一种C/C复合材料高熵陶瓷涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN119912276A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202510161541.0

    申请日:2025-02-13

    Inventor: 傅莉 柴本

    Abstract: 本发明提供了一种C/C复合材料高熵陶瓷涂层的制备方法,采用放电等离子烧结方法,通过短时间内烧结等原子比的难熔碳化物混合粉末,实现了在C/C复合材料表面制备高熵陶瓷涂层,减少了对于基体的热损伤,拓展了C/C复合材料陶瓷涂层的制备方法。解决了现有C/C复合材料抗氧化涂层制备工艺复杂、热损伤较大、涂层防护温度有限的问题,提高了难熔陶瓷涂层的制备效率。

    一种原位生成高熵金属陶瓷接头界面组织的碳材料连接方法

    公开(公告)号:CN118143487A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410341434.1

    申请日:2024-03-25

    Abstract: 本发明提供了一种原位生成高熵金属陶瓷接头界面组织的碳材料连接方法,解决现有碳材料连接方法得到的碳材料接头室温性能不高且接头韧性较差,接头断裂模式为脆性断裂模式。本发明通过向碳材料接头焊缝中生成的单一高熵碳化物反应层中引入具有良好韧性的金属粘结相,在接头中原位生成了同时具有陶瓷材料极好耐磨性、化学稳定性和热稳定性以及金属材料良好韧性的高熵金属陶瓷组织。在裂纹产生之后,粘结相能够屏蔽裂纹尖端前的应力场,并在裂纹尖端后产生裂纹桥接韧带,充分阻碍裂纹的进一步扩展,因此可以有效降低碳材料接头脆性,实现接头的强韧化。

    一种A-M溶剂及在空气中制备铅锡共混钙钛矿薄膜的方法

    公开(公告)号:CN115425150A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202211005029.X

    申请日:2022-08-22

    Abstract: 本发明涉及一种A‑M溶剂及在空气中制备铅锡共混钙钛矿薄膜的方法,采用了以多种添加剂溶于醋酸甲胺(MAAc)离子型室温熔融盐而形成一种功能性溶剂,可以调控铅锡共混钙钛矿结晶成膜过程,提高了前驱体溶液抗水氧能力和空气稳定性。在空气环境条件下,通过无反溶剂的一步热旋涂工艺即可稳定获得平整、致密、具有良好结晶度和光电特性的铅锡共混钙钛矿薄膜。以本方法得到的铅锡共混钙钛矿太阳能电池器件具有良好的光电转化效率和器件稳定性。本发明方法具有工艺条件简便,重复性好,可空气环境绿色制备的特点;功能性溶剂具有MAAc粘度大的特点,保证低浓度前驱体制备出同样厚度薄膜,开发涂布印刷工艺,提高全钙钛矿叠层太阳能电池及其大规模制备的优势。

    一种镁基生物复合材料高速搅拌摩擦制备方法

    公开(公告)号:CN113930649A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202111148666.8

    申请日:2021-09-27

    Abstract: 本发明提供了一种镁基生物复合材料高速搅拌摩擦制备方法,解决现有方法制备的镁基生物复合材料作为人体植入材料,其腐蚀性能和生物活性无法满足实际需求的技术问题。包括以下步骤:S1.按质量分数30%~70%纳米羟基磷灰石和70%~30%纳米氧化镁的比例称量相应质量的粉末,将两种粉末进行湿法球磨混合,混合均匀后烘干得到复合粉末;S2.使用有机溶剂作为辅助剂将复合粉末填充至镁合金基体表面预制的沟槽内并填满,自然风干;S3.采用无针搅拌工具的轴肩对填满复合粉末的沟槽表面进行密封;S4.采用有针搅拌工具,选用旋转速度2000~6000rpm和加工速度50~1350mm/min的高速制备规范进行往返二到四道次搅拌摩擦制备,得到镁基生物复合材料。

    一种基于<110>取向的低维钙钛矿薄膜及其太阳能电池制备方法

    公开(公告)号:CN113903863A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202111059486.2

    申请日:2021-09-10

    Abstract: 本发明涉及一种基于 取向的低维钙钛矿薄膜及其太阳能电池制备方法,属于光电子材料与器件领域。该发明采用一种特定的有机二胺盐(2,2‑亚已二氧基‑双已基胺碘盐,EDBEI2)与氯甲胺、碘化铅按不同的化学计量比溶解至醋酸甲胺溶液中,配制成钙钛矿前驱体溶液,然后利用加热旋涂法将其旋涂至已沉积有PEDOT:PSS的ITO基片上,经过退火形成致密均匀且高稳定的低维钙钛矿薄膜,整个过程完全在空气中操作。然后在薄膜上旋涂PCBM电子传输层,再利用真空蒸镀技术蒸镀修饰层LiF以及金属Al电极,完成器件的制备。

    镁基生物复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108578779A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810453193.4

    申请日:2018-05-14

    Abstract: 本发明公开了一种镁基生物复合材料的制备方法,用于解决现有方法制备镁基生物复合材料生物活性和耐腐蚀性能差的技术问题。技术方案是首先在镁合金板表面加工填粉沟槽,再对预制有沟槽的镁合金进行处理;然后将沟槽填满生物活性组分纳米羟基磷灰石粉末;使用无针搅拌头对镁合金沟槽表面进行封填防止逸出;对封填后的镁合金表面进行往返二次高转速搅拌摩擦加工;并通过电子束流辐照处理搅拌摩擦加工后的镁基生物复合材料表面。测试表明:本发明制备的镁基生物复合材料腐蚀产物的Ca/P比从技术背景的1.63增加至1.71,腐蚀电流从技术背景的6.74×10-4A/cm2降低至4.63×10-4A/cm2,提高了生物活性和耐腐蚀性能。

    钎焊接头的封装方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105618882A

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201610130316.1

    申请日:2016-03-08

    CPC classification number: B23K1/00 B23K1/20 B23K1/206

    Abstract: 本发明公开了一种钎焊接头的封装方法,用于解决现有封装方法钎焊接头强度差的技术问题。技术方案是在电子元器件铜板表面采用激光器加工出正四棱柱状微结构沟槽,对预制的微结构沟槽进行清洗,使用Sn-Ag-Cu钎料对铜板光滑表面和微结构沟槽表面分别进行润湿实验,测试其润湿角;观察Sn-Ag-Cu钎料在不同微结构下的填充及溶蚀情况;以Sn-Ag-Cu为钎料,在预制微结构沟槽的铜板上实施钎焊。由于铜板表面正四棱柱状微结构沟槽的存在,使Sn-Ag-Cu钎料在铜板表面的润湿角从背景技术的59.2°降低至26.3°,促进了钎焊接头的冶金结合,钎焊接头的强度从背景技术的72.4±3.8MPa提升至85±4.5MPa。

    碲铟汞单晶的制备方法及其专用石英坩埚

    公开(公告)号:CN101701354B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200910219059.9

    申请日:2009-11-19

    Abstract: 本发明公开了一种碲铟汞单晶的制备方法,还公开了所述碲铟汞单晶制备方法专用石英坩埚,用来制备大尺寸的碲铟汞单晶,所述专用石英坩埚的引晶区由两段圆锥体构成,上锥体与下锥体等分引晶区,上锥体的锥度是40~50°,下锥体的锥度是10~13°。本发明通过增大石英坩埚的直径,并将石英坩埚引晶区设计为两个锥度,控制MIT晶体生长的温度梯度和晶体生长速率,利用变速晶体生长,制备出的MIT单晶尺寸由现有技术的<5mm×5mm增加到20mm×20mm以上。

    定向切割晶体任意晶面的简便方法

    公开(公告)号:CN101733848B

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN200910254586.3

    申请日:2009-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种定向切割晶体任意晶面的简便方法,属于晶体材料切割加工技术领域,所述方法首先切割出任意平面作为参考面,再利用电子背散射衍射技术确定参考面的纵向、横向、法向指数,然后计算所需任意晶面与参考面的夹角,最后调整晶体切割方向,即可一次切割加工出符合要求的晶面。由于利用电子背散射衍射技术,将电子背散射衍射仪和传统的晶体材料切割装置结合起来,所以可将任意晶系的晶体定向切割出任意晶面,即使所需晶面为高指数衍射面或消光面,尤其适用于参考面取向未知、晶向偏离较大的晶体,而且定向准确度高,操作简便,节省晶体。

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