-
公开(公告)号：CN103560166A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310488594.0
申请日：2013-10-17
Applicant: 西北工业大学 , 陕西迪泰克新材料有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0203 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉像素探测器模块的封装方法，用于解决现有碲锌镉像素探测器模块封装方法连接胶点相对位置精度差的技术问题。技术方案是采用银导电胶作为倒装连接介质，利用三维自动点胶机通过矩阵点胶模式，精确控制胶点的尺寸与相对位置，同时利用倒装焊接仪，通过双CCD取景对焦的工作模式，控制传动系统的精确走位，解决了碲锌镉像素电极探测器元件上像素电极与基板上金属电极的一一对应连接问题，并克服了像素电极的短路或断路现象。由于采用程序控制的矩阵点胶模式，有效地控制了胶点间的相对位置，精度达到了10μm，同时采用流量控制器，获得了的最小胶点尺寸为150μm，有效克服了像素电极的短路问题。
-
公开(公告)号：CN102140632A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010598631.X
申请日：2010-12-16
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了在碲化镉、碲锌镉和碲锰镉上化学镀金铂合金电极的方法，用于解决现有的化学镀方法制备电极时结合力差的技术问题。技术方案是利用氯金酸(HAuCl4·4H2O)和氯铂酸(H2PtCl6·6H2O)溶液的化学镀工艺和半导体光刻工艺，在CdTe、Cd1-xZnxTe和Cd1-xMnxTe(0＜x＜1)半导体晶片表面制备金铂合金(AuyPt1-y，0＜y＜1)电极，提高了CdTe、Cd1-xZnxTe和Cd1-xMnxTe(0＜x＜1)半导体晶片与金铂合金电极的结合力，得到了致密性好，与基底结合牢固，与外电路连接过程中无剥落现象，电学性能优良的金铂合金电极。
-
公开(公告)号：CN103560166B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201310488594.0
申请日：2013-10-17
Applicant: 西北工业大学 , 陕西迪泰克新材料有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0203 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉像素探测器模块的封装方法，用于解决现有碲锌镉像素探测器模块封装方法连接胶点相对位置精度差的技术问题。技术方案是采用银导电胶作为倒装连接介质，利用三维自动点胶机通过矩阵点胶模式，精确控制胶点的尺寸与相对位置，同时利用倒装焊接仪，通过双CCD取景对焦的工作模式，控制传动系统的精确走位，解决了碲锌镉像素电极探测器元件上像素电极与基板上金属电极的一一对应连接问题，并克服了像素电极的短路或断路现象。由于采用程序控制的矩阵点胶模式，有效地控制了胶点间的相对位置，精度达到了10μm，同时采用流量控制器，获得了的最小胶点尺寸为150μm，有效克服了像素电极的短路问题。
-
公开(公告)号：CN102169076A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010598620.1
申请日：2010-12-16
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置很难获得尺寸较大的视场，以及不能实现对晶体厚度方向的分层域聚焦成像的技术问题。技术方案是通过改变变焦镜筒的放大倍数实现了视场可调，同时高精度四坐标三维自动平移台的运用实现对富Te相的体密度观察。本发明利用这种检测装置检测半导体晶体中富Te相的方法，通过调整厚度方向的位置，实现分层域聚焦成像，从而观察富Te相在晶体内的形态，采用基于Labview的图像收集以及处理系统，首先将收集到的每个单独图片拼接成一整张大图，然后对拼好的图像不同灰度区域进行统计，进而分析晶体中富Te相在晶体内的分布。
-
公开(公告)号：CN102169076B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201010598620.1
申请日：2010-12-16
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置很难获得尺寸较大的视场，以及不能实现对晶体厚度方向的分层域聚焦成像的技术问题。技术方案是通过改变变焦镜筒的放大倍数实现了视场可调，同时高精度四坐标三维自动平移台的运用实现对富Te相的体密度观察。本发明利用这种检测装置检测半导体晶体中富Te相的方法，通过调整厚度方向的位置，实现分层域聚焦成像，从而观察富Te相在晶体内的形态，采用基于Labview的图像收集以及处理系统，首先将收集到的每个单独图片拼接成一整张大图，然后对拼好的图像不同灰度区域进行统计，进而分析晶体中富Te相在晶体内的分布。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102168313B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110067191.X
申请日：2011-03-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种碲锌镉晶体的气相退火改性方法，技术特征在于：采用两步气相退火，第一步是用非金属Te作为气相退火介质，通过退火提高晶体的电阻率和探测器的能量分辨率。第二步是用Cd/Zn金属合金作为气相退火介质，通过退火消除晶片中的夹杂相，提高载流子的传输特性。本发明的有益效果：通过两步法气相退火来提高晶体的电阻率和载流子的传输特性，完全消除Te夹杂相，将载流子迁移率和寿命乘积值(μτ)从5.08～7.87×10-4cm2/V提高到1.21～1.58×10-3cm2/V，从而明显改善晶体质量和辐射探测器的性能。
-
公开(公告)号：CN103560167A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310489066.7
申请日：2013-10-17
Applicant: 西北工业大学 , 陕西迪泰克新材料有限公司
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/035281 , H01L31/022408 , H01L31/1832
Abstract: 本发明公开了一种条形阵列碲锌镉探测器的制备方法，用于解决现有方法制备条形阵列碲锌镉探测器时光刻图像边缘缺损的技术问题。技术方案是在长宽比较小的大尺寸碲锌镉单晶片上一次光刻出多个条形阵列图案，然后通过光刻胶保护条形阵列电极并采用划片机沿着光刻图案的外围轮廓划开，形成独立的条形阵列碲锌镉探测器。克服了晶片抛光时由于长宽比较大导致的塌边和光刻电极图案不完整等现象，同时解决了像素电极的倒装连接时由于晶片厚度不均匀导致的短路问题。由于采用光刻胶保护条形阵列电极进行划片切割，实现了对光刻电极的保护，避免了切割导致的晶片边缘崩裂。且一次能制备4～8个1×8～1×32的像素阵列条形探测器，降低了制备成本。
-
公开(公告)号：CN102168313A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110067191.X
申请日：2011-03-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种碲锌镉晶体的气相退火改性方法，技术特征在于：采用两步气相退火，第一步是用非金属Te作为气相退火介质，通过退火提高晶体的电阻率和探测器的能量分辨率。第二步是用Cd/Zn金属合金作为气相退火介质，通过退火消除晶片中的夹杂相，提高载流子的传输特性。本发明的有益效果：通过两步法气相退火来提高晶体的电阻率和载流子的传输特性，完全消除Te夹杂相，将载流子迁移率和寿命乘积值(μτ)从5.08～7.87×10-4cm2/V提高到1.21～1.58×10-3cm2/V，从而明显改善晶体质量和辐射探测器的性能。
-
公开(公告)号：CN103560167B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310489066.7
申请日：2013-10-17
Applicant: 西北工业大学 , 陕西迪泰克新材料有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种条形阵列碲锌镉探测器的制备方法，用于解决现有方法制备条形阵列碲锌镉探测器时光刻图像边缘缺损的技术问题。技术方案是在长宽比较小的大尺寸碲锌镉单晶片上一次光刻出多个条形阵列图案，然后通过光刻胶保护条形阵列电极并采用划片机沿着光刻图案的外围轮廓划开，形成独立的条形阵列碲锌镉探测器。克服了晶片抛光时由于长宽比较大导致的塌边和光刻电极图案不完整等现象，同时解决了像素电极的倒装连接时由于晶片厚度不均匀导致的短路问题。由于采用光刻胶保护条形阵列电极进行划片切割，实现了对光刻电极的保护，避免了切割导致的晶片边缘崩裂。且一次能制备4～8个1×8～1×32的像素阵列条形探测器，降低了制备成本。
-
公开(公告)号：CN202024942U
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201020671384.7
申请日：2010-12-16
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置，用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置视场小的技术问题。技术方案是所述光源(1)通过支撑杆固定于光学隔振平台(9)的一端；所述载物台(6)是三维自动平移台，通过支撑杆固定于光学隔振平台(9)上，并与控制电脑相连；所述物镜(7)是红外光物镜，用支撑杆固定于光学隔振平台(9)上；红外CCD(8)通过同轴电缆与控制电脑相连；镜筒(4)是变焦镜筒，物镜(7)通过镜筒(4)与红外CCD(8)连接。由于采用变焦镜筒联接红外光物镜与红外CCD，扩大了检测半导体晶体中富Te相装置的视场。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.049 seconds)
