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公开(公告)号：CN110783453B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201910903216.1
申请日：2019-09-24
Applicant: 北京大学
IPC: H10B63/10
Abstract: 具有自选择的阻变存储器件，以期降低甚至消除本发明提供一种双模阻变存储器，包括衬底 阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。和位于衬底上的底电极‑阻变层‑自选择层‑顶电极结构。本发明还提供一种双模阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积自选择层，并施加退火处理工序；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和自选择层刻蚀出底电极引出孔；(56)对比文件Xinjun Liu et al..Co-Occurrence ofThreshold Switching and Memory Switchingin Pt/NbOx/Pt Cells for Crosspoint MemoryApplications《.IEEE ELECTRON DEVICELETTERS》.2012,第33卷(第2期),第236页.
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公开(公告)号：CN110751279B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201910822008.9
申请日：2019-09-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种铁电电容耦合神经网络电路结构及神经网络中向量与矩阵的乘法运算方法。该铁电电容耦合神经网络电路结构包括基于铁电电容的权值阵列，以及与权值阵列连接的外部电路结构；权值阵列的每一个权值单元包含一个场效应晶体管和一个铁电电容。外部电路结构包括多路选择器和神经元电路。将训练好的神经网络的权值预先写入到权值矩阵中；使用互补时钟控制多路选择器和神经元电路中的开关，实现神经网络中向量与矩阵的乘法运算。本发明利用铁电电容的非易失多值特性，通过电容电荷积累与电荷重分配的特性，可以高速度、低功耗地完成向量与矩阵的乘法，电路结构简单，与现有CMOS工艺兼容，对未来神经网络加速芯片的研究有着重要意义。
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公开(公告)号：CN113421963A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110647502.3
申请日：2021-06-10
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种低功耗三维阻变存储器，在阻变存储器的电极与阻变薄膜之间插入了一层石墨烯阻挡层，所述石墨烯阻挡层为化学气相淀积法制备的石墨烯薄膜，其中存在少量纳米缺陷孔。该石墨烯阻挡层可以限制电极金属往阻变层的移动，使金属只能从少量的缺陷孔中通过，限制金属导电细丝的生长。因此，器件在数据写入过程中只能形成较细、较少的金属导电细丝，从而在数据擦除过程中大幅降低数据擦除电流，显著降低阻变存储器的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110752293A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910924689.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种双向阈值开关选择器件及其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明利用势垒层薄膜和阈值开关特性的薄膜叠加效应，可以实现对选择管器件的电流-电压特性进行优化，使该器件展现出对称双向阈值开关选择的特性。本发明基于采用传统CMOS工艺来实现双向阈值开关选择管器件，以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。
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公开(公告)号：CN110783453A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910903216.1
申请日：2019-09-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种双模阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极-阻变层-自选择层-顶电极结构。本发明还提供一种双模阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积自选择层，并施加退火处理工序；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和自选择层刻蚀出底电极引出孔；5)定义顶电极图形，按照该图形在自选择层上制备顶电极。本发明基于采用传统CMOS工艺来实现具有自选择的阻变存储器件，以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。
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公开(公告)号：CN110751279A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910822008.9
申请日：2019-09-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种铁电电容耦合神经网络电路结构及神经网络中向量与矩阵的乘法运算方法。该铁电电容耦合神经网络电路结构包括基于铁电电容的权值阵列，以及与权值阵列连接的外部电路结构；权值阵列的每一个权值单元包含一个场效应晶体管和一个铁电电容。外部电路结构包括多路选择器和神经元电路。将训练好的神经网络的权值预先写入到权值矩阵中；使用互补时钟控制多路选择器和神经元电路中的开关，实现神经网络中向量与矩阵的乘法运算。本发明利用铁电电容的非易失多值特性，通过电容电荷积累与电荷重分配的特性，可以高速度、低功耗地完成向量与矩阵的乘法，电路结构简单，与现有CMOS工艺兼容，对未来神经网络加速芯片的研究有着重要意义。
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公开(公告)号：CN213342338U
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202022564720.4
申请日：2020-11-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种散热手机壳，包括手机壳壳体，其特征在于，在手机壳壳体的内部设置有脉动热管，所述脉动热管的分布区域对应连接手机表面的高温区与低温区，分别形成蒸发段和冷凝段，其余部分为绝热段，工作时，蒸发段吸收热量，冷凝段释放热量，导致管内液塞和气塞的膨胀、压缩和相互转换，并形成液塞振荡运动的驱动力，将热量不断从蒸发段传导至冷凝段。该散热手机壳结构简单，成本低，体积小，使用方便，在有效保护手机免受损坏的同时，高效将手机产生的热量散发，增加了手机使用的安全性和稳定性，提升了手机的使用体验。
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公开(公告)号：CN213661697U
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202022566138.1
申请日：2020-11-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种具有散热功能的手机壳，包括手机壳壳体，其特征在于，在手机壳壳体内部设置有热管，所述热管的分布区域对应连接手机表面的高温区与低温区。所述热管可分为蒸发段、绝热段和冷凝段，当蒸发段受热时，热管内吸液芯中的散热工质吸收热量后蒸发为气体；蒸发段的蒸汽压力上升并高于冷凝段的气体压力，所形成的压力差迅速推动蒸气向冷凝段流动；气体在冷凝段内的气液分界面上转换成液体并释放大量的热；液体再沿吸液芯靠毛细力的作用重新流回蒸发段，如此循环不已，从而使热量高效地传输。该手机壳结构简单，成本低，体积小，使用方便，在有效保护手机的同时，高效将手机产生的热量散发，增加了手机使用的安全性和稳定性。
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