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发明公开
一种高质量晶圆级单一取向二维硒氧化铋垂直鳍片阵列批量化制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117265667A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210666295.0

申请日：2022-06-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭海琳 , 于梦诗 , 谭聪伟 , 唐浚川

IPC: C30B29/46 , C30B25/18

Abstract: 本发明公开了一种批量化制备晶圆级单一取向二维Bi2O2Se垂直鳍(Fin)阵列及的方法。该方法包括如下步骤：以氧化物MgO(110)单晶晶圆为基底，Bi2O3粉末、Bi2Se3块体和高纯氩/氧混合气为原料进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述二维Bi2O2Se垂直Fin阵列晶圆。该方法经济、流程简单，所得晶圆级单一取向二维Bi2O2Se垂直Fin阵列具有广阔应用前景。

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