公开(公告)号：CN110877978A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201911336342.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈泽星 ,  蒙柳方 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1-x)/2：(1-x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。

公开(公告)号：CN108947530A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810908551.6

申请日：2018-08-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  蒙柳方 ,  廖燕君 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  刘飞 ,  许积文 ,  周昌荣 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567

Abstract: 本发明公开了一种石榴石结构低介电透明RexGd3‑xAl3Ga2O12微波陶瓷及其制备方法，该微波陶瓷组成通式为RexGd3‑xAl3Ga2O12，其中0≤x≤0.065，Re为Nd和Er中的一种。制备时先采用传统固相合成法合成RexGd3‑xAl3Ga2O12粉体，再将合成的粉体与5%聚乙烯醇PVA按照0.5mL:10g的比例混合，烘干，研磨成粉末；最后将粉末压制成陶瓷坯体，在1580~1650℃保温15~60小时制成。本发明制备的石榴石结构低介电透明微波陶瓷，其介电常数（εr）介于9.7~10.3，品质因子与谐振频率乘积（Q.f）介于1600~5100GHz，谐振频率温度系数（Tcf）介于‑25~‑80ppm/℃，表明本发明成功制备出一种石榴石结构低介电透明微波陶瓷。这种微波陶瓷可用于制造微波介质元器件如滤波器、谐振器、介质基板等，特别是需要可视化透明窗口的信息通讯和集成电路中。

公开(公告)号：CN114873993A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210503855.0

申请日：2022-05-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  张峻豪 ,  覃浩 ,  蒙柳方 ,  刘飞 ,  丁国安 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/628 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明公开了一种表面喷涂纳米BN型H3BO3/PPO复合微波介质陶瓷及其制备方法，先按照一定质量比称量PPO和H3BO3后，将PPO、H3BO3粉体与无水乙醇、锆球按照预设的质量比放置于球磨机中湿法球磨，制备出浆料；将所得浆料烘干，并通过网筛将混合粉体与锆球分离，从而得到H3BO3/PPO粉体；在H3BO3/PPO混合粉体中喷涂纳米BN，将喷涂纳米BN的H3BO3/PPO粉体放置于模具中压制成型后，将得到的圆柱体制品放入热处理设备中致密化烧结，得到具有近室温致密化温度、防潮解、导热的表面喷涂纳米BN型H3BO3/PPO复合微波介质陶瓷。在(0.6H3BO3‑0.4PPO)+2%BN含量中获得最佳的微波介电性能：εr=2.51，Q׃=12556 GHz，τƒ=‑3 ppm/℃，并获得导热系数~1.21 w/(m·k)，所得复合微波介质陶瓷有效的提高了近室温致密化硼酸陶瓷的防潮性能、导热效能和微波介电特性。

公开(公告)号：CN110877978B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201911336342.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈泽星 ,  蒙柳方 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1‑x)/2：(1‑x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1‑xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。