公开(公告)号：CN115130346A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210759289.X

申请日：2022-06-30

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 程晓敏 ,  崔铭格 ,  曾运韬 ,  李凯 ,  缪向水

IPC: G06F30/23 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明提供一种相变存储器的电热分析方法及系统，包括：将相变存储器的相变层等比例划分为相同体积的多个子区域；确定所述掺杂材料的掺杂比例，并按照掺杂比例计算掺杂材料所占的子区域数量；根据所计算的子区域数量随机选取相应数量的子区域填充掺杂材料，剩余子区域填充相变材料；确定掺杂材料、相变材料、上电极、下电极以及绝缘绝热层的电热参数；确定相变存储器的边界条件和电流参数；边界条件为热边界条件，电流参数为RESET/SET电流脉冲；结合上述电热参数、电流参数以及边界条件对所述相变存储器进行热仿真分析，确定相变存储器接收RESET/SET电流脉冲后其内部的温度场分布情况，以进一步分析相变存储器内部的相变区域和RESET/SET功耗。

公开(公告)号：CN115084370A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210762301.2

申请日：2022-06-30

Applicant: 华中科技大学 ,  湖北江城实验室

Inventor： 程晓敏 ,  崔铭格 ,  曾运韬 ,  李凯 ,  缪向水

IPC: H01L45/00 ,  C30B23/02 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明提供一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器，相变薄膜的化学组成符合化学通式(TiTe2)x(Sb2Te3)1‑x，其中，x为TiTe2的百分比，且0

公开(公告)号：CN113628653B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202110785782.4

申请日：2021-07-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  何柱力 ,  韩西领 ,  崔铭格 ,  缪向水

IPC: G11C13/00 ,  G02F3/00 ,  H03K19/173

Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的全光布尔逻辑器件及其二元逻辑实现方法，包括分两级连接的三个Y分支型波导结构与两个相变功能单元组成；逻辑实现方法上，设置两个Y分支上的四个端口为输入端，由于相变材料受到光脉冲的脉冲宽度调节，因此采用光延时器对不同输入脉冲进行延时，再通过Y分支结构进行两两耦合，得到新的组合脉冲，作用于直波导上覆盖的相变功能单元使之升温，产生晶化/非晶化的相变；利用两种状态下巨大的光学性质差异特点，通过探测光对其状态进行读取。通过两个步骤的操作，可在该结构中实现全部16种二元布尔逻辑运算。本发明具有抗电磁干扰，可并行操作优势，且实现了16种二元布尔逻辑计算。

公开(公告)号：CN113628653A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110785782.4

申请日：2021-07-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  何柱力 ,  韩西领 ,  崔铭格 ,  缪向水

IPC: G11C13/00 ,  G02F3/00 ,  H03K19/173

Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的全光布尔逻辑器件及其二元逻辑实现方法，包括分两级连接的三个Y分支型波导结构与两个相变功能单元组成；逻辑实现方法上，设置两个Y分支上的四个端口为输入端，由于相变材料受到光脉冲的脉冲宽度调节，因此采用光延时器对不同输入脉冲进行延时，再通过Y分支结构进行两两耦合，得到新的组合脉冲，作用于直波导上覆盖的相变功能单元使之升温，产生晶化/非晶化的相变；利用两种状态下巨大的光学性质差异特点，通过探测光对其状态进行读取。通过两个步骤的操作，可在该结构中实现全部16种二元布尔逻辑运算。本发明具有抗电磁干扰，可并行操作优势，且实现了16种二元布尔逻辑计算。