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公开(公告)号：CN104409344A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410652670.1
申请日：2014-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L21/3245
Abstract: 一种降低Ni/Au与p-GaN欧姆接触的比接触电阻率的方法，包括如下步骤：步骤1：在p-GaN层上生长重掺杂的p-GaN薄层；步骤2：对p-GaN层和p-GaN薄层进行Mg激活退火；步骤3：在p-GaN薄层上生长重掺杂的p-InGaN薄层；步骤4：对p-InGaN薄层进行Mg激活退火，形成样品；步骤5：将样品表面进行处理，在样品表面光刻，形成图形；步骤6：在样品的表面通过电子束蒸发来蒸发Ni/Au金属层；步骤7：将多余的Ni/Au金属层剥离；步骤8：退火形成Ni/Au合金，形成欧姆接触，完成制备。本发明可以进一步提高p-GaN欧姆接触的性能，以更好的将宽禁带半导体材料应用于高频、大功率器件。
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公开(公告)号：CN104269740A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410490395.8
申请日：2014-09-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种激光器及其制作方法。所述激光器包括：N型砷化镓衬底；N型覆盖层，制作N型砷化镓衬底正面；第一超晶格层，制作在N型覆盖层上；N型波导层，制作在超晶格层上；有源层，制作在N型波导层上；P型波导层，制作在有源层上；第二超晶格层，制作在P型波导层上；P型覆盖层，制作在超晶格层上；P型欧姆接触层，制作在P型覆盖层上；P型欧姆电极，制作在P型欧姆接触层上；N型欧姆电极，制作在N型砷化镓衬底(10)背面。本发明中本发明利用超晶格层不仅能提供低折射率势垒，而且具有高的载流子输运的能力，使激光器同时具有低阈值电流、低垂直发散角以及高的载流子输运的能力。
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公开(公告)号：CN104141171A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410337785.1
申请日：2014-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的SixNy非晶层(12)；在未被SixNy非晶层覆盖的缓冲层(11)上形成GaN层(18)，使GaN在缓冲层(11)的小岛上成核生长，形成GaN复合薄膜；以及由此得到的一种在Si衬底上形成的GaN复合薄膜。本发明的在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法可以实现无裂纹、高质量的生长，从而得到高电阻、低位错的GaN复合薄膜。
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公开(公告)号：CN101626025B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810116416.4
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/84
Abstract: 一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处；一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处；一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。
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公开(公告)号：CN101901850A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910085926.4
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器，包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一I型有源层，该I型有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间，该I型有源层的面积小于N型欧姆接触层的面积，使N型欧姆接触层的两侧各形成一台面；一P型有源层，该P型有源层制作在I型有源层上；两N型欧姆电极，该两N型欧姆电极分别制作在N型欧姆接触层上面两侧的台面上；一肖特基电极，该肖特基电极制作在P型有源层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101814537A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910077383.1
申请日：2009-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。
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公开(公告)号：CN101777600A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010034282.9
申请日：2010-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基紫外-红外双色探测器，其中包括：一衬底；一欧姆接触层，该欧姆接触层制作在衬底上；一紫外吸收层，该紫外吸收层制作在欧姆接触层上的一侧，该紫外吸收层的面积小于欧姆接触层的面积，在欧姆接触层的另一侧形成一台面；一红外吸收层，该红外吸收层制作在紫外吸收层上；一第一欧姆电极，该第一欧姆电极制作在红外吸收层上；一第二欧姆电极，该第二欧姆电极制作在欧姆接触层上的台面上。
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公开(公告)号：CN100454585C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200410074363.6
申请日：2004-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , G01N21/33 , G01J1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种PIN结构氮化镓基紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上，并且该有源层的面积小于N型欧姆接触层；一窗口层，该窗口层制作在有源层上；一N型欧姆电极，该N型欧姆电极制作在N型欧姆接触层上；一P型欧姆电极，该P型欧姆电极制作在窗口层上。
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公开(公告)号：CN1956148A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200510118016.3
申请日：2005-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种提高铝镓氮材料质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层成核层；步骤3：在该成核层上生长一层过渡层；步骤4：在该过渡层上生长一层掺杂的铝镓氮层，完成材料的制作。
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