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公开(公告)号：CN102039370A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201110005148.0
申请日：2011-01-06
Applicant: 西北工业大学 , 成都耶华科技有限公司 , 成都飞机工业(集团)有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种大型石膏型精密铸造的铸型制造方法，用于解决现有的锌铝合金石膏型铸型制作方法浆料中存在气泡的技术问题。其技术方案是通过在石膏配方增加β型半水石膏的含量，与石英粉优化搭配，以及逐步升温加热的焙烧工艺。制作出的石膏型铸型在灌浆焙烧阶段没有出现气泡附着以及开裂等现象。
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公开(公告)号：CN101220514B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200710018784.0
申请日：2007-09-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B29/48
Abstract: 本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd0.9Zn0.1Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为0.5～2％的过量Te，和体积浓度为(1～6)×1018cm-3的In；对石英坩埚内部抽真空并封接石英坩埚；将坩埚放入合成炉中进行原料合成；将坩埚放入五段式晶体生长炉中采用下降式垂直布里奇曼法进行晶体生长。由于采用五段式常压单晶生长炉，在晶体生长过程加入了过量的Te，为Cd1-xZnxTe晶体生长提供足够多的深能级TeCd2+，降低了生产成本，得到了稳定高电阻率的Cd1-xZnxTe晶体。同时Cd0.9Zn0.1Te晶锭中In的分凝因数更趋近于1，使得整个Cd0.9Zn0.1Te晶锭电阻率变化较小，提高了Cd0.9Zn0.1Te晶体均匀性和利用率。
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公开(公告)号：CN101701354A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910219059.9
申请日：2009-11-19
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种碲铟汞单晶的制备方法，还公开了所述碲铟汞单晶制备方法专用石英坩埚，用来制备大尺寸的碲铟汞单晶，所述专用石英坩埚的引晶区由两段圆锥体构成，上锥体与下锥体等分引晶区，上锥体的锥度是40～50°，下锥体的锥度是10～13°。本发明通过增大石英坩埚的直径，并将石英坩埚引晶区设计为两个锥度，控制MIT晶体生长的温度梯度和晶体生长速率，利用变速晶体生长，制备出的MIT单晶尺寸由现有技术的＜5mm×5mm增加到20mm×20mm以上。
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公开(公告)号：CN101603139A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910023290.0
申请日：2009-07-10
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高强度耐热镁合金材料，其特点是由由2.5～3.5(wt％)的Nd，1.0～2.0(wt％)的Gd、0.05～0.1(wt％)的Zn、0.4～0.6(wt％)的Zr、杂质≤0.25wt％(其中，Cu≤0.1％，Ni≤0.01％)和余量Mg制备而成。本发明还公开了上述高强度耐热镁合金材料的制备方法，通过对添加Zn、Mg－Gd中间合金和Mg－Zr中间合金的时机和温度进行控制，所制备的高强度耐热镁合金的室温抗拉强度σb由现有技术的230MPa提高到270MPa，屈服强度σ0.2由现有技术的135MPa提高到205MPa，延伸率δ由现有技术的3％提高到3.5％。同时，合金的300℃高温瞬时抗拉强度σb300℃由现有技术的109MPa提高到141MPa，合金的300℃高温瞬时抗拉屈服强度σ0.2300℃由现有技术的79MPa提高到123MPa。
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公开(公告)号：CN100425667C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610105133.0
申请日：2006-12-07
Applicant: 西北工业大学
IPC: C09G1/18 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种抛光液，其组成为：脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠0.1～0.75g/L、十二烷基苯磺酸钠0.04～0.4g/L、椰子油酸二乙醇酰胺0.02～0.15g/L、溴的体积分数1～2%、其余为无水乙醇。还公开了上述抛光液抛光Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶片的方法，包括下述步骤：将橡胶垫平铺于抛光盘上，将细磨后的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶片固定在抛光装置的支架上，在橡胶垫上滴加抛光液10～30毫升，设定抛光盘转速15～50r/min，对半导体晶片抛光10～120秒，立即用无水乙醇冲洗，再用高纯水冲洗后，于干燥器中存放。本发明利用表面活性使得污物易于清洗，加上橡胶抛光垫的使用，使得抛光面粗糙度由现有技术的50埃以内降低到30埃以内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101220514A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710018784.0
申请日：2007-09-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B29/48
Abstract: 本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd0.9Zn0.1Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为0.5～2％的过量Te，和体积浓度为(1～6)×1018cm－3的In；对石英坩埚内部抽真空并封接石英坩埚；将坩埚放入合成炉中进行原料合成；将坩埚放入五段式晶体生长炉中采用下降式垂直布里奇曼法进行晶体生长。由于采用五段式常压单晶生长炉，在晶体生长过程加入了过量的Te，为Cd1－xZnxTe晶体生长提供足够多的深能级TeCd2+，降低了生产成本，得到了稳定高电阻率的Cd1－xZnxTe晶体。同时Cd0.9Zn0.1Te晶锭中In的分凝因数更趋近于1，使得整个Cd0.9Zn0.1Te晶锭电阻率变化较小，提高了Cd0.9Zn0.1Te晶体均匀性和利用率。
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公开(公告)号：CN1435497A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN02114428.1
申请日：2002-01-28
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种铝合金熔体过热处理方法，先把铝合金放在坩埚中熔化并加热至720℃，除去表面氧化皮后，保温5分钟，开始按照预定的过热温度830～850℃进行过热处理，并保温30分钟，然后按照15～20℃/分钟的降温速率，迅速降温至720℃，去除氧化皮后浇注。通过过热处理，实现了对枝晶间共晶硅相的变质，同时实现了含铁相的变质，不必添加合金元素就能达到添加锶(Sr)的变质效果，因而，不会改变合金的化学成分，克服了传统的化学方法变质处理所带来的稳定性差，变质处理效果随合金液保持时间的延长而迅速衰减的弊病。获得的试件经T6热处理后其力学性能超过了普通化学方法变质处理试件的性能。而且工艺操作也变得更加简单。
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公开(公告)号：CN202024942U
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201020671384.7
申请日：2010-12-16
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置视场小的技术问题。技术方案是所述光源(1)通过支撑杆固定于光学隔振平台(9)的一端；所述载物台(6)是三维自动平移台，通过支撑杆固定于光学隔振平台(9)上，并与控制电脑相连；所述物镜(7)是红外光物镜，用支撑杆固定于光学隔振平台(9)上；红外CCD(8)通过同轴电缆与控制电脑相连；镜筒(4)是变焦镜筒，物镜(7)通过镜筒(4)与红外CCD(8)连接。由于采用变焦镜筒联接红外光物镜与红外CCD，扩大了检测半导体晶体中富Te相装置的视场。
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公开(公告)号：CN213459741U
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202022362007.1
申请日：2020-10-21
Applicant: 西北工业大学
Inventor： 赵清华 , 王涛 , 介万奇 , 安德烈斯·卡斯泰拉诺斯·戈麦斯 , 里卡多·夫里森达
IPC: H01L29/47 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L29/772 , G11B7/2433 , G11B7/2437
Abstract: 本发明涉及一种基于二维硒化铟光存储器件，其特征在于包括金属条、二维硒化铟、石墨、SiO2层、Si层和铬；SiO2/Si作为衬底，衬底上设有铬层，铬层上设有两个金属条作为电极，相互之间设有沟道；一个金属电极上设有少层石墨，从单侧电极表面并充分覆盖电极内侧边缘且不搭接另一侧电极；二维硒化铟薄片搭接在另一侧金属电极与石墨电极之间，形成金属‑二维硒化铟‑石墨肖特基二极；其中金属电极与电压源的正极相接，石墨电极与电压源的负极相接。本发明光存储器件工作时只需要调控源极和漏极之间的电压以及外部光照，即可实现对器件逻辑状态的控制，不需要引入较大的栅极电压，简化了器件工作时的电路连接。
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公开(公告)号：CN203824901U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420262603.4
申请日：2014-05-18
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N21/23
Abstract: 本实用新型公开了一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置，包括卤钨灯、980nm滤波片、透镜、碲化物半导体探测器、三维平移台、起偏器、检偏器、物镜和相机，所述碲化物半导体探测器横放在所述三维平移台上，所述碲化物半导体探测器上设有直流电压表，所述三维控制平台和相机均通过数据线连接有电脑，所述卤钨灯上设有开关。本实用新型可以根据相机上所接收到的光强与碲化物半导体探测器的内建电场强度的平方成正比，来研究碲化物半导体探测器的电场分布，进一步的得到空间电荷的分布，从而来研究碲化物半导体探测器内部的缺陷。
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