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公开(公告)号：CN115547839A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211228067.1
申请日：2022-10-09
IPC: H01L21/368 , H01L21/477 , H01L31/032 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y15/00
Abstract: 本申请属于太阳能电池技术领域，提供了一种无机钙钛矿纳米线薄膜的制备方法。首先将碘化铅溶解并在恒温条件下搅拌均匀得到碘化铅前驱液；在碘化铅前驱液中加入沉淀剂，得到淡黄色絮状物，并对淡黄色絮状物离心处理得到淡黄色胶体状物质，淡黄色胶体状物质真空干燥得到碘化铅复合产物；基于碘化铅复合产物得到前驱旋涂溶液，将前驱旋涂溶液在衬底上进行旋涂制膜，并退火处理得到疏松的碘化铅薄膜层；将碘化铅薄膜层依次置于碘化铯溶液、溴化铯溶液中浸泡处理后退火得到无机钙钛矿薄膜，从而基于疏松的PbI2纳米结构，可以充分与碘化铯溶液、溴化铯溶液接触并反应，制备取向性好、物化稳定性优、结晶性高的一维无机钙钛矿纳米线材料。
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公开(公告)号：CN115222029A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210833673.X
申请日：2022-07-15
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器的稳定电导获取方法、调控方法及应用。其中，该稳定电导获取方法包括如下步骤：向处于稳定低阻态的忆阻器的上下电极之间连续施加20～50个等幅值等脉宽的reset脉冲，并在施加的第10个reset脉冲起的每个reset脉冲后，向忆阻器施加读电压进行读操作，直到读操作读出的忆阻器的电导值处于稳定态，获取忆阻器在此时reset脉冲下的稳定电导态；然后通过等量提高reset脉冲的幅值或脉宽，获得多个reset脉冲下的稳定电导态。本发明可获得忆阻器稳定多值，操作方法简单，读次数少，同时还可有效降低电导调控过程中循环间偏差。
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公开(公告)号：CN115130346A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210759289.X
申请日：2022-06-30
IPC: G06F30/23 , G11C13/00 , H01L45/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的电热分析方法及系统，包括：将相变存储器的相变层等比例划分为相同体积的多个子区域；确定所述掺杂材料的掺杂比例，并按照掺杂比例计算掺杂材料所占的子区域数量；根据所计算的子区域数量随机选取相应数量的子区域填充掺杂材料，剩余子区域填充相变材料；确定掺杂材料、相变材料、上电极、下电极以及绝缘绝热层的电热参数；确定相变存储器的边界条件和电流参数；边界条件为热边界条件，电流参数为RESET/SET电流脉冲；结合上述电热参数、电流参数以及边界条件对所述相变存储器进行热仿真分析，确定相变存储器接收RESET/SET电流脉冲后其内部的温度场分布情况，以进一步分析相变存储器内部的相变区域和RESET/SET功耗。
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公开(公告)号：CN114597232B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210501761.X
申请日：2022-05-10
Abstract: 本发明公开了一种实现负权重的矩阵乘和运算的crossbar器件制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括crossbar阵列的多个单点器件，各单点器件均包括依次层叠设置的两个分立式的背栅电极、栅介质层、两个间隔的浮栅电极、隧穿层和二硫化钼，二硫化钼的上表面制备有源、漏电极和输出电极，各单点器件中的输出电极共线输出；将待训练神经网络的输入信息对应映射为各单点器件的漏电极电压，源电极电压与漏电极电压等大且极性相反，同时将待训练神经网络的权重信息对应映射为各单点器件中两个沟道区域的电导差，单点器件的电导差通过分别调节其中两个分立式的背栅电极的电压完成。本发明集成密度高，且制备的crossbar器件可实现具备存算一体的矩阵乘和运算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114507714B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210413282.2
申请日：2022-04-20
IPC: C12Q1/6825 , C12Q1/6883 , G06N3/12 , G06N3/06 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开了一种基于miRNA检测的二维材料半导体传感器制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括8个单点器件构成的crossbar阵列；制备PDMS通道，然后将PDMS通道转移热压至半导体器件的沟道区域上；向PDMS通道中的每个PDMS子通道中注射含有特定miRNA探针的PBS溶液，使得各PDMS子通道中二硫化钼表面均吸附固定有miRNA探针；构建全连接神经网络，获取训练好的全连接神经网络的权重因子，并将权重因子通过调节栅极电压对应映射至各单点器件的电导上。本发明检测流程简单快速，且还可实现对多种miRNA的联合检测，提高对心血管疾病检测的准确度。
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公开(公告)号：CN113594363B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110871633.X
申请日：2021-07-30
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种环境友好型的纤维素基自支撑忆阻器及其制备方法，属于半导体信息相关技术领域。该忆阻器自下而上包括柔性衬底、底电极层、功能层和顶电极；所述柔性衬底为再生纤维素膜，所述功能层为纤维素膜。本发明制备的纤维素基自支撑忆阻器解决了传统硅基忆阻器无法大面积制备、工艺繁琐且对环境有害的问题。本发明采用的材料为环境友好型天然高分子材料，来源广泛，制备工艺简单，成本低廉，对环境无毒无污染，为大面积制备柔性有机忆阻器提供了新的制备方法。
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公开(公告)号：CN114507714A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210413282.2
申请日：2022-04-20
IPC: C12Q1/6825 , C12Q1/6883 , G06N3/12 , G06N3/06 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开了一种基于miRNA检测的二维材料半导体传感器制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括8个单点器件构成的crossbar阵列；制备PDMS通道，然后将PDMS通道转移热压至半导体器件的沟道区域上，其中，PDMS通道包括crossbar阵列排布的8个PDMS子通道，各PDMS子通道对应热压在各单点器件的沟道区域上；向PDMS通道中的每个PDMS子通道中注射含有特定miRNA探针的PBS溶液，使得各PDMS子通道中二硫化钼表面均吸附固定有miRNA探针，miRNA探针的类型包括miRNA208、miRNA1、miRNA133和miRNA499；构建全连接神经网络，获取训练好的全连接神经网络的权重因子，并将权重因子通过调节栅极电压对应映射至各单点器件的电导上。本发明检测流程简单快速，且还可实现对多种miRNA的联合检测，提高对心血管疾病检测的准确度。
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公开(公告)号：CN114388350A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210290100.7
申请日：2022-03-23
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种晶圆清洗方法及装置，该方法包括：S1、将经过激光开槽和等离子切割后的待清洗晶圆置于真空腔室中，向真空腔室中通入氮气或惰性气体以清理待清洗晶圆表面的颗粒物；S2、保持真空腔室的真空环境，向其中通入水蒸气以清洗待清洗晶圆表面的激光保护胶；S3、保持真空腔室的真空环境，将氧化性气体电离形成的等离子体通入其中以清洗晶圆表面的聚合物；S4、保持真空腔室的真空环境，将还原性气体电离形成的等离子体通入其中以还原晶圆表面的氧化铜。本发明方法单纯依赖气体对切割后晶圆进行分步清洗，保证晶圆表面各类杂质彻底清除，同时不破坏承载膜和晶圆表面结构，该方法简化流程，高效环保。
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公开(公告)号：CN114358146A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111550255.1
申请日：2021-12-17
IPC: G06K9/62 , G06V10/774 , G06N3/02 , G06T7/11 , G06T7/136
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的图像特征选择方法及模块、神经网络模型，其方法包括：获取包含多张图像的数据集，每张图像包含M个特征，每个特征的特征值为0或1；统计数据集中图像第i个特征的特征值为1的图像数量Ni，设定图像数量阈值Nth；构建包含1行×M列的忆阻器阵列，每个忆阻器具有相同的脉冲数量阈值Pth，忆阻器的初始状态呈易失性并当接收到大于或等于脉冲数量阈值Pth的脉冲后转变为非易失性；向第i列的忆阻器Ri施加Pi个脉冲以调制对应忆阻器Ri的电导态，其中，Pi＝(Pth/Nth)×Ni。本申请充分利用了忆阻器易失性到非易失性的转换，能够筛选出数据集的公共特征，降低网络学习复杂度，从而使得特征处理、网络学习的硬件电路实现高密度集成。
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