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公开(公告)号：CN118890955A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410939692.X
申请日：2024-07-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种叠层氧化物忆阻器的制备方法，属于半导体(semiconductor)和CMOS混合集成电路技术领域。本发明叠层氧化物忆阻器包括底电极层、介质层A、介质层B和顶电极层，在制备完氧化物忆阻器的两层介质层后，在氮气氛围下，采用激光扫描的方式对介质层表面进行退火处理。采用本发明可以有效缓解介质层界面损伤，提升忆阻器性能。
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公开(公告)号：CN110752293A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910924689.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种双向阈值开关选择器件及其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明利用势垒层薄膜和阈值开关特性的薄膜叠加效应，可以实现对选择管器件的电流-电压特性进行优化，使该器件展现出对称双向阈值开关选择的特性。本发明基于采用传统CMOS工艺来实现双向阈值开关选择管器件，以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。
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公开(公告)号：CN110619108A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910753677.5
申请日：2019-08-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种基于铁电存储器的神经网络电路及其控制方法，属于半导体(semiconductor)、和CMOS混合集成电路技术领域。本发明通过创新的电路设计，使得向量与矩阵的乘法运算有了新型的解决方式。这种解决方式利用电容电荷积累与电荷重分配的特性，可以高速度、低功耗地完成向量与矩阵的乘法，且具有电路结构简单，与现有CMOS工艺兼容的特性，对未来新型神经网络加速芯片的研究有着重要意义。
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公开(公告)号：CN117521163A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311453923.8
申请日：2023-11-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于互补阻变忆阻器的物理不可克隆函数的实现方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。由于处于高阻态的互补阻变忆阻器有两种不同的状态，且不同状态下的高阻器件对外界激励的响应不同，一种高阻态只可以施加正向电压操作，另一种高阻态只可以施加负向电压操作，基于互补阻变忆阻器构建物理不可克隆函数时的高阻器件都处于相同的状态，可以根据器件所处的状态使用正向脉冲电压或负向脉冲电压实现对物理不可克隆函数进行重构、隐藏或者恢复。因此，基于互补阻变忆阻器构建的物理不可克隆函数具有更高的安全性，有望广泛应用于高安全性的硬件安全保护系统中。
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公开(公告)号：CN110751279B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201910822008.9
申请日：2019-09-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种铁电电容耦合神经网络电路结构及神经网络中向量与矩阵的乘法运算方法。该铁电电容耦合神经网络电路结构包括基于铁电电容的权值阵列，以及与权值阵列连接的外部电路结构；权值阵列的每一个权值单元包含一个场效应晶体管和一个铁电电容。外部电路结构包括多路选择器和神经元电路。将训练好的神经网络的权值预先写入到权值矩阵中；使用互补时钟控制多路选择器和神经元电路中的开关，实现神经网络中向量与矩阵的乘法运算。本发明利用铁电电容的非易失多值特性，通过电容电荷积累与电荷重分配的特性，可以高速度、低功耗地完成向量与矩阵的乘法，电路结构简单，与现有CMOS工艺兼容，对未来神经网络加速芯片的研究有着重要意义。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110783453B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201910903216.1
申请日：2019-09-24
Applicant: 北京大学
IPC: H10B63/10
Abstract: 具有自选择的阻变存储器件，以期降低甚至消除本发明提供一种双模阻变存储器，包括衬底 阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。和位于衬底上的底电极‑阻变层‑自选择层‑顶电极结构。本发明还提供一种双模阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积自选择层，并施加退火处理工序；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和自选择层刻蚀出底电极引出孔；(56)对比文件Xinjun Liu et al..Co-Occurrence ofThreshold Switching and Memory Switchingin Pt/NbOx/Pt Cells for Crosspoint MemoryApplications《.IEEE ELECTRON DEVICELETTERS》.2012,第33卷(第2期),第236页.
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公开(公告)号：CN117377325A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311467983.5
申请日：2023-11-07
Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氧化物存储器的制备方法，属于半导体(semiconductor)和CMOS混合集成电路技术领域。本发明在传统MOSFET器件的漏端上制备氧化物存储器，该氧化物存储器包括底电极层、金属氧化物层、介质层和顶电极层，所述底电极层和顶电极层采用金属活性材料。本发明在氧氛围下采用激光退火的方式，通过在局部精细产热，可控地氧化存储器的电极，进而改变器件电极活性，最终提升器件性能。
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公开(公告)号：CN117219139A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311170478.4
申请日：2023-09-12
Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 北京大学
IPC: G11C11/4078 , G11C11/4063
Abstract: 本发明公开一种基于自激活阻变器件的物理不可克隆函数的实现方法，属于半导体(semiconductor)和CMOS混合集成电路技术领域。本发明利用自激活忆阻器件同时具有优异的存储特性和选择特性，只有在达到阈值电压时，才对器件进行写入、擦除和读取的操作。本发明无需集成晶体管即可抑制串扰和泄漏电流问题，可靠性高，集成潜力大，因此可有效提升物理不可克隆函数的安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN110619108B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910753677.5
申请日：2019-08-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种基于铁电存储器的神经网络电路及其控制方法，属于半导体(semiconductor)、和CMOS混合集成电路技术领域。本发明通过创新的电路设计，使得向量与矩阵的乘法运算有了新型的解决方式。这种解决方式利用电容电荷积累与电荷重分配的特性，可以高速度、低功耗地完成向量与矩阵的乘法，且具有电路结构简单，与现有CMOS工艺兼容的特性，对未来新型神经网络加速芯片的研究有着重要意义。
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