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公开(公告)号：CN114242886B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111450173.X
申请日：2021-11-30
Abstract: 本发明公开了一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置，属于自旋电子学技术领域。异质结的下层为二维铁磁材料，下层为二维反铁磁材料，方法包括：在二维铁磁/反铁磁异质结样品正面设置单层石墨烯纳米粉；使激光器发出的激光聚焦于所述单层石墨烯纳米粉所在平面，控制样品移动，在移动的过程中所述激光对样品施加面外压力，通过改变激光功率大小调整异质结的层间距，实现对交换偏置效应的调控。本发明基于范德华反铁磁/铁磁系统层间距强烈影响着层间相互作用，利用激光冲击强化工艺来控制范德华异质结构层间距，对范德华磁性异质结中的交换偏置效应进行连续可调，提升该效应的可控性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114507714B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210413282.2
申请日：2022-04-20
IPC: C12Q1/6825 , C12Q1/6883 , G06N3/12 , G06N3/06 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开了一种基于miRNA检测的二维材料半导体传感器制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括8个单点器件构成的crossbar阵列；制备PDMS通道，然后将PDMS通道转移热压至半导体器件的沟道区域上；向PDMS通道中的每个PDMS子通道中注射含有特定miRNA探针的PBS溶液，使得各PDMS子通道中二硫化钼表面均吸附固定有miRNA探针；构建全连接神经网络，获取训练好的全连接神经网络的权重因子，并将权重因子通过调节栅极电压对应映射至各单点器件的电导上。本发明检测流程简单快速，且还可实现对多种miRNA的联合检测，提高对心血管疾病检测的准确度。
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公开(公告)号：CN114507714A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210413282.2
申请日：2022-04-20
IPC: C12Q1/6825 , C12Q1/6883 , G06N3/12 , G06N3/06 , H01L29/788
Abstract: 本发明公开了一种基于miRNA检测的二维材料半导体传感器制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括8个单点器件构成的crossbar阵列；制备PDMS通道，然后将PDMS通道转移热压至半导体器件的沟道区域上，其中，PDMS通道包括crossbar阵列排布的8个PDMS子通道，各PDMS子通道对应热压在各单点器件的沟道区域上；向PDMS通道中的每个PDMS子通道中注射含有特定miRNA探针的PBS溶液，使得各PDMS子通道中二硫化钼表面均吸附固定有miRNA探针，miRNA探针的类型包括miRNA208、miRNA1、miRNA133和miRNA499；构建全连接神经网络，获取训练好的全连接神经网络的权重因子，并将权重因子通过调节栅极电压对应映射至各单点器件的电导上。本发明检测流程简单快速，且还可实现对多种miRNA的联合检测，提高对心血管疾病检测的准确度。
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公开(公告)号：CN114242886A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111450173.X
申请日：2021-11-30
Abstract: 本发明公开了一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置，属于自旋电子学技术领域。异质结的下层为二维铁磁材料，下层为二维反铁磁材料，方法包括：在二维铁磁/反铁磁异质结样品正面设置单层石墨烯纳米粉；使激光器发出的激光聚焦于所述单层石墨烯纳米粉所在平面，控制样品移动，在移动的过程中所述激光对样品施加面外压力，通过改变激光功率大小调整异质结的层间距，实现对交换偏置效应的调控。本发明基于范德华反铁磁/铁磁系统层间距强烈影响着层间相互作用，利用激光冲击强化工艺来控制范德华异质结构层间距，对范德华磁性异质结中的交换偏置效应进行连续可调，提升该效应的可控性。
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公开(公告)号：CN114203541B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202111420791.X
申请日：2021-11-26
IPC: H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种将金属电极转移至二维材料上的方法，其包括：获取待转移结构，所述待转移结构包括衬底、形成于衬底上的过渡层以及形成于过渡层上的金属电极图案；对所述过渡层进行湿法刻蚀，去除未被金属电极图案覆盖的所述过渡层；通过有机柔性材料将待转移结构中的金属电极图案从所述过渡层上整体粘起并贴合至目标结构中的二维材料上；去除所述有机柔性材料，完成金属电极与二维材料的范德华接触。通过引入过渡层并结合湿法刻蚀和干法转移，使得容易实现待转移图案的整体剥离，大大提高了制备的成功率，且通过范德华力结合金属电极和二维材料，能够大大提高两者的接触性能。
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公开(公告)号：CN114203541A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111420791.X
申请日：2021-11-26
IPC: H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种将金属电极转移至二维材料上的方法，其包括：获取待转移结构，所述待转移结构包括衬底、形成于衬底上的过渡层以及形成于过渡层上的金属电极图案；对所述过渡层进行湿法刻蚀，去除未被金属电极图案覆盖的所述过渡层；通过有机柔性材料将待转移结构中的金属电极图案从所述过渡层上整体粘起并贴合至目标结构中的二维材料上；去除所述有机柔性材料，完成金属电极与二维材料的范德华接触。通过引入过渡层并结合湿法刻蚀和干法转移，使得容易实现待转移图案的整体剥离，大大提高了制备的成功率，且通过范德华力结合金属电极和二维材料，能够大大提高两者的接触性能。
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