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公开(公告)号：CN116417024A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310390685.4
申请日：2023-04-13
Abstract: 本申请属于忆阻器技术领域，提供了一种忆阻电路及集成电路，忆阻电路包括：N个忆阻输入电路、M个忆阻输出电路、触发逻辑电路以及触发器；忆阻输入电路由输入阻变忆阻器和输入场效应管串联组成，忆阻输出电路由输出阻变忆阻器和输出场效应管串联组成，触发器的反相时钟端以及触发逻辑电路的输出端共接于反相时钟信号端，触发逻辑电路的第一输入端连接电源端，触发逻辑电路的N个第二输入端分别连接N个所述忆阻输入电路，通过设计新颖结构的忆阻电路可以降低运算复杂度，同时降低电路的面积和能耗。
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公开(公告)号：CN114927158A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210674740.8
申请日：2022-06-15
Abstract: 本发明提供了一种忆阻器的状态检测及其读写装置，属于忆阻器的应用技术领域；本发明的装置包括：模拟模块、数字模块、忆阻器模块以及检测电路；通过分析比较忆阻器的几类窗函数模型，使其能在电气特性方面和阻变存储单元的阻变转变特性相一致；并对状态检测读写电路进行仿真验证，并对状态检测电路进行优化。
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公开(公告)号：CN116306857B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310558303.4
申请日：2023-05-18
Abstract: 本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电压相距较远，且触发脉冲发放需要两个检测脉冲按先后顺序在一定时间内成对出现，可以有效避免由于干扰或膜电位在所设置的基准电压附近波动而导致的脉冲少发或误发现象。该神经元激活状态识别和激活脉冲发放电路能够即时、准确地发放标准脉冲激活信号，为大规模多层脉冲神经网络的层间信号匹配与脉冲神经网络和各功能模块间的信号交互提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN116382624A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310390694.3
申请日：2023-04-13
Abstract: 本申请属于加法器技术领域，提供了一种有限域加法器电路及集成电路，采用高频小信号作为激励，利用忆阻低通滤波器实现信号相位的调制，通过级联即可实现各个忆阻器的阻值映射到相位上的加法。由于相位本身的周期性，基于相位的加法可自然实现有限域的循环特性，而无需在相加之后判断其大小再做减法，这使得其电路结构更为简化，可应用于计算机编码、密码学以及神经元电路等相关领域的应用研究，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116306857A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310558303.4
申请日：2023-05-18
Abstract: 本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电压相距较远，且触发脉冲发放需要两个检测脉冲按先后顺序在一定时间内成对出现，可以有效避免由于干扰或膜电位在所设置的基准电压附近波动而导致的脉冲少发或误发现象。该神经元激活状态识别和激活脉冲发放电路能够即时、准确地发放标准脉冲激活信号，为大规模多层脉冲神经网络的层间信号匹配与脉冲神经网络和各功能模块间的信号交互提供了有力支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115000211A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210587796.X
申请日：2022-05-27
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/102 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法，该日盲型紫外光电探测器，包括：导电基底，其上开设有沟道；In掺杂的Ga2O3纳米柱阵列，其位于沟道上。本发明的日盲型紫外光电探测器，导电基底为自带沟道的导电基底，因而在导电基底的沟道两侧自然形成电极，而且目前大多数器件都需要额外制作电极，不仅增加了实验步骤还大大增加了实验成本，本发明采用自带沟道的导电基底不需要额外制备电极，大大简化了实验步骤和实验成本；同时本申请采用In掺杂的Ga2O3纳米柱阵列，使得日盲型紫外光电探测器器件具有更低的暗电流，在低光强下仍具有较高的开关比。
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公开(公告)号：CN115547839A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211228067.1
申请日：2022-10-09
IPC: H01L21/368 , H01L21/477 , H01L31/032 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , B82Y15/00
Abstract: 本申请属于太阳能电池技术领域，提供了一种无机钙钛矿纳米线薄膜的制备方法。首先将碘化铅溶解并在恒温条件下搅拌均匀得到碘化铅前驱液；在碘化铅前驱液中加入沉淀剂，得到淡黄色絮状物，并对淡黄色絮状物离心处理得到淡黄色胶体状物质，淡黄色胶体状物质真空干燥得到碘化铅复合产物；基于碘化铅复合产物得到前驱旋涂溶液，将前驱旋涂溶液在衬底上进行旋涂制膜，并退火处理得到疏松的碘化铅薄膜层；将碘化铅薄膜层依次置于碘化铯溶液、溴化铯溶液中浸泡处理后退火得到无机钙钛矿薄膜，从而基于疏松的PbI2纳米结构，可以充分与碘化铯溶液、溴化铯溶液接触并反应，制备取向性好、物化稳定性优、结晶性高的一维无机钙钛矿纳米线材料。
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公开(公告)号：CN113130744B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110395190.1
申请日：2021-04-13
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的选通器件及其制备方法，该选通器件包括底电极；转变层，位于底电极一侧表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为m，0.1％≤m＜1.5％。本发明的基于铝掺杂氧化铌的选通器件，转变层为铝掺杂氧化铌薄膜，通过铝掺杂提升了氧化铌高阻态的势垒，增加高阻态电阻，相比传统的转换层为氧化铌的选通管具有更高的选通比。
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公开(公告)号：CN113113538A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110395182.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 湖北大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的抗串扰阻变器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转变层，位于底电极表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为1.5～5％。本发明的抗串扰阻变器件，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，通过高浓度铝掺杂提升抗串扰阻变器件的稳定性，铝原子可以起到固定五氧化二铌区域导电丝的作用，极大增加抗串扰阻变器件的耐受性；相比传统的1S1R器件，可减少集成中的光刻及刻蚀步骤，降低工艺复杂度，节约成本；相比纯氧化铌阻变器件，本申请的的抗串扰阻变器件，耐受性有极大提升，并且抗串扰阻变器件的阈值电压和电阻稳定性均有提升。
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公开(公告)号：CN112952088A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110212580.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池阴极储能材料技术领域。本发明以碳布为基底，将碳布预处理后置于配有适当比例的金属盐、锰盐和尿素的反应釜内胆的混合溶液中，并将碳布用聚四氟乙烯板固定，最后将反应釜装置放入干燥箱中进行水热反应，其中：反应温度设置为100～180℃，反应时间设置为16～24h，反应完成后清洗干净并干燥即可。本发明的金属掺杂碳酸锰后，形貌发生改变，在提高结构的稳定性同时，增大了反应过程的表面积，也提升了其能量密度。此外，本发明制备的电极材料在电池充放电过程中对进入阴极材料内部嵌入脱嵌的锌离子的静电作用力减少，电导率增大，提升了电池的电化学性能。
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