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公开(公告)号：CN115867119A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211484488.0
申请日：2022-11-24
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种神经突触仿生器件及其仿生控制方法，属于微电子器件技术领域，包括由下至上依次分布的下电极、阻变层、阻挡层和上电极；其中，阻变层为具有能级缺陷的阻变层，能够自发的捕获和释放载流子，且无需预先进行forming操作产生软击穿即可具有稳定的阻变特性，并不会对器件内部结构产生严重破坏，能够更加精确的模拟神经突触的功能。同时还可抑制神经信号之间的干扰，减小忆阻阵列中神经网络训练和推理运算过程中忆阻器件非理想因素的影响。
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公开(公告)号：CN115621259A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211236273.7
申请日：2022-10-10
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种利用硬电极在低温退火条件下提高铁电器件性能方法，该方法针对的铁电器件自上而下包括上电极、铁电材料功能层、下电极和衬底，其中上电极所采用电极材料的硬度大于下电极所采用的电极材料的硬度；通过将该铁电器件在目标退火温度满足大于350℃且小于500℃的低温条件下进行低温退火，能够提高器件的铁电性能。本发明通过对铁电器件的电极材料进行改进，通过采用硬度较大的电极材料构建上电极、使上电极的硬度大于下电极，能够实现在较低的退火温度下提升铁电器件的铁电性能。
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公开(公告)号：CN114358146B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202111550255.1
申请日：2021-12-17
IPC: G06V10/771 , G06V10/82 , G06V10/774 , G06N3/02 , G06T7/11 , G06T7/136
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的图像特征选择方法及模块、神经网络模型，其方法包括：获取包含多张图像的数据集，每张图像包含M个特征，每个特征的特征值为0或1；统计数据集中图像第i个特征的特征值为1的图像数量Ni，设定图像数量阈值Nth；构建包含1行×M列的忆阻器阵列，每个忆阻器具有相同的脉冲数量阈值Pth，忆阻器的初始状态呈易失性并当接收到大于或等于脉冲数量阈值Pth的脉冲后转变为非易失性；向第i列的忆阻器Ri施加Pi个脉冲以调制对应忆阻器Ri的电导态，其中，Pi＝(Pth/Nth)×Ni。本申请充分利用了忆阻器易失性到非易失性的转换，能够筛选出数据集的公共特征，降低网络学习复杂度，从而使得特征处理、网络学习的硬件电路实现高密度集成。
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公开(公告)号：CN115623859A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211242393.8
申请日：2022-10-11
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种门控离子通道仿神经突触忆阻器及其门控调节方法，该忆阻器自上而下包括上电极、阻变功能层和下电极，阻变功能层中的氧空位浓度先减少再增多，氧空位浓度的最小值出现在阻变功能层的中部区域；并且，在阻变功能层靠近下电极的边缘处，还存在金属纳米颗粒。本发明通过对忆阻器件结构、组成及调控方法进行改进，额外引入金属纳米颗粒，与现有的忆阻结构相比，实现了导电细丝水平和垂直方向皆可控；并且，本发明器件从结构上实现了神经突触结构的全模拟，功能上仿神经突触通过调节门控离子通道，在门控导电通道的全连接、弱连接和关断的状态之间进行调控，有利于提高器件一致性，多值性。
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公开(公告)号：CN114358146A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111550255.1
申请日：2021-12-17
IPC: G06K9/62 , G06V10/774 , G06N3/02 , G06T7/11 , G06T7/136
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的图像特征选择方法及模块、神经网络模型，其方法包括：获取包含多张图像的数据集，每张图像包含M个特征，每个特征的特征值为0或1；统计数据集中图像第i个特征的特征值为1的图像数量Ni，设定图像数量阈值Nth；构建包含1行×M列的忆阻器阵列，每个忆阻器具有相同的脉冲数量阈值Pth，忆阻器的初始状态呈易失性并当接收到大于或等于脉冲数量阈值Pth的脉冲后转变为非易失性；向第i列的忆阻器Ri施加Pi个脉冲以调制对应忆阻器Ri的电导态，其中，Pi＝(Pth/Nth)×Ni。本申请充分利用了忆阻器易失性到非易失性的转换，能够筛选出数据集的公共特征，降低网络学习复杂度，从而使得特征处理、网络学习的硬件电路实现高密度集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114937599A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210477409.7
申请日：2022-05-04
IPC: H01L21/335 , H01L29/78 , H01L21/324
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种提高铪基铁电器件性能的退火方法，铪基铁电器件包括铪基铁电功能层、第一电极和第二电极；记第一电极和第二电极中，相对较不易氧化的电极为惰性电极，另一者为对电极；退火过程中，通过控制退火炉的加热排灯，仅使用靠近惰性电极的单侧排灯对退火炉进行加热，快速热退火在预设的目标退火温度下的保温时间不长于60s；利用快速热退火，能够提升铪基铁电器件的剩余极化性能。本发明通过仅单侧排灯加热退火的方式，可以促使更多的中心对称t相转换为非中心对称的铁电相o相，促使铁电器件展现出优异的铁电性能。
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公开(公告)号：CN120072767A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510233959.8
申请日：2025-02-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473 , H10B80/00 , H01L23/488
Abstract: 本发明属于芯片封装领域，公开了一种优化散热结构的HBM芯片。该HBM芯片自下而上一次包括基板、微凸起层、逻辑芯片层、存储层、导热层和散热层；存储层为多个存储芯片自下而上堆叠形成；逻辑芯片层与所述散热层之间还设有热优化区；热优化区由导热材料制得，其上端与散热层直接键合、下端与逻辑芯片层直接键合，且与存储层和导热层接触。本发明通过在逻辑芯片层和散热层之间设置与两者直接连接的热优化区，能够将逻辑芯片的热量直接通过热优化散热区域直接传递到散热层中，实现更高效的方式散热、更大的存储性能并减小芯片翘曲。
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公开(公告)号：CN113346015B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110529561.0
申请日：2021-05-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种实现导电细丝通道定型定位的忆阻器，器件包括上电极、功能层和下电极，功能层基于同一种金属氧化物忆阻材料，其中的氧含量呈梯度变化，且沿由下电极指向上电极的方向氧含量呈先增加、再减小的变化趋势，由于氧空位浓度的最小值出现在功能层的中部，从而能够使该忆阻器中的导电细丝通道的断裂位置定位在功能层的中部。本发明通过对忆阻器件功能层的细节结构及组成进行改进，得到的忆阻器可实现对导电细丝通路形貌的定型和导电细丝通路通断位置的定位，与现有的忆阻结构相比，有利于实现低功耗、高一致性，多阻态的忆阻性能，能够有效解决现有技术中忆阻器件导电丝的尺寸以及形成位置的随机性等问题。
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公开(公告)号：CN118863098A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411332916.7
申请日：2024-09-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于人工智能相关技术领域，其公开了跨知识领域的大模型组合系统，包括定义智能体、选择智能体、主级大模型、至少两个次级大模型以及检查智能体，定义智能体管理当前所有大模型的领域关键字并调用主级大模型审查是否存在与问题适配的领域并将审查结果传送给选择智能体；选择智能体根据审查结果选择大模型：当不存在适配的领域时，调用主级大模型处理用户输入的问题并生成答案；当存在适配领域时，调用所适配领域的大模型处理用户的问题并生成答案；检查智能体检查大模型所生成答案的正误并当答案不符合要求时，调用对应的大模型重新生成结果。基于以上系统，可以低成本，低功耗，高质量地完成跨知识领域推理任务。
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公开(公告)号：CN116432725A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310310736.8
申请日：2023-03-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06N3/063 , G06N3/0464 , G06V10/82
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式设备及神经网络运算器，属于嵌入式设备卷积运算技术领域，运算器包括运算控制模块、卷积运算模块、全局平均池化模块和全连接计算模块，卷积运算模块包括多通道卷积计算电路，用于依次执行第二层至最后一层卷积计算；其中，每层卷积计算中执行卷积核{cij}m*m与各通道位于卷积核滑窗下的图像数据{pij}m*m的卷积计算的过程包括：运算控制模块控制中间结果计算电路在相邻时序连续执行滑窗内不同像素的子流程并连续输出不同的中间结果，累加电路在每个时序对新输入的中间结果进行累加，得到卷积结果中对应滑窗位置的像素，该框架能够在嵌入式设备上实现卷积神经网络运算，且在降低电路复杂度的同时提高运行速度。
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