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公开(公告)号：CN114944342B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210856839.X
申请日：2022-07-21
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/60 , H01L21/66 , H01L23/485
Abstract: 本公开实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个底部芯片，所述底部芯片上键合有多个顶部芯片；获取各个所述顶部芯片的实际键合位置相对于所述底部芯片的偏移量和各个所述顶部芯片上的待形成再布线层的设置位置相对于所述底部芯片的预设误差精度；构建包含预补偿参数的所述待形成再布线层的设置位置相对于各个所述顶部芯片的补偿量，以所述预设误差精度作为边界条件，计算得到所述预补偿参数；其中，所述预补偿参数为所述待形成再布线层的设置位置相对于所述底部芯片的补偿参数。
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公开(公告)号：CN114937659A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210858221.7
申请日：2022-07-21
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L25/065 , H01L23/367
Abstract: 本公开提供一种芯片系统，所述芯片系统包括：第一基板；位于所述第一基板上阵列排布的多个第一功能芯片；以及位于所述第一功能芯片表面上的多个第二功能芯片；其中，所述第一功能芯片与所述第二功能芯片具有不同类型的功能；每个所述第二功能芯片在所述第一基板上的投影分别与至少两个所述第一功能芯片在所述第一基板上的投影至少部分重叠；所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片在重叠的区域内键合连接；键合连接的所述第一功能芯片与所述第二功能芯片之间具有多路连接通道；所述多路连接通道被配置为使所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片之间具有信号通信。
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公开(公告)号：CN114005778A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111595542.4
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合系统和键合补偿方法。所述键合补偿方法包括：确定拾取的第一管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；确定晶圆上的第二管芯的当前位置与第二目标位置之间的第二偏差值；根据所述第一偏差值和所述第二偏差值，移动所述晶圆，以对准所述第一管芯和所述第二管芯；在所述第一管芯和所述第二管芯对准后，键合所述第一管芯和所述第二管芯；确定键合后的所述第一管芯的位置和所述第二管芯的位置之间的第三偏差值；根据所述第三偏差值，确定待键合的第三管芯与所述晶圆上的第四管芯的校准参数；根据所述校准参数，键合所述第三管芯和所述第四管芯。
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公开(公告)号：CN114446876A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210376505.2
申请日：2022-04-12
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明提供了一种晶圆切割方法，提供一晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括依次堆叠的至少两个晶圆，每个所述晶圆包括衬底、形成于所述衬底上的介质层以及形成于所述介质层中的切割道焊盘；在所述晶圆键合结构的最顶部的晶圆的介质层上形成第一氧化层；沿所述最顶部的晶圆的切割道焊盘进行切割以在所述晶圆键合结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽贯穿至少一个晶圆并暴露出最底层的晶圆的衬底；在所述第一沟槽内填充第二氧化层；在所述第二氧化层上形成混合键合界面；去除所述第一沟槽内的第二氧化层；以及，对所述最底层的晶圆的衬底进行切割。解决了切割多层堆叠的晶圆时，熔渣堆积严重导致后续无法有效去除的问题。
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公开(公告)号：CN114226984A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111478198.0
申请日：2021-12-06
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: B23K26/346 , B23K26/38 , B23K26/16 , B23K26/70 , B23K10/00 , B23K101/36
Abstract: 本发明提供了一种晶圆的切割方法，采用第一激光切割工艺沿所述保护液的表面向下开槽，形成从所述保护液的表面延伸至所述介质层内的第一凹槽，所述第一凹槽的边缘上方形成有熔渣；采用第二激光切割工艺沿所述第一凹槽的底面向下开槽，形成连通所述第一凹槽的第二凹槽，且所述第一凹槽的横向宽度大于所述第二凹槽的横向宽度，所述第二凹槽的边缘上方形成有熔渣；进行等离子切割工艺沿所述第二凹槽的底面向下开槽，形成第三凹槽，所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第三凹槽共同贯穿所述晶圆并构成切割道，同时去除所述第一凹槽和所述第二凹槽的边缘上方的熔渣。本发明有利于提高混合键合工艺的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113793811B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111351802.3
申请日：2021-11-16
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种芯片堆叠结构的连接方法，包括：提供一基板；将至少两个芯片堆叠结构固定在所述基板上，相邻的两个芯片堆叠结构之间具有间隙，每个芯片堆叠结构包括堆叠设置的多层芯片，每层芯片包括衬底、形成于所述衬底上焊盘以及覆盖所述衬底和所述焊盘的介质层，所述间隙暴露所述焊盘的侧面；去除所述间隙侧面的部分衬底和部分介质层，使所述焊盘局部突出于所述介质层；在所述芯片堆叠结构和所述基板表面形成连接材料层，去除所述芯片堆叠结构和所述基板表面的连接材料层，形成连接层，相邻的所述焊盘通过所述连接层连接；以及，填充所述间隙，以使至少两个芯片堆叠结构连接在一起。解了决芯片面积越大，良率越低的问题。
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公开(公告)号：CN114005779A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111595678.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。所述键合系统包括：键合组件，包括：用于拾取第一待键合管芯的键合头，以及贯穿所述键合头的第一光通路；其中，所述第一光通路的第一端位于所述键合头拾取所述第一待键合管芯的拾取面；第一对准组件，用于在所述键合组件位于第一位置时，通过所述第一光通路的第二端向所述第一端发射检测光信号；所述第一对准组件，还用于接收所述检测光信号经所述第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的所述反射光信号确定所述第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定所述晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
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公开(公告)号：CN114005777A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111594630.2
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。键合系统包括：键合组件，包括：键合头以及贯穿键合头的第一光通路；第一对准组件，用于在键合头位于第一位置时，确定拾取面相较于水平面的偏移量；键合组件，还用于根据偏移量，驱动键合头移动至平行于水平面的第二位置；第一对准组件，还用于在键合头位于第二位置时，通过第一光通路的第二端向第一端发射检测光信号；第一对准组件，还用于接收检测光信号经第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的反射光信号确定第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
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公开(公告)号：CN113793811A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111351802.3
申请日：2021-11-16
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种芯片堆叠结构的连接方法，包括：提供一基板；将至少两个芯片堆叠结构固定在所述基板上，相邻的两个芯片堆叠结构之间具有间隙，每个芯片堆叠结构包括堆叠设置的多层芯片，每层芯片包括衬底、形成于所述衬底上焊盘以及覆盖所述衬底和所述焊盘的介质层，所述间隙暴露所述焊盘的侧面；去除所述间隙侧面的部分衬底和部分介质层，使所述焊盘局部突出于所述介质层；在所述芯片堆叠结构和所述基板表面形成连接材料层，去除所述芯片堆叠结构和所述基板表面的连接材料层，形成连接层，相邻的所述焊盘通过所述连接层连接；以及，填充所述间隙，以使至少两个芯片堆叠结构连接在一起。解了决芯片面积越大，良率越低的问题。
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公开(公告)号：CN113634544A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110939158.5
申请日：2021-08-16
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本发明提供了一种晶圆清洗机构，用于对晶圆进行清洗，所述晶圆的表面贴附有承载膜，包括：绷膜环、清洗槽及清洗支架；其中，所述清洗支架用于固定所述绷膜环，所述清洗槽位于所述绷膜环下方，所述承载膜贴附于所述绷膜环上，所述晶圆位于所述绷膜环的内环面内且所述晶圆的边缘与所述绷膜环的内环面之间具有间隙，所述晶圆朝向所述清洗槽并浸入所述清洗槽内的清洗液中。本发明在所述晶圆的清洗过程中，由于所述清洗液不接触所述承载膜的表面，从而避免所述清洗液与所述承载膜发生物理化学反应导致所述晶圆受污染，并保证了所述晶圆的清洗洁净度且工艺兼容性高。
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