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公开(公告)号：CN101092748B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710017996.7
申请日：2007-06-05
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备大体积碲锌镉单晶的方法，步骤如下：选择高熔点CZT单晶制作极性籽晶 或 ；给石英安瓿内壁镀碳膜，将所述籽晶放入安瓿底部的籽晶袋中，籽晶的引晶生长面朝上，再放入低熔点CZT多晶料，对石英安瓿抽真空并焊封；将石英安瓿放入ACRT-B型晶体生长设备中，在18～20小时内将高温区的温度升至1135～1145℃，低温区9温度升至1030～1040℃，达到目标温度后，再过热12～16小时，以每小时0.8mm的速度下降支撑杆，下降时间为200～240小时；停止下降后，5～6个小时将高温区和低温区温度降至870～890℃，晶锭进行144～168小时的原位退火后，以每小时5℃缓慢降温至550～560℃后关闭电源空冷至室温。通过上述步骤获得了大体积CZT单晶，同时提高了晶锭的单晶率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101220514B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200710018784.0
申请日：2007-09-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B29/48
Abstract: 本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd0.9Zn0.1Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为0.5～2％的过量Te，和体积浓度为(1～6)×1018cm-3的In；对石英坩埚内部抽真空并封接石英坩埚；将坩埚放入合成炉中进行原料合成；将坩埚放入五段式晶体生长炉中采用下降式垂直布里奇曼法进行晶体生长。由于采用五段式常压单晶生长炉，在晶体生长过程加入了过量的Te，为Cd1-xZnxTe晶体生长提供足够多的深能级TeCd2+，降低了生产成本，得到了稳定高电阻率的Cd1-xZnxTe晶体。同时Cd0.9Zn0.1Te晶锭中In的分凝因数更趋近于1，使得整个Cd0.9Zn0.1Te晶锭电阻率变化较小，提高了Cd0.9Zn0.1Te晶体均匀性和利用率。
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公开(公告)号：CN101220514A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710018784.0
申请日：2007-09-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B29/48
Abstract: 本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd0.9Zn0.1Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为0.5～2％的过量Te，和体积浓度为(1～6)×1018cm－3的In；对石英坩埚内部抽真空并封接石英坩埚；将坩埚放入合成炉中进行原料合成；将坩埚放入五段式晶体生长炉中采用下降式垂直布里奇曼法进行晶体生长。由于采用五段式常压单晶生长炉，在晶体生长过程加入了过量的Te，为Cd1－xZnxTe晶体生长提供足够多的深能级TeCd2+，降低了生产成本，得到了稳定高电阻率的Cd1－xZnxTe晶体。同时Cd0.9Zn0.1Te晶锭中In的分凝因数更趋近于1，使得整个Cd0.9Zn0.1Te晶锭电阻率变化较小，提高了Cd0.9Zn0.1Te晶体均匀性和利用率。
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公开(公告)号：CN101220502B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710018783.6
申请日：2007-09-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直布里奇曼生长炉，炉外壳中从下到上依次是隔热板、两组I型加热模块、散热片、一组II型加热模块、两组I型加热模块和炉膛盖，隔热板中心孔是耐火陶瓷棉，五段加热模块中心位置是两段衬管，两段衬管用散热片隔开，衬管对接处外有衬套，每组加热模块的中心孔周围分布有各自独立温度控制系统的电热丝，在垂直于每组模块的外壁中部径向放置一根的Pt/PtRh10热电偶，热电偶的测温触点靠近衬管5的外壁。本发明还公开了这种垂直布里奇曼生长炉炉内温度场优化方法，由于本发明垂直布里奇曼生长炉采用五段式模块化设计，可以通过更换不同模块获得生长不同晶体的合适温度场，有效地解决了因轴向温度梯度小产生的组分过冷现象。
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公开(公告)号：CN101220502A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710018783.6
申请日：2007-09-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直布里奇曼生长炉，炉外壳中从下到上依次是隔热板、两组I型加热模块、散热片、一组II型加热模块、两组I型加热模块和炉膛盖，隔热板中心孔是耐火陶瓷棉，五段加热模块中心位置是两段衬管，两段衬管用散热片隔开，衬管对接处外有衬套，每组加热模块的中心孔周围分布有各自独立温度控制系统的电热丝，在垂直于每组模块的外壁中部径向放置一根的Pt/PtRh10热电偶，热电偶的测温触点靠近衬管5的外壁。本发明还公开了这种垂直布里奇曼生长炉炉内温度场优化方法，由于本发明垂直布里奇曼生长炉采用五段式模块化设计，可以通过更换不同模块获得生长不同晶体的合适温度场，有效地解决了因轴向温度梯度小产生的组分过冷现象。
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公开(公告)号：CN101092748A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710017996.7
申请日：2007-06-05
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种制备大体积碲锌镉单晶的方法，其特点是包括下述步骤：选择高熔点CZT单晶制作籽晶；给石英安瓿内壁镀碳膜，将籽晶放入安瓿底部的籽晶袋中，籽晶的引晶生长面朝上，再放入低熔点CZT多晶料，对石英安瓿抽真空并焊封；将石英安瓿放入ACRT－B型晶体生长设备中，在18～20小时内将高温区的温度升至1135～1145℃，低温区9温度升至1030～1040℃，达到目标温度后，再过热12～16小时，以每小时0.8mm的速度下降支撑杆，下降时间为200～240小时；停止下降后，5～6个小时将高温区和低温区温度降至870～890℃，晶锭进行144～168小时的原位退火后，以每小时5℃缓慢降温至550～560℃后关闭电源空冷至室温。通过上述步骤获得了大体积CZT单晶，同时提高了晶锭的单晶率。
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