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公开(公告)号：CN119120965A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411212544.4
申请日：2024-08-30
Applicant: 西北工业大学 , 西安金航新材料技术开发有限公司
Abstract: 本发明涉及一种室温下低各向异性的高强变形镁合金板材的制备方法，包括镁合金铸锭熔炼步骤，铸锭固溶处理步骤，热挤压开坯步骤，多次单向室温轧制步骤和时效热处理步骤，具有采用常规装备，低成本和工艺流程简单等优点，非常适用于大规模的工业化应用。同时还提供了通过本发明制备方法得到的室温下低各向异性的高强变形镁合金板材。本发明充分发挥了Nd和Gd元素联合添加的优势，并通过本发明提供的工艺实现了板材的室温下高强度和低各向异性，其综合力学性能显著优于其它具有相似稀土添加量和制备成本的镁稀土系合金板材。
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公开(公告)号：CN112525940B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202011304219.2
申请日：2020-11-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01N23/2206 , G01N23/20008 , G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种全无机卤化物钙钛矿CsPbBr3晶片表面二次相颗粒显现方法，选用MgO和无水乙醇作为抛光液，多次抛光后获得光滑、平整、无划痕的表面。将抛光后的晶片在体积分数为5‑20％的氢溴酸乙醇溶液中腐蚀后用无水乙醇除去表面残留腐蚀液，最后用高纯氮气吹干。最后，使用SEM和EDS实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分特征等参数的精确表征。本发明用氢溴酸乙醇溶液对晶片表面进行腐蚀，晶体中镶嵌分布的二次相颗粒轮廓完整显现，实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分参数的直接观察和精确表征，以及研究二次相颗粒对晶体性能的影响。该方法可以应用于CsPbBr3晶片抛光和二次相颗粒研究领域。
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公开(公告)号：CN113042685B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110272589.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 西北工业大学 , 西安金航新材料技术开发有限公司
Abstract: 本发明一种适用于ZL205A铝合金复杂薄壁构件的3DP砂型铸造工艺，属于3DP砂型铸造工艺技术领域；首先利用三维绘图软件设计铸件的浇注系统得到铸型的三维结构，并得到铸型3D打印切片数据；然后切片数据，使用目数为70‑140的硅砂，呋喃树脂为粘结剂，对甲苯硫酸为催化剂，使用3D打印机进行3DP砂型打印；设置打印参数：打印层厚为0.28mm，树脂含量为1.5wt.％；之后对3DP砂型进行清砂、烘干与合型，在3DP砂型内壁涂覆一层水基锆英粉涂料,并在120‑130℃的温度下烘干2.5‑3小时，随炉冷却；最后，熔炼ZL205A合金，降温至725±5℃进行浇铸；铸件凝固后，清理得到铸件。本发明工艺通过合理的3DP砂型打印工艺和铸造工艺，从砂型制备和铸造工艺双途径，降低了铸造缺陷，提高了铸件质量。
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公开(公告)号：CN109128078A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811201795.7
申请日：2018-10-16
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种铝合金压铸坯锭的等温半固态组织浆料制备方法，首先采用压铸方法进行合金坯锭的预成型，从而有效破碎枝晶组织，获得晶粒细小的初生相，同时使组织内部存留一定的畸变能。然后将铝合金压铸坯锭加热到固‑液两相区进行等温半固态热处理，通过调整等温热处理温度和保温时间，从而获得理想的半固态浆料。通过调整压铸工艺，改变合金坯锭后续等温半固态热处理过程中的组织演变参数，从而能够获得预期的半固态合金浆料制备所需的压铸坯锭原料。之后，将合金压铸坯锭加热到固‑液两相区进行等温半固态热处理，可以通过调整等温热处理温度和保温时间，最终获得理想的半固态浆料。
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公开(公告)号：CN106119968B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201610556029.7
申请日：2016-07-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Zn(1‑x)MnxTe单晶体的制备方法，用于解决现有ZnMnTe单晶体的制备方法复杂的技术问题。技术方案是将单质金属Zn、Mn、Te原料真空封装在镀碳膜石英坩埚中，然后在摇摆炉中合料，合料完成后装入晶体生长炉，在一定的温度场、降温速率和坩埚下降速率下，实现无籽晶条件下晶体生长。该方法结合生长晶炉温场、降温速率和坩埚下降速率进行设计，使晶体生长初期自由引晶，之后逐步降低熔体温度，使熔液维持适宜的过饱和状态，以保证晶体生长的连续稳定进行，最后采用合适的降温过程来对晶体进行原位退火以控制裂纹的产生。由于晶料的合成与生长在同一坩埚中进行，无需预先合成ZnTe和MnTe，制备方法简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108097922A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711380232.4
申请日：2017-12-20
Applicant: 西北工业大学
IPC: B22D18/04
CPC classification number: B22D18/04
Abstract: 本发明涉及一种金属基复合材料真空低压铸造装置及铸造方法，将熔炼装置外部增加了承压室，与搅拌装置、抽真空功能及相应的气控系统，不仅可以实现金属基复合材料的真空熔炼及真空搅拌除气处理，提高金属基复合材料熔体的冶金质量，而且在低压铸造时可实现熔体持续搅拌，强化了坩埚内金属基复合材料熔体内悬浮颗粒的对流运动，促进了熔体成分的均匀性，进而保证低压铸造时不同时刻进入铸型型腔的熔体成分均匀一致，从而使所生产的金属基复合材料构件具有成分均匀、性能优良的特点。并且与真空吸铸相比，本发明采用的真空低压铸造方法适合生产的铸件类型更为广泛。
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公开(公告)号：CN105696081B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201610168862.4
申请日：2016-03-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种锑化铝材料的制备方法，用于解决现有制备的锑化铝材料电阻率低的技术问题。技术方案是以高纯铝与高纯锑为原材料，采用化学腐蚀方法除去铝表面氧化层，然后将按一定摩耳比配置的原材料放置于氮化硼坩埚中，再将氮化硼坩埚放置于石英坩埚中，抽真空，封接，采用在合料炉中使用温度振荡的方法进行合成，最后采用布里奇曼法在晶体生长炉中进行生长。由于氮化硼化学稳定性高，与铝反应速率极慢，且与AlSb同属III‑V族化合物，氮元素与硼元素在AlSb晶体中没有活性施主与受主能级，无恶化电阻率的杂质，锑化铝材料电阻率由背景技术的105Ω·cm提高到109Ω·cm，空穴的霍尔迁移率达到382cm2V‑1S‑1。
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公开(公告)号：CN107829139A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711081319.1
申请日：2017-11-07
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种全无机钙钛矿单晶的逆温溶液生长方法，用于解决现有全无机钙钛矿单晶的生长方法实用性差的技术问题。技术方案是首先将原料溴化铯和溴化铅混合在有机溶剂二甲基亚砜中溶解搅拌，过滤后加入环己醇和二甲基甲酰胺混合液，得到前驱体溶液；其次将前驱体溶液在一定温度下保温一定时间，过滤已析出晶体的溶液；最后将滤液置于水箱中加热升温，生长大尺寸、高结晶质量的CsPbBr3晶体。本发明方法制得CsPbBr3粉末的XRD图谱与标准结构卡片的XRD图谱一致，证明CsPbBr3粉末是纯相。并获得了长×宽×高＝(4～7)×(3～5)×(2～3)mm3的CsPbBr3单晶体，实用性好。
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公开(公告)号：CN103983579B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410181930.1
申请日：2014-05-04
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N21/23
Abstract: 本发明公开了一种检测碲化物半导体探测器内建电场的装置及方法，包括卤钨灯、980nm滤波片、透镜、碲化物半导体探测器、三维平移台、起偏器、检偏器、物镜和相机，所述碲化物半导体探测器横放在所述三维平移台上，所述碲化物半导体探测器上设有直流电压表，所述三维控制平台和相机均通过数据线连接有电脑，所述卤钨灯上设有开关。本发明可以根据相机上所接收到的光强与碲化物半导体探测器的内建电场强度的平方成正比，来研究碲化物半导体探测器的电场分布，进一步的得到空间电荷的分布，从而来研究碲化物半导体探测器内部的缺陷。
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公开(公告)号：CN105290377B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510872921.1
申请日：2015-12-03
Applicant: 西北工业大学
IPC: B22D18/06
Abstract: 本发明公开了一种大型真空增压铸造设备气控装置及控制方法，用于解决现有真空浇注装置控制精度差的技术问题。技术方案是气控装置包括真空缓冲罐、真空泵、储气罐、空压站、PLC控制模块、压差变送器、第一至第五气控截止阀。所述第五气控截止阀的一端与设备主体连接，第五气控截止阀的另一端与真空缓冲罐连接。所述第一气控截止阀、第二气控截止阀、第三气控截止阀和第四气控截止阀并联后一端与设备主体连接，另一端与储气罐连接。所述压差变送器的一端通过压差信号采集管路与设备主体连接，压差变送器的另一端与PLC控制模块电连接，由PLC控制模块根据设定的工艺参数完成对不同气控截止阀控制，实现对真空增压铸造设备内压差的精确控制。
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