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公开(公告)号：CN108665887A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810281591.2
申请日：2018-04-02
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G10K11/178
Abstract: 本发明请求保护一种基于改进FxLMS算法的主动噪声控制系统与方法。主要包括5个模块：(1)FxLMS算法、(2)次级通道、(3)性能监视、(4)变功率白噪声产生器及(5)主通道路径。本发明目的在于提高ANC系统的降噪性能以及次级通道的建模精度和收敛速率。创新点在于针对次级通道的训练信号(辅助随机白噪声)进行了功率调度，然后通过观察(2)中的性能，当μSmax-μS＜α(1×10-5＜α＜1×10-3)时，停止(4)中的辅助随机白噪声的注入；当20log10|f(n)|＜0时，重新开启(4)中的辅助随机白噪声的注入。从而实现对次级通道进行在线建模和离线建模的相互转换，最终得到一个具有较高建模精度和降噪性能的ANC系统。结构简单、易适应环境变化和大方差辅助白噪声等特点。
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公开(公告)号：CN108563881A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810359099.2
申请日：2018-04-20
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于遗传算法优化的高增益V波段功率放大器，包括两级依次串接的伪差分共源结构，并在伪差分共源放大器结构上采用交叉耦合电容中和技术；输入级匹配网络采用串联电容并联电感的方式；放大器两级直接采用电容直接耦合链接进行匹配。在输入级匹配网络中采用一个并联电感，能够降低匹配网络的损耗；此外，采用交叉耦合中电电容，用来提高功率增益，改善电路反向隔离度和稳定性，同时在不增加额外功耗下实现了高增益。为解决由于元件寄生造成的中心频率和匹配性能偏离理论值，采用遗传算法对无源器件(电感)及CMOS晶体管尺寸进行微调，使得电路在寄生效应影响下也能达到最佳性能。本发明所设计的电路结构简单，易于设计实现。
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公开(公告)号：CN104811739A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510205008.6
申请日：2015-04-27
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H04N19/80 , H04N19/117 , H04N19/436
Abstract: 本发明涉及一种基于运动补偿的H.264快速插值方法，属于视频编码技术领域。包括以下步骤：1)用系数为(-1,5,5,-1)的4阶滤波器对水平方向上相邻的4个整数像素点进行插值，先得到中间值，然后经过加法、移位运算，得到预测值；2)对于垂直方向的二分之一像素，用系数为(-1,5,5,-1)的4阶滤波器对垂直方向上相邻的4个整数像素点进行插值，得到中间值，然后经过加法、移位运算，得到预测值；3)对于对角线方向的二分之一像素，用系数为(-1,5,5,-1)的4阶滤波器对水平或垂直方向上对相邻的4个二分之一像素点中间值进行插值，先得到中间值，然后再对中间值进行加法、移位处理得到预测值。本方法相比于传统方法，可以在提高运算时间的同时，减少计算复杂度，减小硬件的资源消耗。
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公开(公告)号：CN104794294A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510204629.2
申请日：2015-04-27
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种Ge/Si SACM结构雪崩光电二极管的等效电路模型建立方法，属于半导体光电二极管技术领域。该方法基于Ge/Si异质结特性，从器件内部的物理机理上对Ge/Si SACM-APD器件进行理论分析，从APD速率方程、噪声电流、暗电流和寄生参量四部分来建立APD的等效电路模型，包括以下步骤：1)将物理模型分解为多个部分，根据每一层结构构造载流子输运方程；2)构造对应于每一部分的子电路模块；3)互联这些子电路模块，建立等效电路模型。采用本方法可以很方便地对硅基APD器件进行模拟与设计，具有较好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101619984B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN200910104460.8
申请日：2009-07-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于颜色路标的移动机器人视觉导航方法，涉及智能控制领域。本发明设计了带有两个不同颜色环的圆柱体作为机器人视觉导航的路标，在HSI(HSI：Hue，Saturation，Intensity，色调，饱和度，亮度)颜色空间下，以H为主阈值，I为辅助阈值的阈值分割法和基于S分量边缘点数量统计的分割法相结合，有效地实现了彩色路标的分割；通过色环的图像信息，实现了机器人对路标的识别和对准技术。引入改进的灰度相关匹配法，优化了两色环中心垂直距离值。通过建立机器人坐标系和路标的成像模型，得到了路标的全局坐标，并最终引入粒子群算法对其优化。建立数学模型，完成了基于路标的机器人视觉重定位。
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公开(公告)号：CN102507704A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110316787.9
申请日：2011-10-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N27/419 , H01L29/872 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅的肖特基势垒二极管氧传感器，包括SiC衬底层、TiO2氧气敏感层、金属铂电极I、n+高掺杂层和钛-铂金属复合层电极；SiC衬底层一侧溅射TiO2氧气敏感层，该氧气敏感层上溅射金属铂电极I，形成肖特基接触；SiC衬底层的另一侧依次设置有高掺杂n+层、钛-铂金属复合叠层，作为肖特基势垒二极管结构中的欧姆接触；本发明利用了碳化硅材料能满足传感器高温工作要求；由于金属铂电极的催化作用，TiO2氧气敏感层具有良好的氧敏特性，利用金属、半导体接触的氧传感器结构，检测氧气浓度的变化，该氧传感器具有很快的响应速度、极高的灵敏度、具有制作成本较低、制备工艺成熟、传感器重量较轻等优点。
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公开(公告)号：CN101958232B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010186282.0
申请日：2010-05-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种基于FTIR光谱监测的等离子体刻蚀机内部状态维护方法，在等离子体刻蚀机的反应腔室外壁开一个窗口，安装内反射晶体，在窗口的一端安装ATR-FTIR光谱探针，另一端安装红外探测器，使傅里叶变换红外光谱探针发射的光线在内反射晶体内多次反射后，从内反射晶体另一端射出，聚焦到红外探测器，所述碲镉汞探测器与图谱处理系统连接；定期或实时取得等离子体刻蚀机反应腔室内壁的傅里叶变换红外光谱图谱，用于测量所附着的聚合物的组分，通过与标准傅里叶变换红外光谱图谱进行比较，确定是否需要对反应腔室进行清洗，如是，则对等离子体刻蚀机反应腔室进行清洗。
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公开(公告)号：CN102075158A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010616525.X
申请日：2010-12-29
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03H7/12
Abstract: 本发明公开了一种通用的超宽带射频电路阻抗匹配网络的设计方法，在射频电路的射频输入端或是射频输出端外加一个宽带匹配网络，该宽带匹配网络可采用T型匹配网络、π型匹配网络或是混合型匹配网络中的一种，匹配网络中的元件可以是电感或是电容，将所设计的射频电路的输入反射系数S11或是输出反射系数S22在史密斯圆图中表示出来，通过匹配网络中串联或是并联电感或是电容，使得S11或是S22曲线在史密斯圆图内改变，最终使得这两段曲线全部落在-10dB阻抗匹配圆内，从而使得该射频电路在超宽带频带内实现阻抗匹配。采用该方法可以方便设计出最优的超宽带匹配网络，以低噪声放大器(LNA)为例，针对任意给定的LNA结构，通过在输入输出匹配网络中插入一个或若干个电感或电容，即可得到优化的匹配网络。在匹配网络设计过程中，通过调整元件连接方式和大小来调整反射系数曲线在史密斯圆图的位置使其能够在整个设计频段范围内移动到-10dB等反射系数圆内，达到在较宽频带范围内完成良好阻抗匹配的目的。
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公开(公告)号：CN101958232A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010186282.0
申请日：2010-05-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种基于FTIR光谱监测的等离子体刻蚀机内部状态维护方法，在等离子体刻蚀机的反应腔室外壁开一个窗口，安装内反射晶体，在窗口的一端安装ATR-FTIR光谱探针，另一端安装红外探测器，使傅里叶变换红外光谱探针发射的光线在内反射晶体内多次反射后，从内反射晶体另一端射出，聚焦到红外探测器，所述碲镉汞探测器与图谱处理系统连接；定期或实时取得等离子体刻蚀机反应腔室内壁的傅里叶变换红外光谱图谱，用于测量所附着的聚合物的组分，通过与标准傅里叶变换红外光谱图谱进行比较，确定是否需要对反应腔室进行清洗，如是，则对等离子体刻蚀机反应腔室进行清洗。
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