

    Abstract: 本申请属于电子通信技术领域,公开了一种多级合成的射频功率放大器,通过对射频信号进行驱动放大后,通过两级功分分为多路信号,然后对各路信号进行末级放大后进行两级合成,最终输出一路射频信号,可以使输出射频功率达到千瓦级;此外,由于功分电路的功分模块和合成电路的合路模块可以使输出信号的相位与输入信号的相位一致,减小信号反射,保证射频功率的有效传输,进而减小发热,能够有效避免多级合成的射频功率放大器温度过高,提高输出稳定性和控制采用的精确度。

    具有氧化钒薄膜的红外窗口及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117535624A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202410037451.6

    申请日:2024-01-10

    Abstract: 本申请涉及激光防护技术,公开了具有氧化钒薄膜的红外窗口及制备方法和应用,包括以下步骤:以红外窗口为基底,放入过滤阴极真空电弧沉积设备的真空腔体中,以钒‑钆合金为金属靶,在基底上沉积氧化钒薄膜。本申请的具有氧化钒薄膜的红外窗口的制备方法,利用高离化率的过滤阴极真空电弧工艺制备氧化钒薄膜,通过工艺参数的调整并掺杂合适的元素,使沉积得到的氧化钒薄膜具有超细的晶粒和较低的表面粗糙度,对激光的响应时间在皮秒量级。

    一种分子束流调节装置、调节方法及形成控制方法

    公开(公告)号:CN116590791A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310608040.3

    申请日:2023-05-26

    Abstract: 本发明公开了一种分子束流调节装置、调节方法及形成控制方法,涉及材料生长领域,其中装置包括坩埚、调节盒、收合扇和转动盘;所述调节盒安装在所述坩埚出口端,具有连通所述坩埚出口端的束流口;所述转动盘转动安装在所述调节盒内,具有多个圆周阵列设置的滑动槽;所述收合扇包括多个收合叶片,多个所述收合叶片圆周阵列设置在所述调节盒内且为依次错位叠放,以使收合扇中部具有束流孔,所述收合叶片的一端与所述调节盒转动连接,另一端具有与所述滑动槽配合的凸柱。本申请的分子束流调节装置能解决薄膜生成过程中深径比变化导致的薄膜生成不均匀问题,从而能达到提高同一生长批次和不同生长批次薄膜均匀性的效果。

Patent Agency Ranking