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公开(公告)号：CN111118599B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201911379934.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，包括步骤：A.制备SiC凝胶溶胶；B.把SiC凝胶溶胶装入喷机中预热至150℃～250℃；C.将SiC凝胶溶胶喷射到石墨载盘所有表面并自然干燥24小时；D.将石墨载盘装入烧结炉中在1600℃～1800℃、压力550托～650托、氢气环境中烧结2小时，然后自然冷却到室温；E.将石墨载盘表面的SiC涂层进行整形、打磨；F.按预设次数重复执行步骤B～E。该方法制得的SiC涂层的抗热震能力强、使用寿命长，且制备成本低。
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公开(公告)号：CN111778484A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010513293.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/32
Abstract: 本申请实施例提供了一种变径磁过滤等离子体引出装置及真空离子束镀膜设备。该变径磁过滤等离子体引出装置，包括：一管体，所述管体包括第一端和第二端，所述管体在所述第一端与所述第二端之间的横截面的尺寸按照预设规律变化；一导电线，其沿着所述管体的外侧壁逐圈缠绕，以在所述管体的外壁上形成与所述管体外壁轮廓对应的导电螺线管。本申请实施例通过该管体的变化设置及导电线的提供的磁场，可以解决现有过滤阴极过滤管道及磁路设计困难，大颗粒杂质过滤效果差，沉积端离子束光斑不可变等问题，同时可以提高等离子体的利用效率，可以提高沉积形成的膜层的质量以及均匀性。
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公开(公告)号：CN111182767A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911426098.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种散热器，该散热器包括壳体、传动机构以及散热基板，壳体形成有进液口、出液口及连通进液口和出液口的冷却剂通道，传动机构设于壳体内，用于在动作时带动进液口的冷却剂沿冷却剂通道向出液口流动，散热基板供发热元件安装，散热基板贴靠安装于壳体位于进液口和出液口之间的外壁上。本发明的散热器改进了散热结构，提高了散热能力，满足了高热流密度元件散热要求，并实现了散热器低负载下的节能降耗。
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公开(公告)号：CN111074342A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911379924.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，包括步骤：A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；B.把石墨载盘升温至第一预设温度，保持外延生长室压力为第一预设压力，以氢气为载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托；C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度，该第二预设温度为600℃～800℃；D.重复预设次数的步骤B、C；E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，继续降温至室温；F.取出石墨载盘。该方法可降低涂层的制备成本并提高石墨载盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111020693A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911379922.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119081005B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411576404.5
申请日：2024-11-06
Applicant: 季华实验室
IPC: C08F222/14 , C08J9/26 , C08F220/06 , C08F220/56 , B01J20/26 , B01J20/30 , C08L35/02
Abstract: 本申请涉及生物化工技术领域，公开了一种反式阿魏酸双功能单体分子印迹聚合物及其制备方法、应用。步骤包括：配制反式阿魏酸溶液；将反式阿魏酸溶液平均分成第一反式阿魏酸溶液和第二反式阿魏酸溶液，在第一反式阿魏酸溶液中加入甲基丙烯酸后搅拌混合，在第二反式阿魏酸溶液中加入丙烯酰胺后搅拌混合，再将第一反式阿魏酸溶液和第二反式阿魏酸溶液混合得到混合溶液；在混合溶液中加入交联剂和偶氮二异丁腈，通入氮气，密封，加热到反应温度，搅拌反应，得到聚合材料；将聚合材料洗去反式阿魏酸，再洗至中性，加热真空干燥，得到反式阿魏酸双功能单体分子印迹聚合物。该印迹聚合物可实现高效特异性吸附，可经固相萃取对反式阿魏酸大规模分离纯化。
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公开(公告)号：CN119293887B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411800778.0
申请日：2024-12-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于等离子源技术领域，公开了一种远程等离子源变截面石英管结构优化设计方法及相关设备，通过对微波远程等离子源进行二维建模、网格划分、设置材料参数和物理场、仿真模拟以及优化求解，实现了对石英管内表面形状的精确优化设计，解决了传统圆柱形石英管无法精细调控等离子体流动和分布的问题，具有提高电子密度分布均匀性、提高等离子体出口通量和提高功率利用率的优点；而且通过仿真分析进行优化设计，与采用实物试验的方式相比设计周期更短、设计成本更低。
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公开(公告)号：CN119485887A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411661740.X
申请日：2024-11-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及远程等离子体源的起辉方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：获取真空计反馈的实时压力值，当满足预设的真空条件时，控制远程等离子体源开始工作，并控制蝶阀以预设的初始开度开启；获取质谱仪反馈的实时扫描参数，基于实时扫描参数确认实时离化率；根据实时离化率调整蝶阀的开度，以调整进入工艺系统的气体流量，直至起辉成功；本申请公开的起辉方法，可根据实时离化率实时调整蝶阀的开度，以实时调整进入气源的进气量，为等离子体的生成创造理想的环境，且保证了气体流量的精确控制，从而提高了起辉的成功率和效率，整个过程无需人工干预，大大减少了操作复杂性，提升了工艺的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118961049B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411447309.5
申请日：2024-10-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于电路测量的技术领域，公开了一种真空计电容传感器的测量电路，该测量电路包括：依次连接的二极管双T型交流电桥电路、多级放大电路、后置滤波电路和ADC采样电路；当被测腔体内的气体压力没有发生变化时，二极管双T型交流电桥电路处于平衡状态，二极管双T型交流电桥电路中无直流电信号产生；当被测腔体内的气体压力发生变化时，二极管双T型交流电桥电路处于不平衡状态，二极管双T型交流电桥电路根据气体压力变化量产生对应的直流电信号；通过测量电路中的二极管双T型交流电桥电路，对被测腔体内的气体压力变化量进行测量，提高了真空计电容传感器的测量电路的测量精度。
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公开(公告)号：CN119081005A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411576404.5
申请日：2024-11-06
Applicant: 季华实验室
IPC: C08F222/14 , C08J9/26 , C08F220/06 , C08F220/56 , B01J20/26 , B01J20/30 , C08L35/02
Abstract: 本申请涉及生物化工技术领域，公开了一种反式阿魏酸双功能单体分子印迹聚合物及其制备方法、应用。步骤包括：配制反式阿魏酸溶液；将反式阿魏酸溶液平均分成第一反式阿魏酸溶液和第二反式阿魏酸溶液，在第一反式阿魏酸溶液中加入甲基丙烯酸后搅拌混合，在第二反式阿魏酸溶液中加入丙烯酰胺后搅拌混合，再将第一反式阿魏酸溶液和第二反式阿魏酸溶液混合得到混合溶液；在混合溶液中加入交联剂和偶氮二异丁腈，通入氮气，密封，加热到反应温度，搅拌反应，得到聚合材料；将聚合材料洗去反式阿魏酸，再洗至中性，加热真空干燥，得到反式阿魏酸双功能单体分子印迹聚合物。该印迹聚合物可实现高效特异性吸附，可经固相萃取对反式阿魏酸大规模分离纯化。
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