-
公开(公告)号：CN113300565A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110656564.0
申请日：2021-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02K41/03
Abstract: 动子轻量化高推力密度横向磁通永磁同步直线电机，属于永磁电机领域，本发明为解决传统横向磁通永磁同步直线电机的功率因数低和动子质量大的问题。本发明包括外初级、内初级和次级，次级设置于外初级和内初级之间；外初级包括外初级电枢，外初级电枢为m相，每相包括k个外电枢单元，且k个外电枢单元在一相范围内沿圆周方向均布；k个外电枢单元中绕组可以通过串联或者并联构成一相绕组；每个外电枢单元由h个沿轴向方向均匀分布的外U型电枢模块构成，相邻外U型电枢模块3的绕组反向串联，中心轴向距离为τ，内初级包括内初级电枢，与外初级电枢结构相似，k个外电枢单元和k个内电枢单元径向位置分别一一对应。
-
公开(公告)号：CN113014009A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110250384.2
申请日：2021-03-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 永磁体串并联式变磁路可调磁通电机，属于永磁电机领域，本发明为解决串联型可调磁通电机的低矫顽力永磁体磁化状态调节困难的问题和并联型可调磁通电机的功率密度低的问题。本发明包括定子铁心、电枢绕组、转子铁心、V型永磁体槽、低矫顽力永磁体、U型永磁体槽、高矫顽力永磁体、隔磁槽和转轴；每个磁极下设置五块低矫顽力永磁体和五块高矫顽力永磁体，两块一号高矫顽力永磁体放置在V型永磁体槽的上层，槽内其余空间为一号低矫顽力永磁体，V型永磁体槽两端和尖端分别设置有隔磁槽；U型永磁体槽中沿厚度方向并列设置三块二号高矫顽力永磁体和三块二号低矫顽力永磁体，U型永磁体槽的夹角可调，U型永磁体槽两端和U型底角分别设置有隔磁槽。
-
公开(公告)号：CN110395993A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910676572.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/64 , C04B35/185
Abstract: 一种用于等离子体喷涂的纳米SiC改性纳米结构莫来石粉体喂料的制备方法，属于热防护涂层领域，特别是环境障涂层和热/环境障涂层的技术领域。本发明中的纳米SiC在高温下会氧化为SiO2，从而会对裂纹起到一定的弥补和愈合作用，延长涂层的使用寿命。本发明采用球磨混粉、喷雾干燥、固相烧结(或者固相烧结后等离子处理)制备了纳米结构或者改性纳米结构莫来石粉体喂料。本发明粉体材料用于制备环境障涂层和热/环境障涂层。
-
公开(公告)号：CN109980878A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910276559.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 内置式V型‑U型串并联混合磁路可调磁通永磁同步电机，属于永磁电机领域，本发明为解决现有永磁电机调磁过程中存在的问题。本发明方案：转子铁心气隙侧本体内置多块永磁体构成P对磁极，每个磁极下包括两块低矫顽力永磁体和三块高矫顽力永磁体，三块高矫顽力永磁体以该磁极转子直轴为对称线对称设置成U型结构，且开口面向径向气隙；两块低矫顽力永磁体以该磁极转子直轴为对称线对称设置成V型结构，且开口面向径向气隙；V型结构设置于U型结构内部；V型结构的两个端部各设置一个V型端部隔磁槽，V型结构的尖端部设置V型尖端隔磁槽，U型结构开口的两个端部各设置一个U型端部隔磁槽，U型结构的两个底角处各设置一个U型底角隔磁槽。
-
公开(公告)号：CN109687671A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910159468.8
申请日：2019-03-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 轴向并列型双定子多相永磁容错电机，属于永磁容错电机领域，本发明为解决传统多相永磁容错电机中正常运行性能与容错能力相互制约的问题。本发明两个定子和转子之间有径向气隙L1、L2；两个定子均设置有多相绕组；转子包括两个调磁永磁单元和不可调磁永磁单元，三个调磁永磁单元均为圆环结构，沿轴向并列固定在一起，且不可调磁永磁单元设置在结构相同的左可调磁永磁单元和右可调磁永磁单元之间；通过调整两个定子绕组中的电流来改变两个可调磁永磁单元的永磁体的工作点，以改变磁通大小或方向，进而实现两个可调磁永磁单元对不可调磁单元在轴向气隙L1、L2中的永磁磁场进行正向或反向叠加。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109541504A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811201799.5
申请日：2018-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明公开了一种佳拉洁雅装置等离子体通道中的磁场测量系统及方法，该磁场测量系统包括：磁探针模块，包括多个磁探针，多个磁探针均匀安装于等离子通道中，磁探针的总个数、位置和规格尺寸由等离子通道的规格、等离子体分布状况以及磁场区域的空间位形决定；信号采集模块，包括一调理电路以及一数据采集电路，多个磁探针分别通过调理电路与数据采集电路连接，以采集多个磁探针两端的电压信号；信号处理模块，用于对采集到的多个磁探针两端的电压信号进行处理，以计算出等离子通道中各处的磁感应强度。本发明可实时准确的测量佳拉洁雅装置中的等离子体进入等离子体通道过程中，通道内各点的磁感应强度变化情况，具有测量可靠、实时、准确的优点。
-
公开(公告)号：CN106712450B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710042456.8
申请日：2017-01-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02K49/10
Abstract: 中间调磁型轴向集成式电气无级变速器，属于混合动力汽车领域，本发明为解决现有无刷复合结构电机方案存在的结构复杂、体积较大、集成度低等问题。本发明方案：包括机壳、两个双绕组定子、永磁转子、调制环转子、永磁转子输出轴和调制环转子输出轴；调制环转子位于双绕组定子与永磁转子之间，调制环转子和双绕组定子之间存在轴向气隙L1；调制环转子与永磁转子之间存在轴向气隙L2；本发明具有两个独立的转轴，且两个轴的转矩转速完全独立，双绕组定子形成ps1极对数的旋转电枢磁场和ps2极对数的旋转电枢磁场，满足条件ps1＝|kpPM+jpm|和ps2＝kpPM。
-
公开(公告)号：CN108281480A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810136624.4
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种表征不同类型粒子辐照诱导电离和位移缺陷形成与退火状态的一种同时产生电离和位移缺陷信号的器件及其制备方法，属于核科学与技术领域。本发明包括集电区、基区、n个发射区、发射极、基极和集电极；集电区的掺杂浓度小于1E15/cm3；基区外边缘的长边距集电区外边缘的距离d范围为0.1～300μm，基区外边缘的宽边距集电区外边缘的距离e的范围为0.1～300μm；基区掺杂浓度为1E15/cm3～1E17/cm3；发射区的长边a与宽边b的比值在500:1～1:500范围内，扩散结深度在0.1μm至3.0μm之间；相邻两个发射区的间距不小于a/2、不大于5a；发射区掺杂浓度为5E15/cm3～1E20/cm3。
-
公开(公告)号：CN108267657A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810106963.8
申请日：2018-02-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种基于S变换的电能质量扰动检测方法及系统，涉及一种分段改进S变换分析方法。该方法在S变换方法的基础上，对改进S变换进行分段处理，解决了改进S变换对于复合扰动测量不准确的缺点。该方法在改进S变换的基础上，通过对电力系统中扰动信号的类型和频段分布进行综合分析，选取峰度为分析对象，并选取最能代表扰动信号的特征区域作为峰度分析区域，综合考虑窗宽因子g和峰度的关系，经过原理分析和实验确定，最终确定各个频段的窗宽调节因子g的值，使其可以根据不同扰动具有更突出的时域检测能力或频域检测能力。
-
公开(公告)号：CN105743398B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610289348.6
申请日：2016-05-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02P6/10
Abstract: 用于五相永磁同步电机绕组开路故障容错控制的电流设定方法，属于电机控制领域，本发明为解决常规五相永磁同步电机绕组开路故障的容错控制中电机转矩输出能力弱的问题。本发明方案：五相永磁同步电机采用五相全桥或五相六桥臂逆变器进行供电，当电机发生一相、两相或三相绕组开路故障情况下，为了使电机能够输出最大平滑转矩，需要在使合成磁动势中的反向旋转分量为零的前提下，使正向旋转分量的幅值最大；这样气隙中就会产生一个幅值最大的正向圆形旋转磁场。调整剩余各相绕组的输入电流，与传统的绕组开路故障容错控制方法相比，本发明方法可以提高五相永磁同步电机在绕组开路故障下的转矩输出能力，输出转矩更大而转矩波动更小。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
174
records
(took 0.096 seconds)
