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公开(公告)号：CN116719504A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310477982.2
申请日：2023-04-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种存内矩阵向量乘加运算系统及其运算方法，其中的运算系统包括半导体器件阵列、输入脉冲产生单元以及输出提取单元；半导体器件阵列中的各列半导体器件的阻变模式由预设权重值确定；输入脉冲产生单元用于根据预设输入向量中的各输入值产生不同幅值或脉宽的输入脉冲，并将各输入脉冲依次并行写入半导体器件阵列中的对应列的半导体器件中；输出提取单元用于依次提取半导体器件阵列的各列的输出比特流加和，以得到输出向量的各输出值。本发明能够解决随机计算中传统的乘加计算单元运算速度慢，而使用共享FSM和计数器实现并行MAC硬件又存在硬件开销大，导致电路功耗、延迟增大的问题。
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公开(公告)号：CN116180215B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310489730.1
申请日：2023-05-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于单晶炉技术领域，具体为一种单晶炉辅助拉晶装置及其使用方法，包括液压杆，所述液压杆的下方固定连接有顶盘，顶盘底部的四周固定连接有连接柱，所述连接柱的下方固定连接有支撑块，所述支撑块的内部安装有转向组件，所述转向组件的下方连接有外壳，所述外壳上半部分的内部安装有提升组件，所述提升组件的下方安装有钨丝籽晶绳，所述钨丝籽晶绳的末端连接有绳头，绳头的外侧固定安装有密封盘，外壳内壁的四周安装有压轮，外壳的左右两侧开设有移动槽，移动槽的内部贴合设置有活塞块。该装置能够在将硅锭升至最高时自动截断余料，而且能够对硅锭整体的放置方式进行调节，在横置时能够适应硅锭表面的起伏对硅锭稳定承托。
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公开(公告)号：CN116180212B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310469085.7
申请日：2023-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于拉晶装置技术领域，具体为一种高温自动加料的拉晶装置及其使用方法，包括支撑座，所述支撑座的左侧固定设置有连接板，连接板的顶部固定连接有连接座，连接座的内部转动安装有转辊，转辊的表面安装有输送带，所述连接座的前后两端均固定安装有待转移支撑框，所述转辊的左右两侧均安装有自动送料组件，所述连接板的左侧和支撑座的左侧均固定连接有连接轴，所述连接轴和相邻连接轴之间转动连接有内管套，所述内管套的内部安装有牵引组件。该拉晶装置不仅能够将其中一处硅锭移动至待转移区域时，自动将下一处硅锭取出，而且能够根据熔融硅原料的液面高度位置进行自动定量加料，提高了生产效率和自动化程度。
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公开(公告)号：CN116168788B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310451962.8
申请日：2023-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了基于大数据的熔融液态硅晶分凝系数分析方法及系统，涉及半导体技术领域。为了解决对硅熔液中的分凝系数进行分析时，通常只分析溶液中的分凝系数，这样分析出来的结果准确度不高的问题。基于大数据的熔融液态硅晶分凝系数分析方法，包括以下步骤：加热得到硅熔液，并预设硅熔液分凝系数，获取掺杂离子和浓度系数，计算得出第一分凝系数k1，对硅溶液进行凝固处理，对硅晶体区的离子数据进行分析，计算得到第二分凝系数k2，计算得到最终的分凝系数m。本发明能够获得高度准确的分析结果，进而在加工硅晶体时能够准确的添加掺杂剂，保证了硅晶体的成品质量。
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公开(公告)号：CN116486857A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310555036.5
申请日：2023-05-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于电荷再分配的存内计算电路，属于半导体(Semiconductor)和CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的非挥发性存储器(Non‑volatile Memory)与存内计算(Compute‑In‑Memory)技术领域。本发明基于电荷再分配的存内计算电路，利用电荷再分配实现向量矩阵乘法计算，整个计算过程中只有电荷转移过程且没有直流电流，极大降低计算功耗；本发明中的多功能输出单元及外围电路，同时具备钳位求和、正负列求差、模拟移位相加与模数转换功能，相比分别独立实现以上模块，降低了系统面积开销。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116368463A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180003113.5
申请日：2021-10-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: G06F7/58
Abstract: 本公开提供了一种随机数生成器及随机数生成方法。所述随机数生成器包括：随机数产生电路，用于基于控制字生成脉冲信号，以及根据所述脉冲信号产生随机数信号，所述脉冲信号包括交替出现的第一频率信号和第二频率信号，所述第一频率信号和所述第二频率信号的比例由所述控制字控制；反馈更新电路，用于基于所述随机数产生电路输出的所述随机数信号更新所述控制字。
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公开(公告)号：CN116208180A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310192640.6
申请日：2023-02-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种BCH码高效并行编解码方法，属于存储器和纠错编码领域中的BCH编解码电路实现技术领域。本发明与以往查表法不同的是，对于n位编码字长度、k位数据位、t位纠错能力的(n，k，t)BCH码，本发明只需要存储k个n‑k位校验矩阵列向量的值，通过这k个n‑k位校验矩阵列向量与S伴随式值进行t轮按位异或，由按位异或值得出接收码字所对应的差错图样，并加以纠正。本发明属于硬件层面的编码和译码实现，可在一拍内完成，减少迭代算法带来的多拍译码延时，实现了BCH编译码的并行化，同时简化了编译码过程，实现资源占用的减少。
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公开(公告)号：CN116187112A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310486587.0
申请日：2023-05-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法及系统，属于半导体技术领域。基于大数据的提高单晶生长热对流分布均匀的方法，包括以下步骤：获取单晶炉热场参数源数据；对获取的源数据进行预处理，得到预处理的源数据；输入单晶生长环境感知物联网产生的数据到大数据平台，通过运算框架对所述预处理的源数据建立模型；根据单晶炉热场参数源数据。本发明解决了现有技术中没有对单晶炉热场进行合理设计，导致单晶生长质量低的问题，对原有单晶炉热场进行扩容处理，能够对单晶硅的直径具有包容性，适用面广；且扩容后的单晶炉热场功耗相较于原单晶炉热场的功耗较低，因而单晶硅生成的质量较好。
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公开(公告)号：CN115906976A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211461099.6
申请日：2022-11-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种全模拟向量矩阵乘法存内计算电路及其应用，属于半导体和CMOS超大规模集成电路中存内计算技术领域。该电路包括输入电路、阵列、输出钳位电路和模拟移位相加单元，输入电路对模拟输入进行采样并保持，然后输入阵列，阵列采用阻性器件，以电导的形式存储权重，根据基尔霍夫定律与欧姆定律，模拟输入和电导进行相乘，完成输入与权重的向量矩阵乘法，输出钳位电路将阵列输出点钳位到零电平，并将电流形式的计算结果转换为电压形式输出，采用模拟移位相加单元电路将各列的计算结果移位相加以完成进位计算。本发明与传统以数模混合计算方式工作的存内计算电路不同，完全工作在模拟域，存内计算电路的面积与功耗问题得到有效改善。
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公开(公告)号：CN110751279B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201910822008.9
申请日：2019-09-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种铁电电容耦合神经网络电路结构及神经网络中向量与矩阵的乘法运算方法。该铁电电容耦合神经网络电路结构包括基于铁电电容的权值阵列，以及与权值阵列连接的外部电路结构；权值阵列的每一个权值单元包含一个场效应晶体管和一个铁电电容。外部电路结构包括多路选择器和神经元电路。将训练好的神经网络的权值预先写入到权值矩阵中；使用互补时钟控制多路选择器和神经元电路中的开关，实现神经网络中向量与矩阵的乘法运算。本发明利用铁电电容的非易失多值特性，通过电容电荷积累与电荷重分配的特性，可以高速度、低功耗地完成向量与矩阵的乘法，电路结构简单，与现有CMOS工艺兼容，对未来神经网络加速芯片的研究有着重要意义。
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