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公开(公告)号：CN120035160A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510011666.5
申请日：2025-01-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种二维环栅晶体管的制备方法、二维环栅晶体管及芯片，首先在加工基底上制备背电极；采用可控氧化工艺或原子层沉积工艺制备二维半导体‑外层栅介质环栅异质结；二维半导体‑外层栅介质环栅异质结包括二维半导体沟道和外层栅介质；将二维半导体‑外层栅介质环栅异质结设置到背电极上；在二维半导体‑外层栅介质环栅异质结的第一区域上形成环栅电极，环栅电极和背电极对第一区域的二维半导体‑外层栅介质环栅异质结全包覆；在二维半导体‑外层栅介质环栅异质结的第二区域和第三区域上刻蚀源极/漏极接触区域；在源极/漏极接触区域上原位形成源极/漏极。本发明的二维环栅晶体管符合埃米节点对于低功耗、高性能晶体管的要求。
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公开(公告)号：CN119270533A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411581699.5
申请日：2024-11-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种高带宽的石墨烯/硅光强度调制器，属于硅基光电子集成芯片领域。该调制器包括硅光波导衬底、石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构、偏压端和接地端；所述硅光波导衬底上设置石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构；所述石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构由上、下两层石墨烯和上、下两层石墨烯中间的高k栅介质组成；所述上、下两层石墨烯两端分别设置偏压端和接地端。本发明的调制器利用无机分子晶体氧化锑/氧化铝作为复合高k栅介质，可以有效保持石墨烯的硅基室温载流子迁移率、剩余载流子浓度等材料电学品质，从而减小器件的电阻‑电容参数，为提升石墨烯/硅光强度调制器的高频模拟带宽提供了新的解决方案。
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公开(公告)号：CN118064856B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410168665.7
申请日：2024-02-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种透射电镜载网网格阵列批量化制备方法，属于材料领域。本发明的方法包括在硬质衬底表面溅射一层金属薄膜基底后，利用光刻构筑周期性的光刻胶软模板阵列为掩膜，再通过电镀构筑透射电镜载网网格格栅阵列结构，最后去除所述周期性的光刻胶软模板阵列与金属薄膜基底，得到所述透射电镜载网网格阵列。本发明的方法解决了国内透射电镜载网网格批量化制备的技术问题，该方法简单易行，并具有普适性；所制备的透射电镜载网网格结构质量优异，可直接用于符合透射电镜制样要求的普通电镜载网和石墨烯电镜载网的制备，后者可用于冷冻电镜单颗粒结构解析以及纳米颗粒、单原子的高分辨成像。
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公开(公告)号：CN114093438B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202111263213.X
申请日：2021-10-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态库网络时序信息处理方法。该方法利用具有高电子迁移率且性质稳定的层状二维材料Bi2O2Se作为有效层沟道制备背栅场效应晶体管结构的多模态光热传感器，根据该器件对电脉冲、光脉冲、升温脉冲和降温脉冲的高维度、非线性的记忆衰退特性，实现了多模态库网络设计，通过该多模态库网络处理时序信息，训练成本低，且效率高、精度高。
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公开(公告)号：CN113990953B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202111247985.4
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用。本发明将Bi2O2Se纳米片转移到硅/高k衬底上作为沟道，通过CMOS兼容的工艺制备背栅场效应晶体管，该器件作为多模态光热传感器可以同时对光信号和热信号产生响应，通过光照和降温实现“AND”和“OR”逻辑操作，通过光照和升温实现“XOR”逻辑操作。利用该器件组成电路，通过以上布尔逻辑可实现对热点图的边缘检测，从而可以对具有光热特征的热点图进行预处理分类。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118443700A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410883073.3
申请日：2024-07-03
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/20008 , G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N1/34 , G01N1/31 , G01N1/44
Abstract: 本发明公开了一种利用具有多孔阵列结构的软模板制备多孔碳膜透射电镜载网的方法，属于材料领域。本发明的具有多孔阵列结构的碳膜透射电镜载网的制备方法，包括以下步骤：将具有多孔阵列结构的软模板转移至透射电镜载网网格表面，然后在透射电镜载网表面沉积碳膜，去除软模板，即得到所述具有多孔阵列结构的碳膜透射电镜载网。本发明的方法简单易行，可重复度高，并具有普适性；所得碳膜透射电镜载网的网格结构质量优异，具备批量化制备的潜力，同时可直接用于符合透射电镜制样要求的石墨烯电镜载网的制备，后者可用于冷冻电镜单颗粒三维结构解析以及纳米颗粒、单原子的高分辨成像。
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公开(公告)号：CN115165933B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210741389.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20025 , G01N23/2202 , G01N23/2251 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯‑多孔膜‑石墨烯三明治液池结构及其制备方法和应用，属于材料领域。本发明的制备方法包括将厚度、尺寸可控的多孔膜与石墨烯贴合后得到石墨烯‑多孔膜复合结构，随后将其转移至金属微栅上，得到金属微栅‑石墨烯‑多孔膜复合结构；在所述金属微栅‑石墨烯‑多孔膜复合结构上再转移一片自支撑的石墨烯膜构成石墨烯‑多孔膜‑石墨烯三明治液池结构，其中，液体被封装在多孔膜的圆柱形的孔洞中，同时上、下表面分别被石墨烯封装。本发明的石墨烯‑多孔膜‑石墨烯三明治液池结构可进行液相电镜成像或冷冻电镜成像。
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公开(公告)号：CN106542598B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201710049845.3
申请日：2017-01-23
Applicant: 北京大学
IPC: C02F1/14 , C02F103/08
Abstract: 本发明公开了一种太阳能海水淡化装置。所述太阳能海水淡化装置包括海水蒸发室；其中，所述装置还包括冷凝收集盖、微孔聚热蒸发片和环形水槽；所述冷凝收集盖位于所述海水蒸发室上部，用于收集所述海水蒸发室中蒸发的水蒸汽；所述冷凝收集盖的上盖板倾斜放置；所述冷凝收集盖的下部设有所述环形水槽，用于收集所述冷凝收集盖冷凝的水；所述微孔聚热蒸发片位于所述海水蒸发室内海水上表面；所述海水蒸发室的下部一端设有海水进水口，另一端设有冷凝水收集口；所述冷凝水收集口位于所述环形水槽底部。本发明提供的太阳能海水淡化装置能提高太阳能海水淡化效率与产率。
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公开(公告)号：CN117265667A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210666295.0
申请日：2022-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种批量化制备晶圆级单一取向二维Bi2O2Se垂直鳍(Fin)阵列及的方法。该方法包括如下步骤：以氧化物MgO(110)单晶晶圆为基底，Bi2O3粉末、Bi2Se3块体和高纯氩/氧混合气为原料进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述二维Bi2O2Se垂直Fin阵列晶圆。该方法经济、流程简单，所得晶圆级单一取向二维Bi2O2Se垂直Fin阵列具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN116936812A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210362204.4
申请日：2022-04-07
IPC: H01M4/66
Abstract: 本发明公开了一种集流体复合材料，包括高氮含量掺杂的石墨烯修饰的铝箔。还公开了该集流体复合材料的制备方法以及其在锂离子电池正极中的应用。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，降低氮掺杂和石墨烯生长的反应温度，制备得到高氮含量掺杂的石墨烯修饰的铝箔，增加石墨烯层和电池正极材料的界面粘合力。
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