公开(公告)号：CN108516823B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201810668010.0

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  曾卫东 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变及压光性能的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：0.9(Bi0.5Na0.5)0.689(Ba0.5Ca0.5)0.3Pr0.01Gd0.001TiO3‑0.1Ca2Ta2O7。用微波快速烧结制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变性及压光特性，最大压电应变系数=353pm/V，在1000N应力下发光波长612nm，制备工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN110937886A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201911336343.4

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  韩飞 ,  刘笑 ,  刘飞 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/26

Abstract: 本发明公开了一种具有光伏效应的K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：K1-xLnxNb1-xFexO3，其中Ln为Ba、Sr、Mg、Zn中的一种，0.01≤x≤0.2；该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(0.5-0.5x)：(0.5-0.5x)：0.5x：x的摩尔比例称取高纯度的K2CO3、Nb2O5、Fe2O、LnO/LnCO3粉体原料，将原料混合均匀，于在高能球磨机中充分球磨，取出烘干，过筛，再煅烧合成K1-xLnxNb1-xFexO3粉体；2）将K1-xLnxNb1-xFexO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体置于马弗炉中，经过600℃保温2h排除PVA，再高温烧结，冷却至室温后，制得K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷。K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷具有优良的宏观铁电特征、低的光学带隙和稀磁特性，且具有显著光伏效应的稀磁铁电半导体特征的功能。

公开(公告)号：CN110877978A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201911336342.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈泽星 ,  蒙柳方 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1-x)/2：(1-x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。

公开(公告)号：CN109704757A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910025697.0

申请日：2019-01-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  窦闰镨 ,  周昌荣 ,  王华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷是以(Bi0.5Na0.5)TiO3、BaTiO3、Bi2CoMnO6、WO3和MgO为原料，按照化学组成通式(1-y)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1-x(W0.5Mg0.5)xO3-yBi2CoMnO6制备所得，其中x、y表示摩尔分数，0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.05；所述制备方法则是在现有工艺上优化后的方法。本发明公开的无铅压电陶瓷能够很好的兼顾低场和高场下的压电性能，生产成本低、实用性好。

公开(公告)号：CN108863358A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810756510.X

申请日：2018-07-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  王华 ,  刘国保 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种宽温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xSr(In0.5Nb0.5)O3，其中x表示摩尔分数，0.1≤x≤0.2。所述制备方法为固相反应烧结法，将K2CO3、Na2CO3、SrCO3、In2O3和Nb2O5按化学比例称料，然后多种粉体先后经过球磨、预烧、煅烧、造粒、成型和烧结，制备出具有宽温度稳定特性的铌酸钾钠基陶瓷电容器介质材料，在‑60℃至300℃具有稳定的介电性能，且具有制备方法简单、成本低和无铅环保等优势。

公开(公告)号：CN108706971A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810670093.7

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3298

Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变记忆特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：Bi0.53Na0.5TiO3+0.05wt%LiVO3+0.1wt%MnO2。用微波快速烧结结合快速水冷制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变记忆特性，最大压电应变记忆效应ΔS=0.46%，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN106098420B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201610587694.2

申请日：2016-07-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  张小文 ,  刘建一 ,  刘建平

IPC: H01H1/021 ,  H01H11/04 ,  C25D15/00

Abstract: 本发明公开了一种电触头表面镀层添加材料及电触头制造方法，所述镀层添加材料由处于缺氧状态且失氧量在0.1%到5%内的多种氧化物粉体混合组成，该多种氧化物粉体是由SnO2、ZnO、In2O3、La2O3、Bi2O3、Y2O3、Sc2O3、CeO2、WO3中的两种或多种组成。在上述添加材料中加入分散剂，以纯水为介质球磨得到固含量为5%到35%的悬浮液；然后将悬浮液加入到含银的电镀液中，得到复合电镀液，采用现有电镀工艺将金属电触头基体在上述复合电镀液中镀上一层表面镀层后制得成品电触头。本发明可以提升电镀时表面镀层中氧化物粉体的含量及均匀性，降低银使用量的同时提高电触头表面镀层抗电弧侵蚀和抑制温升。

公开(公告)号：CN107829074A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711048989.3

申请日：2017-10-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 覃广生 ,  许积文 ,  薛云飞 ,  王本鹏 ,  付华萌

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/24 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C22C45/10 ,  G02B5/08

CPC classification number: C23C14/35 ,  C22C45/10 ,  C23C14/16 ,  C23C14/165 ,  C23C14/18 ,  C23C14/185 ,  C23C14/20 ,  C23C14/205 ,  C23C14/24 ,  G02B5/0808

Abstract: 本发明公开了一种非晶合金反光镜及其制备方法，所述反光镜包括基板、涂覆在基板上的Zr-Ti-Cu-Ni-Al-Ag-Re非晶涂层以及基板与非晶涂层之间的过渡层。所述非晶合金反光镜的制备方法主要包括：（1）以Ti、Ni、Cr或Al为靶材，在基板上制备过渡层；（2）以所述涂层材料为靶材，在过渡层上溅射非晶合金反光涂层。本发明公开的反光涂层材料不仅具有高的反射率，而且硬度高、耐磨、耐腐蚀、抗氧化、抗硫化，用其制造反光镜，表面无需保护层，制造成本也低于纯银及银合金反光镜，适合于各种场合尤其适合在沙漠、高寒等恶劣环境下使用。

公开(公告)号：CN107151138A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710301046.0

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  李子静 ,  彭文 ,  蔡世劲 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  C04B41/88 ,  C04B41/80 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法，配方为：0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu，通过加入Bi2WO6，促进烧结，获得致密，晶粒均匀的陶瓷材料，结合化学包覆法，在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面，采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒，合成时形成梯度分级结构，抑制Sn的变价，即克服了该体系漏电流大的问题，也同时提高压电性能，降低介电损耗，解决了该体系绝缘性差，难以极化等难题。该陶瓷材料具有超高压电性能，同时具有超低介电损耗，环境友好型、稳定性好。

公开(公告)号：CN107140968A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710330695.3

申请日：2017-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  杨玲 ,  陈国华

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/626 ,  C04B41/88

Abstract: 一种高温无铅压电陶瓷，其特征在于组成通式为：(1‑x)Bi0.96La0.06FeO3‑xBa0.97(Na1/2Al1/2)0.03(Cu1/3Ta2/3)O3+0.05BiVO4；其中x表示摩尔分数，0.05